AND的增长重塑NOR市场——NOR供应商需寻求新的非易失性存储器技术

2005年第一季度NAND闪存收入首次超过NOR，iSuppli公司预测，尽管表面上消费类电子对于低成本固态存储器的巨大需求将推动NAND需求的增长，但NOR超越NAND的情况在未来几年将继续。     

非易失性RAM将取代SRAM和NOR闪存

FRAM(铁电存储器)、MRAM(磁阻存储器)和PRAM(相变存储器)等非易失性RAM相继上市,它们兼具DRAM和SRAM的高速性以及闪存和EEPROM的非     

富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术

富士通公司和精工爱普生公司近日宣布，双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）非易失性存储器技术。     

如何选择非易失性SRAM

为了解决ＳＲＡＭ的数据保存问题，国内外多家公司推出了可以完全替代ＳＲＡＭ的ＮＶＳＲＡＭ系列产品，如何在众多的ＮＶＳＲＡＭ产品中选择质优价廉的产品是广大用户所关心的问题。文章介绍了若干选择经验。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

新型NVRAM将成为下一代的主流内存

本文介绍了铁电RAM(FRAM)、磁阻RAM(MRAM）和相变RAM(PRAM)等三种新型非易失性随机存取存储器(NVRAM)的当前发展动态和未来发展方向。     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

飞利浦积极开发嵌入式非易失性存储器

飞利浦电子公司今天宣布其0．18微米CMOS嵌入式闪存／EEPROM技术现已完全符合Grade-1汽车电子应用的需求，而其0．14微米嵌入式闪存／EEPROM已开始在位于荷兰奈梅亨市的晶圆厂进行量产，这也是飞利浦第二家符合这一工艺生产要求的工厂。飞利浦表示，这两项最新的发展是飞利浦产品发展规划中的重要里程碑，表明其低功耗闪存／EEPROM技术已扩展到90纳米CMOS及更先进的水平。     

英特尔和意法半导体统一NOR闪存规范

意法半导体(ST)与英特尔公司日前公布了一个公用存储器子系统规范，以帮助手机OEM制造商降低产品开发成本，以最快的时间将功能丰富的产品投放市场。为了简化手机存储器的设计，两家公司将提供基于公用标准的软硬件兼容的存储器产品。因此，手机制造商的开发时间将会缩短，制造成本应将会降低，并能够以低廉的成本快速过渡到两家公司开发的下一代NOR闪存产品。     

减少RAM需求，65nm多路NOR串行闪存扩展到便携应用

拥有65nm工艺、支持1.8V电压、多路I/O口和非易失性配置等一系列新特点,恒忆的128Mb产品进一步扩展了NOR串行闪存的技术优点和应用领域。     

4Mb非易失性FRAM存储器——结合了德州仪器的130nm工艺和Ramtron先进的FRAM单元架构

FM22L16是采用44引脚TSOP封装的3V并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在引脚上兼容，适合于工业控制系统应用，如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机和自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。     

非易失性静态随机存储器研究进展

在非易失性存储器领域,非易失性静态随机存储器(NVSRAM)可以克服现有非易失性存储器的缺点与限制,并完全替代静态随机存储器(SRAM)。首先,对几种新型非易失性存储器进行了简单阐述;其次介绍了NVSRAM的基本工作原理和特点,针对NVSRAM在解决传统SRAM掉电数据储存问题、加快读取速度以及减少功耗等方面的优势进行阐述。对近年来基于阻变存储器的NVSRAM的研究背景和国内外研究现状进行了调研,着重比较和分析了已有结构的优缺点,重点探讨了提高恢复率、减少漏电流和降低功耗的关键优化技术。最后,展望了NVSRAM未来的应用和研究发展方向。     

嵌入式非易失性存储器在SoC物理设计中的应用

嵌入式非易失性存储器以其同时具备数据可更改性及掉电保存性而已被越来越广泛的应用于SoC物理设计。文中结合一款电力网控制芯片R36的实际设计案例,分析了该器件的应用特点,并从用途、性能、容量选择等方面说明了通过非易失性存储器对降低芯片成本、提高速度及可靠性应用方法。     

RAMTRON宣布为4兆位并口非易失性F-RAM存储器提供FBGA封装选择

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA封装的49 Mb F—RAM存储器。FM22LD16是采用48脚FBGA封装的3V、4Mb并口非易失性FRAM,具有高访问速度、几乎无限的读／写次数以及低功耗等优点。     

非易失性存储器：在二十一世纪的问题,挑战和发展趋势

引言 本世纪末,存储器市场的预测表明,存储器将占集成电路总市场份额的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是由DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,它们将占总市场的11％。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60％以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将成为非常重要的分支。     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将MRAM（磁阻RAM，magnetoresistive randoma ccess memory）称作是非易失性存储器（nvRAM，Non—Volatile RAM）在未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术，MRAM可以在掉电时保留数据，并且不需要定期刷新，它利用磁性材料和传统硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性，几乎没有寿命限制。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。[第一段]     

串行512Kb FRAM

FM25V05是512Kb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM,采用8引脚SOIC封装,特点包括快速访问、无延迟（NoDelay）写入、1E14读／写次数和低功耗。FM25V05可代替工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其他应用领域的串行闪存和串行EEPROM存储器。     

非易失性可无限次配置的PLD

一、ispXPGA和ispXPLD产品系列iSPXPGA FPGA(Field Programmable Gate Array 现场可编程门阵列)和ispXPLD PLD(Programmable Logic Device 可编程逻辑器件)产品的种类丰富，并以其强大的功能性获得了广泛的应用。该类产品基于SRAM(Static Random Access Memory 静态随机读写存储器)系列产品，允许被重新配置无