氮化硅膜的生长及其性质

氮化硅是一种优良的介质膜,它的结构致密、硬度大、化学稳定性好,对于B、P、Sb、Al、Zn、O_2、Ga、In有很好的扩散掩蔽能力,特别是对钠离子的移动有很强的阻挡能力。此外由于二氧化硅极易被氢氟酸付蚀,却难于被高频气体等离子体刻蚀,反之氮化硅易于被高频气体等离子体刻蚀,却难于被氢氟酸付蚀。因此氮化硅膜层的应用在表面钝化,予对准和等平面隔离等工艺中得到了发展。     

氮化硅膜的氧化与氧氮化硅膜

自从1965年第一次成功地制备用于微电子学的氮化硅膜以来,对氮化硅膜的制备工艺、结构、性能、使用条件进行了广泛研究。研究最多的问题之一是氧对氮化硅膜的影响。从初期发现氮化硅膜对氧的掩蔽能力,到1968年以来对氧氮化硅膜的大量研究,从70年代对氮化硅膜的氧化性质的观测和探讨,到用各种粒子谱仪对氧沾污的直接分析等等,都是探讨氧对氮化硅膜的作用。 氧对氮化硅膜的作用,通常有两种不同的形式:一种是少量氧在氮化硅膜的形成过程中结合进氮化硅膜,改变膜层的理化性质。另一种是大量氧化剂在氮化硅的使用过程中与之发生由表及里的氧化反应。本文的目的是分别评价这两方面的研究结果。     

氮化硅钝化膜的制备和应用

利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积技术在超高频大功率晶体管芯片表面沉积Si3N4钝化膜,实现了芯片的Si3N4薄膜钝化.对钝化前后的芯片测试表明,芯片经钝化后电特性有较好地改善,提高了反向击穿电压,降低了反向漏电流,提高了芯片的成品率.     

低温下氮化硅膜的制备及特性的分析研究

本文阐述了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮化硅膜的生长原理和方法;对于在不同衬底,如Si,特别是GaAs和金属膜上淀积氮化硅膜的各种影响因素进行了理论和实验分析;针对GaAs上淀积氮化硅膜的特殊现象提出了新的解释;推导出了SiN膜性能参数Si/N、折射率、Si-H键和N-H键密度等量之间关系的经验公式;研完了MNM电容上下电极对SiN性能的影响,指出用Ti-Pt-Au做下电极,Al做上电极可以提高电容耐压;确立了优化的条件,在较低温度(200～300℃)下生长出了氧含量极低、致密耐击穿电压高的优质SiN膜,该介质膜实用于半导体单片集成电路和高耐薄膜电容。     

低压化学气相沉积制备低应力氮化硅膜的研究

采用低压化学气相沉积方法,通过改变工艺气体配比,在硅衬底上生长低应力氮化硅薄膜。用应力仪、椭偏仪对生成的氮化硅薄膜的应力、生长速率、均匀性、折射率及腐蚀速率等进行实验。实验结果表明：低应力氮化硅薄膜制备的关键是增大DCS和NH₃的配比,配比越大,生成的氮化硅薄膜应力越小,折射率越大,耐酸腐蚀能力越强,致密性越好;但随着配比增大,生成的氮化硅薄膜均匀性变差。选择合适的工艺气体配比可在硅衬底上制备出高质量的低应力氮化硅薄膜。     

高阻光敏CdS膜的制备与性质

采用真空蒸发工艺,用掺杂(Cu)敏化和H_2S热处理敏化两种制备方式获得了高阻光敏CdS膜,描述了CdS膜的性质及其与制备参数的关系。     

聚酰亚胺液晶垂直取向膜的制备与性质

虽然传统的平行取向技术已广泛应用于液晶显示器的生产,但其存在窄视角、低对比度和慢响应时间等问题,因此液晶分子的垂直取向技术在国外已经被广泛研究。在实验中,一种含有液晶结构侧链的聚酰亚胺通过均苯四羧酸二酐(PMDA),4,4′-二胺基二苯甲烷(MDA)和4-己氧基联苯酚-3′,5′-二胺基苯甲酸酯(C6BBDA,实验室自制)共聚被制备,并且被用作液晶取向膜,研究其取向性能。试验发现,该种聚酰亚胺作为取向膜可以诱导液晶分子垂直取向,即使在摩擦之后依然可以获得大于89°的预倾角;使用正交偏光显微镜观察所制得液晶盒中的液晶取向效果,发现垂直取向均匀良好;为了测试该垂直取向的热稳定性,将制备的液晶盒在120℃下烘烤12h后,偏光显微镜下观察发现垂直取向仍然良好均匀,表明该取向膜具有良好的热稳定性。     

