西门子公司的高压断路器和GIS

1.历史概况西门子(Siemens)公司的高压产品80％出口,行销世界各地。公司1960年开始对SF_6技术进行基础研究。1964年提供第一批 245kV SF_6断路器。1968年提供第一套 6间隔 145kV GIS。1974年提供第一间隔 245kV GIS。1976年提供第一间隔400/550kV GIS,1984年提供用于严酷电网条件的550kV GIS:额定电流 8000A,额定短路开断电流100kA,计17台断路器。1987年～1991年开发出72.5kV～550kV第2代GIS。1997年开发出智能化GIS,间隔集成有控制、监视和诊断功能。     

日本特高压SF_6断路器和SF_6封闭式组合电器近期发展动态

<正>一、综述 日本由于国土狭窄、大型变电站用地受限制和为了让550kV变电站进入城郊,这些都要求550和1000kV的SF_(6)断路器（GCB）及SF_(6)封闭式组合电器（GIS）缩小体积。为此日本的三菱电机、东芝、日立三公司都先后于1992～1994年间研制成了550kV单断口GCB,并于1994～1995年间用550kV单断口灭弧室串联组装1000kV双断口GCB,以及550kV单断口和1000kV双断口的     

10年来国外高压SF6断路器的发展掠影

近10年来,国外高压SF_6断路器经过不断的研究试验改进已有了很大的发展。从10年前的一般单元式(PUFFER)结构发展到目前的自能式(所谓热压气室,HOT PUFFER)结构。单断口的最高电压从10年前的245kV发展到目前的550kV。额定开断电流从40kA发展到80kA。三相共箱式的SF_6断路器从145kV发展到300kV。GIS无论在占地面积或空间体积这两方面均有大幅     

超高压SF6断路器综述

本文介绍国外300kV、362kV、420kV、550kV及800kV高压断路器。在这一范围内的超高压断路器经历了压缩气断路器——双压式SF6断路器——压气式SF6断路器——混合式SF6断路器。其中前两种产品早被淘汰,不作介绍,现介绍后两种活跃在超高压区域的SF6断路器。     

550 kV六氟化硫断路器故障诊断和检修策略(一)

从影响最广及难度最大的550kV六氟化硫(SF6)断路器入手,介绍了江苏省正在运行中的各种类型550kV SF6断路器及其运行情况,提出了相应的检修策略,并介绍了有关SF6气体特性和含水量测量等方面的知识。由于其他电压等级SF6断路器的结构原理与550kV SF6断路器的基本相同,因此对其故障诊断和检修也有实用意义。     

550kV单断口SF_6断路器灭弧室开断特性的研究

<正> 为了满足城市对电力发展的需求,应兴建向城市传输电力的380～500kV输电线路。鉴于建造变电站征地困难,建设380～500kV地下变电站是可行的方案。为达此目标,应减小380～500kV线路中GIS的安装面积、体积和重量,可将SF_6断路器的双断口改变为单断口来实现。另一方面,1000kV级超高压输电线路已发展到一定程度,使GIS紧凑化也变得越来越重要。据此要求,研制出了550kV、63kA单断口SF_6断路器用的灭弧室。     

日本300～550KVSF6断路器的小型化高可靠性技术

目前,高压电器的发展方向是小型、轻量、长寿命、不燃和维修简单。由于SF6断路器优点突出,故发展极为迅速。日本三菱公司十余年来,在开发高压SF6GCB及GIS过程中,力求使电器设备小型化和高度可靠。最近,三菱公司将GCB各个系列产品投产过程中所积累的设计、制造、试验经验应用在550kV双断口,300kV单断口GCB产品中,     

超高压开关技术(4) 550kV单断口罐式SF_6断路器

<正>我国自主开发出拥有自主知识产权的550kV单断口罐式SF6断路器,这是继日本之后第二个拥有550kV单断口SF6断路器设计和制造技术的国家。众所周知,现代高压断路器的发展趋向高电压、大容量和小型化,550kV单断口SF6断路器的研制成功体现了高压SF6断路器技术的巨大进步。550kV单断口SF6断路器的灭弧单元经历了4断口→双断口→单断口。单断口相比双断口SF6断路器,产     

550kV GIS用SF6断路器电场分析计算

对550kV GIS用SF6断路器结合其1min工频绝缘耐压试验对其合闸位置和分闸位置灭弧室内的电场分布进行了详细的分析计算,并对该断路器分闸过程中电场不均匀程度进行了分析计算,从而对该断路器的绝缘性能有了深刻的认识和理解.     

GIS断路器动作产生辐射电场的测量研究

GIS内开关操作产生的快速暂态过电压(VFTO)在传播过程中会诱发瞬态辐射电场,并通过传导或耦合影响变电站二次设备的正常工作,甚至造成设备永久性损坏,研究辐射电场特征规律对变电站二次设备电磁防护具有一定的指导意义。文中研制了一套适用于强电磁环境下电场测量的光纤测量系统,并在TEM小室中进行了标定实验。利用测量系统测量了某1 100 kV和550 kV单相GIS断路器操作产生的辐射电场,分析了电场的时频特性。测量及分析表明:电压等级越高,GIS断路器动作产生的辐射电场脉冲幅值越高、个数越多、衰减越迅速,主频范围分布更广,且多以特定脉冲形式出现。550 kV GIS辐射电场幅值最高可达0.13 kV/m,1 100 kV等级幅值最高可达0.75 kV/m;550 kV等级主频主要分布在5 MHz以下,1 100 kV等级主频主要分布在100 MHz以下。