不同品种立方氮化硼晶体的Raman光谱

利用Raman光谱仪研究了我公司用高温高压合成的不同品种立方氮化硼(CBN)晶体。结果表明不同品种CBN晶体的Raman光谱有明显差别,可分为以下几种类型:(1)典型的CBN拉曼光谱,只有两个对应CBNTo和Lo模的Raman峰,分别位于1055cm-1和1305cm-1左右;(2)除了CBN的特征峰外,在925cm-1、955cm-1和1245cm-1左右出现额外峰;(3)有CBNTo模的峰,但对应于Lo模的峰消失,在1286cm-1左右出现一个不对称的宽峰。另外在760cm-1、920cm-1和1015cm-1处出现多个额外峰。(4)在1286cm-1左右出现一个峰形不对称的宽峰,对应To模的峰有较大的位移,Raman光谱中有强烈的从低波数端到高波数端呈上升趋势的背底。本文对产生这些Raman峰的原因进行了分析探讨。     

立方氮化硼单晶的热分析图谱特征及热稳定性

本文探讨了国产黑色、琥珀色立方氮化硼的热分析图谱特征;立方氮化硼的氧化过程分三个阶段进行;立方氮化硼的热稳定性大于１２００℃。     

金刚石和立方氮化硼的晶体形态鉴别

晶形识别的表征是极具价值的研究工具，作者介绍了ＤｅＢｅｅｒｓ公司描述金刚石和立方氮化硼磨料晶形简便鉴别方法。     

立方氮化硼薄膜的制备工艺

本文介绍了几种最新的立方氮化硼（Ｃ－ＢＮ）薄膜的制备工艺，并对薄膜中立方氮化硼相形成的影响因素进行了讨论。     

多晶立方氮化硼复合材料的制备

制造了一种立方氮化硼颗粒之间实现键合的多晶体立方氮化硼复合材料。这种材料具有比较好的硬度、耐磨性、热学和化学稳定性。     

常压合成立方氮化硼的探讨

在ｈＢＮ－Ｌｉ３－ＬｉＮＨ２体系中，于常压１１００－１２００Ｋ的温度条件下合成了出形貌与高温高压下合成的ｃＢＮ晶体相似的无色透明晶体。经检验，该晶体不是ＣＢＮ晶体。     

六方氮化硼的制备方法及在合成立方氮化硼中的应用

对中国生产六方氮化硼(hBN)的厂家的制备方法进行了研究,采用感应耦合等离子发射光谱(ICP)、X射线衍射、激光粒度分析及比表面积测定等方法对不同方法制备的hBN粉末进行了检测分析对比。结果发现,其杂质含量、颗粒形貌、结晶度等性能无明显的差异,均属纯度一般的粗制hBN。合成立方氮化硼(CBN)的试验及生产使用表明,虽然不同方法制备的hBN合成CBN的效果和适用性有差别,但均能满足我国CBN单晶合成的需要,为国产合成CBN提供了基础原材料保证。     

六方氮化硼直接转化合成多晶立方氮化硼的研究

以六方氮化硼为初始材料,采用直接转化法在9～15 GPa、1500～2100℃的条件下合成多晶立方氮化硼.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、维氏硬度计,对多晶立方氮化硼块材的微观结构和力学性能进行表征.结果表明:在合适的温度、压力条件下,六方氮化硼可转化为纯相多晶立方氮化硼,其晶粒尺寸最小约为70 nm,最大可达10μ...     