光学设备检测氮化硅膜厚

氮化硅膜的厚度对于太阳能电池片的转换效率有着比较重要的影响。使用光学设备可以大大加快检测氮化硅膜的速度。为了证明其检测的精度以及可靠性,并普及这种新颖的检测方式,作者首先从理论上验证了氮化硅膜的颜色可以通过光学设备区分开来。其次,通过大量的实验数据对比之后证明了氮化硅膜的颜色与厚度是成线性关系的,并得到了相关的线性曲线图。最后,作者将光学设备所得到的检测结果与目前最普遍的椭偏仪设备的检测结果做比较,证明了光学设备的检测结果完全可靠精确。从而得到结论,使用光学设备检测太阳能电池片的氮化硅膜厚度不仅结果精确可靠,而且在速度上也有很大提升。     

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构.视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等.利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测试结果和透射电镜观测结果,分析了富硅型SiNx膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响,对富硅型SiNx膜的LPCVD生长工艺进行优化,大大降低了膜的张应力,无支撑成膜面积可达40mm×40mm.通过这一研究结果,实现了LPCVD可控制生长确定张应力的SiNx膜.     

LPCVD制备纳米硅镶嵌结构氮化硅膜及其内应力

报道了在采用 L PCVD法制备的富硅 Si Nx 膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构 .视生长条件和工艺不同 ,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等 .利用不同条件下生长的 Si Nx 膜的应力测试结果和透射电镜观测结果 ,分析了富硅型 Si Nx 膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响 ,对富硅型 Si Nx 膜的 L PCVD生长工艺进行优化 ,大大降低了膜的张应力 ,无支撑成膜面积可达 4 0 m m× 4 0 mm.通过这一研究结果 ,实现了 L PCVD可控制生长确定张应力的 Si Nx 膜     

PECVD氮化硅膜的微电子学特性

利用电子极化的劳伦茨-劳伦兹关系研究了PECVD氮化硅膜的组分(Si/N).生长条件的变化导致薄膜的Si/N比率千差万别.采取C-V测试和高温准静态离子电流测试对不同Si/N比率的氮化硅膜的微电子学特性进行了探讨.     

光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质

采用红外吸收光谱(TR)，俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)，二次离子质谱(SIMS)及气相色谱等方法对光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行了分析。     

LPCVD制备氮化硅薄膜工艺

氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性,在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特性,详细介绍了低压化学气相淀积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）LPCVD制备氮化硅的工艺。工艺制备中通过工艺参数的调整使批量生产的淀积膜的均匀性达到技术要求。     

氮化硅膜的生长方法及其特性

本文介绍不用氨而采用硅烷与氮气反应制取氮化硅膜的方法及膜的特性。通常,用氨来制取氮化硅,不容易去掉残留水气与碱沾污,温度往往高于600～900℃。本文报道的新的氮化硅膜的制法如图1所示,是在250～600℃的低温下,利用射频     

氮化硅膜的等离子淀积工艺

一、引言 等离子氮化硅膜已成功地用于双极和LSI MOS器件的钝化。 在半导体器件制造过程中,必须控制表面沾污。通常是采用钝化膜防止杂质渗入。钝化膜又分为,一次钝化和二次钝化。一次钝化的目的是控制和稳定半导体器件表面的电性能。硅器件的一次钝化膜通常是SiO_2,例如,加HCl热生长SiO_2成功地控制了钠离子。二次钝化层在氧化层金属化的互连及端点上提供化学、机械保护,阻挡可动离子和水蒸汽渗入;防止后工序划伤铝布线。因而可以提高可靠性和成品率。二次钝化也叫最后钝化膜,它必须满足以下要求: (1) 材料本身必须是一种优良的介质膜。热和化学稳定性好、针孔少、绝缘性能好、硬度大,对器件能提供化学和机械上的保护。     

离子束增强沉积氮化硅膜的分析

在电子束蒸发沉积硅的同时用25KeV氮离子进行轰击，在GH37合金表面合成Si3N4膜，用IR、XRS、XRD、TEM和AES-PRO对膜的组分和结构进行综合分析，表明离子束增强沉积（IBED）积成的薄膜之化学式为Si3N4，膜的主要结构是无定形态，局部区域存在少量Si3N4、Si2N4O、SiO2晶体和多晶Si。膜和基体之间存在一个大约50nm的界面混合区。     

PECVD制备氮化硅薄膜的研究

采用PECVD法制备了氮化硅薄膜,探讨了沉积参数对氮化硅薄膜折射率的影响和衬底温度对氮化硅薄膜形貌和成分的影响规律。结果表明,不同的NH3流量可改变反应腔体内的氮硅比,对氮化硅的折射率,即减反射性能影响较大;衬底温度是影响氮化硅薄膜形貌和成分的主要因素;在衬底温度达到400℃时,形成了白色团状或岛状的氮化硅膜。