多芯片组件光互连的实现途径

着重讨论光互连技术在多芯片组件中的潜在应用。分析结果表明光互连技术在多芯片组件中应用应包括：组件的输入、输出、时钟分布以及内部芯片间互连等。     

光电子多芯片组件中光互连能量分析

分析了光电子多芯片组件内自由空间光互连的单位比特能量需求 ,并与片间电互连情况进行了对比 ,最后给出了多芯片组件内光 -电互连能量平均转效的互连线长( break- even 1 ine)。     

关于多芯片组件的可靠性研究

多芯片组件（ＭＣＭ）技术已是整机系统实现小型化、多功能化、高性能和高可靠不可缺少的技术途径。对ＭＣＭ可靠性的研究也成为当前重要的研究课题。ＭＣＭ可靠性的研究主要针对四个方面：（１）多层基板布线金属与隔离介质界面结构和反应状况；（２）层间互连通孔的互连可靠性；（３）环境应力研究；（４）表面组装焊接部位的应力分析。本文简述了国外就ＭＣＭ－Ｄ在上述方面的研究概况，并提出我国多芯片组件可靠性研究的发展建议     

多芯片组件技术

介绍了多芯片组件的种类、材料，多芯片组件用的互连技术，自动化设计。     

多芯片组件带网孔接地板多导体互连线结构的电磁特性分析

本文给出一基于准静态场的直线法,来分析多芯片组件（ＭＣＭ）带有网孔接地板的多层多导体互连线结构的分析方法,以此提取等效传输线的特性参数。最后给出几个实例的计算结果。     

基于BCB的薄膜多层基板在毫米波T/R组件中的应用

基于BCB的薄膜多层基板具有优异的高频特性,是毫米波频段多芯片组件集成封装的重要途径。研究了BCB薄膜多层基板在Ka波段相控阵雷达T/R组件中应用的可行性,首先与LTCC基板对比验证了BCB微带线的传输特性,然后研制了功率分配/合成器、穿墙过渡等关键微波无源电路,最后设计了八通道的无源组件进行微波性能测试评估,结果表明基于BCB的薄膜多层基板能够满足应用需要。     

VLSI／ULSI集成电路多层金属互连技术

随着半导体微电子器件制造技术迅速发展，多层金属互连技术对于提高器件集成度、速度和可靠性更为重要，需要不断发展新型多层金属互连结构、材料和工艺，本文介绍近年正在发展的一些多层金属互连新技术，如多层复合金属化体系、Ｃｕ等新型薄膜互连材料，ＴｉＮ在互连技术中的多种用途，新的介质薄膜材料及工艺、平坦化技术等。     

多芯片组件中信号传输的研究

首先对多芯片组件互连线进行建模，然后通过对ＭＣＭ互连线传输函数的降阶分析，给出了含负载情况下信号实现“快速”和“平稳”传输的互连长度及传输延迟计算算式，结果与ＳＰＩＣＥ模拟结果相吻合。     

多芯片组件互连延迟的建模及其解

多芯片组件中互连线必须采用完整的ＲＬＣ分布参数模型，要得到关于这样的传输线上的既准确又有效的延迟的解比以往建立在ＬＣ或ＲＣ线模型上的求解更具有综合性。分别采用三种不同的技术对多芯片组件互连延迟进行建模，并给出了相应的解。     

平面电桥薄膜多层互连制造工艺研究

本文主要介绍了电桥的分类、设计及详细的薄膜多层互连制作工艺，并对运用薄膜多层互连工艺制作的电桥的性能进行了测试，最后对制作过程中出现的问题进行了探讨。     

LTCC微波多芯片组件中键合互连的微波特性

键合互连是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术,键合互连的拱高、跨距和金丝根数对其微波特性具有很大的影响。本文采用商用三维电磁场软件HFSS和微波电路设计软件ADS对低温共烧陶瓷微波多芯片组件中键合互连的微波特性进行建模分析和仿真优化。仿真优化结果与LTCC试验样品的测试结果吻合较好。     

光电子多芯片组件中MIN系统的划分算法

研究光电子多芯片组件中基于自由空间光互连实现的多级互连网络（ＭＩＮ）处理单元划分算法,指出该划分算法可以看作是二次指派问题（ＱＡＰ）,为此提出一种新型的混合算法,并给出了算法运用实例。     

多芯片组件可连延迟的建模及其解

多芯片组件中互连线必须采用完整的ＲＬＣ分布参数模型，要得到关于这样的传输线上的既准确又有效的延迟的解比以往建立在ＬＣ或ＲＣ线模型上的求解更具有综合性，分别采用三种不同的技术对多芯片组件互连延迟进行建模，并给出了相应的解。     

光学互连与光电子多芯片组件

高性能的电子系统中，其内部互连网络所产生的影响对系统性能的作用表现得尤为明显。随着系统集成朝着更大规模的方向发展，电子系统内部电路的互连延迟已经成为限制其发展的主要障碍之一。光互连技术以其独特的传输性质对克服电互连产生的问题有较好的针对性。本文介绍了几种光学互连方式以及采用光互连方式的光电子多芯片组件。     

一种低成本高密度的高速数模混合微系统集成

提出了一种全金属管壳封装、双面布局6层布线的叠层多芯片组件微系统结构,以实现500MHz高速数模混合微系统集成,并借助SpecctraQuest软件仿真了基板上关键互连线的传输特性.     

一种低成本高密度的高速数模混合微系统集成

提出了一种全金属管壳封装、双面布局/六层布线的叠层多芯片组件微系统结构,以实现500MHz高速数模混合微系统集成,并借助SpecctraQuest软件仿真了基板上关键互连线的传输特性.     

MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点，并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性。说明了多层布线互连退化的模式和机理，以及防止互连退化的技术措施，实验分析表明，Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是，Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后，被氧化腐蚀，导致互连电阻增大，而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散，导致PI绝缘电阻下降。     

分析多芯片组件互连延时的一种新方法

随着多芯片组件工作频率的不断增加，信号延时受互连的影响越来越大，互连已成为决定系统性能的主要因素。延时与冲激响应有着密切的联系，本文采用系统冲激响应的低阶矩，基于双极点近似对互连的延时特性进行了研究。与已有的方法比较，本文的方法提高了极点选择的稳定性，适用于复杂的互连网络。举例证明了这种方法的有效性。     

微波多芯片组件中垂直通孔互连的研究进展

随着微波多芯片组件密度的不断提高,微波互连的不连续性成为制约其整体性能的瓶颈。从垂直互连通孔入手,介绍了垂直通孔互连的矩阵束矩量法、时域有限差分法、边基有限元法以及微波网络模型法和CAD模型法,分析了这些方法已经取得的结果,并指出了这些方法的优缺点。通过比较分析,认为时域有限差分法和边基有限元法是分析互连通孔最有优势的方法。     

3-D叠层芯片封装技术

超大规模集成电路(VLSI)技术的不断革新要求 IC 产品和其它系统元素之间的互连数目不断增长,而且互连线要短,电信号线仍将维持大容量和高速度。为了跟上 IC 对封装的速度和密度增长的要求,需要更多地使用薄膜多芯片组件。这里推荐一种既能满足将来的要求又能突破先前已有方法的局限性的3-D 叠层技术。