聚晶立方氮化硼的制备方法及应用进展

对近年来国内外聚晶立方氮化硼(polycrystalline cubic boron nitride,PCBN)及其复合片的制备方法和工业应用进行了综述,主要介绍了烧结型、生长型和生长–烧结型聚晶立方氮化硼的制备方法;系统论述了采用直接转化法、钎焊法和一次烧结法制备聚晶立方氮化硼复合片的进展;并对聚晶立方氮化硼在汽车制造、轴承和超精密工具等行业中的应用进行了概述。最后,对聚晶立方氮化硼及其复合片未来发展方向进行了展望。     

金刚石和立方氮化硼工具的电子探针研究

运用电子探针X射线显微分析(EPMA)方法并结合XRD分析对金刚石和立方氮化硼(CBN)工具进行了研究,结果表明:在金刚石工具中,Co、Cu和Sn的元素相互均匀分布,三者形成了合金相,Co和金刚石的结合紧密程度好于Cu和Sn;金属基体与金刚石的界面上生成了一定量的Co2C,使金刚石和结合剂之间实现了冶金结合,大大增强了界面黏接强度.在立方氮化硼工具中,Sn、Ni、Cu、Co四种元素之间形成了合金,Sn、Cu、Co元素在CBN的周围均匀分布,和CBN结合紧密,但Ni和CBN界面的结合稍差一些;Co多的区域Cu相对少,Cu富集的区域Co相对少;Cu和CBN结合较好,Co和CBN在界面的结合不如Cu紧密.     

Process diagnostics during the deposition of cubic boron nitride

Using spatially resolved optical emission spectroscopy and Langmuir double probe technique, the magnetron deposition process of cubic boron nitride thin films has been investigated. The ion current to the r.f-biased susbstrate electrode was estimated by means of Bohm's sheath criterion. In order to deposit the cubic boron nitride phase, a much higher ion energy is required in the d.c. magnetron in comparison to the r.f. sputtering magnetron mode at usually applied target power. Furthermore, there is a significant phase inhomogeneity across the substrate holder. Both facts have been explained in terms of the total momentum per deposited boron atom. The plasma excitation degree (vibrational and excitation temperatures) determined by emission spectroscopy was found to be higher in the r.f. sputtering mode. It has been shown that both in situ techniques applied can supply reliable information on the reactive magnetron deposition process.     

立方氮化硼砂轮的研究与发展

介绍了国内外立方氮化硼（CBN）砂轮的性能和金属结合剂（含电镀和钎焊结合剂）、树脂结合剂和陶瓷结合剂CBN砂轮的特点,论述了CBN砂轮中磨料的处理及气孔组织的调控技术。阐述了目前国内在CBN砂轮制造水平方面与国外存在的差距,提出CBN砂轮的未来制造应向着超高速、绿色制造等方向发展。      

聚晶立方氮化硼（PCBN）的制备及应用研究进展

本文通过CBN与其他刀具材料的对比,指出PCBN的高硬度、高耐磨性和高热稳定性的特点.文献表明有结合剂的PCBN正朝着高断裂韧性、高耐磨性方向发展,同时尺寸越来越大,结合剂体系以金属陶瓷为主,其中陶瓷组分包括TiN、AlN、Si3N4、TiC等,金属有Co、Ti、Al等.无结合剂的纯PCBN和表面镀覆PCBN也正在积极研究中,高纯PCBN具有与纯CBN接近的力学性质.根据加工材料的成分和微观结构决定PCBN刀具的应用,努力使切割工具和工具材料标准化.     

准八面体CBN单晶的合成研究

通过对原料、触媒及合成工艺的研究,采用国产DS-029B型六面顶压机在4．2—5．3GPa,1350。1470℃的范围内,从hBN-单质触媒体系中合成出近乎完美的黑色八面体和截角八面体立方氮化硼单晶体。确定了该种形态的CBN晶体的生长区域。CBN晶体的尺寸在100—400μm,峰值粒度为125—150μm。对所得的晶体进行考察,发现这种CBN晶体结晶形貌发育比较完整、棱角尖锐、晶粒饱满,并且有较高的抗压强度。上述结果表明所用的单质触媒具有使CBN晶体均匀生长的能力,是一种合成CBN晶体的有效触媒,该种CBN晶体具有较好的破碎强度。