诱变育种选育高效产氢细菌

从自行研制的CSTR反应器中分离出一株产氢发酵细菌Ethanoligenens sp.ZGX4,以其为出发菌株,进行紫外和亚硝酸复合诱变选育,经过连续传代得到一株遗传稳定性很好的高效产氢突变株YR-3。在培养条件分别为36±1℃,初始pH为6.0,葡萄糖浓度为12g/L,其单位体积产氢量(Y_H_2)为3097.5mL/Lculture,产氢能力比对照提高70.5%,最大产氢速率为36.6mmol/g·drycell·h,比对照高出55.1%;发酵液相末端产物是以乙醇和乙酸为主的典型乙醇型发酵代谢类型。高效产氢耐酸突变体YR-3的释氢能力和产氢速率明显高于野生菌株ZGX4,显示了较强的商业应用潜力,也可为以后进一步探讨研究乙醇型细菌的制氢机制及代谢途径提供物质材料。     

发酵条件对发酵产氢细菌B49产氢的影响

采用间歇发酵实验，研究了葡萄糖浓度、接种量、温度、氮源、不同有机底物对发酵产氢产酸细菌新菌种IM9(AF481148 in EMBL)生物产氢的影响。结果表明，接种量影响IM9的产氢；IM9生长和产氢适宜温度均为35℃；IM9不能利用无机氮源，而有机氮是IM9生长、产氢的适宜氮源；葡萄糖是IM9发酵产氢的最适宜底物，当浓度为10g／L时，IM9的葡萄糖利用率为100％，氢气得率为1．69molH2／mol glucose；此外，IM9可利用小麦、大豆、玉米、土豆及糖蜜废水和啤酒废水产氢，其中利用糖蜜废水、啤酒废水产氢分别为137．9ml H2／g COD和49．9ml H2／g COD。     

三元硝酸熔盐高温劣化的化学热力学计算

就太阳能蓄热用三元硝酸熔盐53%KNO₃-7%NaNO₃-40%NaNO₂高温劣化问题进行了化学热力学计算。结果显示:熔盐中NaNO₂含量持续减少是热力学的必然结果。NaNO₂与O₂反应的△_rG^θ在327～727℃范围内从-91.17 kJ·mol^-1增大到-21.95kJ·mol^-1。NaNO₂分解为NaNO₃（1）、Na₂O（s）和N₂反应的△_rG^θ在327～727℃范围内从-30.73 kJ·mol^-1增大到-19.56 kJ·mol^-1。两个反应的△_rG^θ在熔盐使用温度范围内皆为负,意味着反应一定可以发生。熔盐可以在450℃下使用是由于反应处于动力学惰性状态。降低NaNO₂分解和氧化反应速度可适当提高熔盐使用温度。     

多晶硅太阳电池表面化学织构工艺

用化学腐蚀方法织构多晶硅片的表面，利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅片表面状态，通过反射谱的测试，分析了多晶硅片表面陷光效果。结果表明酸溶液腐蚀的硅片表面相对平整，有均匀的腐蚀坑，反射率很小。在没有任何减反射膜的情况下，在500-1000nm波长范围内，反射率在16％以下，有较好的表面陷光效果。而用碱溶液和双纪念品构腐蚀方法得到的多晶硅表面陷光作用都不很理想，反射率高于酸溶液腐蚀硅片，腐蚀后的硅片表面状态也不利于扩散和丝网印刷工艺。     

氨浓度对化学水浴制备ZnS薄膜的影响

以普通玻璃作为衬底用化学水浴法制备ZnS薄膜,溶液采用联氨体系。在沉积过程中,NH3浓度对ZnS薄膜本身的透明度、均匀性、平整性和透过性以及结晶性均有重要影响。采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、多功能高分辨率X射线衍射仪(XRD)和nkd-分光光度计等手段研究了不同氨水浓度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:当氨浓度不大于1.5mol/L、沉积时间不超过1.5h时,可获得综合性能较好、接近化学计量比的ZnS薄膜,同时在红移方向上得到在较宽波长波段内透过率可达到95%以上的薄膜。     

不同络合剂对化学水浴法制备ZnS薄膜性能的影响

研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳电池用ZnS薄膜性能的影响。研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子的络合能力最强,无法生成ZnS薄膜,而以肼与柠檬酸钠为络合剂时,成功制备成ZnS薄膜。结果还表明,采用柠檬酸钠为络合剂,在搅拌条件下制备出的ZnS薄膜适用于CIGS太阳电池的过渡层。最后实验利用FE—SEM、XRD、紫外—可见光吸收谱,透射谱和反射谱研究了ZnS薄膜的性能。     

热处理气氛对Cd2SnO4透明导电膜化学态结构和电导率的影响

研究了热处理气氛对用无电沉积方法制备的Ｃｄ２ＳｎＯ４导电膜的化学态结构和导电率的影响。Ｘ射线光电子能谱和室温电阻率测量结果表明，以氢气为热处理气氛时，薄膜中的氧空位最高，导电性好，真空处理次之，以氧气为热处理气氛时，氧空位少，薄膜的导电性能差。