关于声表面波器件的高分辨率光声显微术

本文报导了声表面波器件在76MHz光调制频率下,显微金属薄膜试验结构的光声成象,试样蒸发到YZ LiNbO_3晶体表面上,用锁模染料激光束的焦斑扫描,光产生的声表面波利用谐振叉指式传感器来检测.只要焦斑位置跟对应的压电信号同步就能产生试样的高分辨率光声成象(横向分辨率为5μm).     

采用声-光器件的频谱分析

本文提出利用声-光衍射的宽带电信号的实时傅里叶频谱分析.内容包括:频率色散、空间调制、加权函数、频率分辨率、旁瓣电平、光背景电平、声-光带形、正常的和双折射的声-光衍射、品质因素、衍射效率、非线性和假响应、动态范围以及输出特性.     

新型器件——声表面波、光、电一体化的器件

<正>据日本《电视学会志》1990年第4期报道,日本京都大学在世界上最早研制成把声表面波器件、电子器件和光电路集成在一块半导体衬底上的新器件.新型器件利用声表面波改变光前进方向的声—光效应,迅速处理不同波长的光信号,为将来发展声—光—电集成电路(AOEIC)奠定基础.     

SAW器件中的声-电-光效应

声光和电光器件可用于信号处理器件,如调制器、相关器和偏转器等许多领域内。这是由于大部分信号处理器都可用这两种类型的器件,故两种器件常常互相竞争。然而,可把这两种效应结合起来制成一种声-电-光器件。这样,就可克服它们各自本身可能存在的一些极限。这种器件可用体波器件或SAW来实现。SAW器件的结构可提供外加需要电场的各种各样的方法,例如,一种直流电压可施加到一种叉指换能器上。当光束通过换能器时,折射率的变化将以与等指换能器内发射的声波相同的方法使光衍射。唯一的区别就是光频内没有多普勒频移。如果现在一种声脉冲同时与光束相互作用,就可看到一种组合效应。电光互作用将影响受检脉冲的相位。在Y-切,Z传的LiNbO_3中,采用一种脉冲调制的55MHz的声信号和Y-偏振光,加5V电压在电光换能器上,就会迫使一阶衍射为零。加10V电压就会导致相位反相,因而产生负的脉冲。对于二阶衍射,其效应可增大受检脉冲的振幅。这种互作用为研制卷积器、相关器和调制器开辟了新的途径。用复合式电-光换能器可获得加权函数,卷积和相关间的唯一区别就是声波的方向不同。本文的目的是分析并阐明在SAW器件中的这一原理,并将讨论其不同于电光和声光器件的优越之处。     

使用声-光器件的高速实验印刷机

齐尼思无线电公司的声-光研究小组将激光、超声技术和照像纸结合起来,制出一台每秒能印十万个以上字符的实验印刷机。这样高的印刷率,当然是由于除了纸页驱动装置之外不用机械移动装置的结果。该印刷机在原理上类似于阴极射线示波管的读出方法。一条激光束以由一偏转力（超声激光扫描器）所决定的速率水平地进行扫描。信息由调制器在光束上编码,并显示在干处理的照相纸上。     

真空微电子学和冷阴极平面显示器件

一、真空微电子学及其应用领域真空微电子学是近年来迅速崛起的一门新学科。它是指采用集成电路中的精细加工技术制造的微型冷阴极电子源,并以此为基础制作如表1所示的各种高频放大器、集成电路和显示装置等的学科。1988年被国际电气和电子学工程师学会(IEEE)的电子器件学会(Electron Device Society)所承认,并举办了第一次“国际真空微电子学会议(International VacuumMicroelectronics Conference),并在国际电子器件会议(IEDM)中设置了一个议题。国际真空电子学会议(CVMC)开过三次,各国论文发表状况如图1所示。本文将以国际会议的论文为中心,阐述以微型冷阴极     

光声探测——新的吸收分光法

过去，在理化学计测的领域中使用光的大多数测量法，由于测量系统的噪声加之光源的单色性差，以及单位面积的光强弱等原因，使其测量限度受到限制。然而，迄今为止似乎认为根本不可能实现的测量限度，由于激光的出现，运用其具有的单色性、高功率密度等性质，已经能够达到的例子是不少的。最近的利用光声效应的低浓度气体探测法就是其中之一例。     

声表面波器件

作为声表面波(SAW)技术的应用实例,本文描述了滤波器和信号处理器件的现状.文章特别提到,可将波控制在表面的电极构成法和微细加工技术的进步与SAW器件的发展背景密切相关,今后的目标之一就是期待SAW器件能以其模拟信号处理功能与数字器件并存发展.     

光波导器件

中国光学期刊网——我国光电行业旗舰型光电网络服务平台。其宗旨是为会员提供更好的光电资讯、文献情报、展会、培训及光电产品等相关服务,也是服务于读者、作者、专家、企业的期刊数字出版服务平台。     

光接入网与光器件

阐述了接入网在电信网中的重要地位、光接入网的拓扑结构和无源光网络的关键技术，对光接入网所使用的光器件也作了全面的介绍。     

光器件市场预测

复用解复用器件的全球市场下降22%根据Strategies的最新研究报用于电信工业的DWDM复用解2001年将下滑。原因主要有DWDM设备的新订过多的器件库存和价格下跌。据估测,2000年的全球市场为亿多美元。题为“2001-2005年的复用解复用器件和模块：（阵列波导光栅）、薄膜、FBG和衍射光栅”的报不同设备2000年,复用解复用器件的销售为2001年带来了许多新的现在约有70多个厂商能向该但是大多数不能提供明年活下来的可能几乎没有。始终是这个市场的领占据了66%的份额,而且在每当前,北美地区主导着这个市84%以上的收入都流入到它们的报告将复…     

一种新的光无源器件——光环行器

有线电视建设初期,由于光缆的价格较高,有时一个用户点只分配了一条光纤。因而双向业务开展以后,就没有回传光纤可用了,只好重新敷设光缆。能不能用简单的方法,在一条光纤中实现正、反双向光传输呢? 近年来,一种新的光无源器件——光环行器得以普遍应用,解决了在同一条纤芯中,实现正、反双向传输的问题。值得提出的是,用光环行器实现双向传输,可以使用同一波长的光,而不必波分复用。这给一条     

光联网中的光开关器件

光联网是当前光网络的发展趋势,光联网的实现主要依赖于光开关、光滤波器、光放大器等关键光电子器件和密集波分复用等系统技术的进展。光开关是实现光交换的关键元器件,被广泛应用于光层的路由选择、波长选择、光交叉互连以及自愈保护等功能,主要应用包括:     

低温微电子器件和电路——微电子学的研究前沿

一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学单独作为一学科发展方向问世,主要由以下几方面的因素促成:1.过去二十年来,集成电路的集成度每十年增加100倍,目前代表性产品是兆位动态随机存储器,集成度达到每芯片数百万个元件.由于CMOS电路独特的低功耗,高抗干扰能力等特点,已成为八十年代超大规模集成电路的主流工艺和技术.集成度的不断提高和器件尺寸的不断减小,正向其极限逼近.到九十年代初期,光学图形转移技术将会达到极限:     

微电子学和有关分立器件与材料的发展研究

本文对功能半导体材料硅、砷化镓、磷化铟材料、硅基和Ⅲ－Ⅴ族基的超晶格量子阱及其新型功能材料（超导、金刚石、多孔硅等）进行介绍分析，提出发展建议和措施。     

新的功率MOSFET器件

安森美半导体(ON Semiconductor)推出6款新的通过AEC-Q101认证逻辑电平单通道功率MOSFET,用于汽车模块,采用小型扁平引脚(FL)封装。这些器件采用5 mmx6 mm SO-8FL封装及3.3 mmx3.3 mm WDFN-8封装,占位面积比业界标准DPAK封装小50%或以