TE平面波照射具有阻抗表面的导体劈绕射的一致性几何绕射公式

本文给出了TE平面波照射具有阻抗表面的导体劈绕射的一致性几何绕射公式。计算了涂覆有耗介质的矩形导体平板的后向雷达散射截面,计算结果与测量值一致。     

柱形体加载的导体劈的解析解与数值解

分析了任意柱形体加载的导体劈的电磁场边值问题.对于某些特定形式的加载导体劈问题,导出了严格的解析解,从而为进一步发展几何光学绕射理论提供了一类新型的典型问题的解析解.对于一般形式的柱形体加载导体劈问题,则提出了基于‘全域数值边界条件'的有限元解法,为丰富几何光学绕射理论,尤其为发展‘数值绕射系数'理论提供了新的理论途径和计算方法.     

平顶斜边障碍物的绕射场

利用Ｆｒｅｓｎｅｌ－Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ原理得到了计及地面反射时多刃峰绕射场求解公式，用该式对导体劈、平顶直边和平顶斜边障碍物绕射场进行了求解。导体劈与平顶直边障碍物绕射场的数值结果分别与ＧＴＤ和Ｊ．Ｈ．Ｗｈｉｔｔｅｒｋｅｒ的理论所得结果和实验结果进行了比较。本文所给公式简洁，物理概念清晰，克服了ＧＴＤ处理过渡区场的困难，便于工程技术中应用。     

MoM/PO混合法中劈绕射电流基函数研究

论文给出了Bilow所提出的绕射电流基函数的理论依据,并把这种电流基函数和Burnside所提出的绕射电流基函数作了比较.考虑到绕射理论和基本电磁理论场量关系,对Bilow绕射电流基函数在过渡区和非过渡区分别进行了修正,提出了新的绕射电流基函数.三种基函数模拟的结果和理想导体劈绕射的解析解进行了比较,证明目前所采用的基函数精度最高.     

阻抗劈的UTD公式(TM情形)

本文给出了TM平面波被一照射面为阻抗表面的导体劈绕射的一致性几何绕射公式.利用该公式,我们计算了涂覆有耗介质的矩形平板的后向雷达散射截面,计算结果与测量值吻合较好.     

导体楔加载有损圆柱体的绕射的散射场

利用展开系数法解析了导体楔加载有损圆柱体的绕射和散射场，并且以媒质参数，圆柱体半径，楔的角度为参变量，对绕数射场进行了数值计算，并对数值计算中级数解的收敛性进行了讨论。     

理想导体半圆柱TE波散射的混合法解

本文应用混合技术分析了在TE平面波激励下,理想导体半圆柱的双站散射。该混合技术是把半圆柱劈附近的电流表示为未知数,圆柱曲面上的一阶电流应用Fock理论求解,高阶绕射电流表示为含有未知系数的Fock型函数。圆柱平面上的一阶电流用物理光学近似和曲劈的一致性几何绕射理论得到。劈的二阶绕射电流表示为含有未知系数的GTD形式。然后通过磁场积分方程,运用简单矩量法求得劈附近的电流和未知的绕射系数。最后计算了理想导体半圆柱的双站散射截面,结果与矩量法的结果吻合得相当好。     

电磁波对导体绕射问题的渐近解

本文应用萨温(Г.Н.Савин)扰动形式的映射函数处理电磁波绕射导体的二维问题。提出了渐近求解这一问题的一般方法及相应的渐近公式,特别是基于圆柱形导体的渐近,文中给出了0级及1级渐近解的具体算式。     

圆柱导体上天线的辐射特性及互耦分析

基于几何绕射理论,计算了位于导体圆柱上的单极子天线和惠更斯元面天线的辐射方向图;利用该方向图,分析比较了不同天线之间的隔离随天线指向的变化情况。结果表明:选择适合的天线类型及适合的安装角度能够改善天线间隔离度;几何绕射理论是解决导电圆柱体上天线的辐射问题的一种有效方法;应用远区辐射场的方向函数估算耦合系数是一种简单可行的方法。     

具有半导电层同轴电缆的工作场强

在高压脉冲电缆中大部份在绝缘介质和导体之间有一层半导电层。半导电层的形式有涂胶体石墨,有绕包(金属化纸带,加碳黑纸带,半导电塑料带及橡胶带);有挤出(半导电塑料,半导电橡胶)等。其目的首先是均匀导体表面的场强,提高电缆耐电压水平。特别是在编织导体上半导电层能均匀导体尖端的高电场强度,使编织导体单线之间及编织层与绝缘介     

用UTD方法分析电大导体表面上缝隙天线间的互耦

采用一致性几何绕射理论(UTD)结合互易定理准确分析了复杂电大导体表面上缝隙天线间的互耦。UTD是高频方法，对于解决电大系统问题十分有效。本文用UTD方法计算了电大导体圆柱面上缝隙天线间的互耦，与已有文献结果吻合得很好，对实际工程有一定的指导意义。     

电子线材的发展前景

本文从电子线材的导体及根据电子线材的结构所分的裸金属线，漆包线，绕包线三大类品种阐述这门行业的发展前景。     

我国首台大型铌锡线圈热处理炉系统研制成功

<正>日前,我国首台井式真空充气保护大型铌锡线圈热处理炉系统(以下简称铌锡热处理系统)在合肥安装调试成功。该系统专门设计用于对由管内电缆导体绕制的铌锡线圈进行热处理以生成铌锡超导线圈,也可用     

复杂电磁环境中线天线近场数模预测

本文应用矩量法和几何绕射理论的混合技术及矩量法的稀疏技术详细分析和计算了多导体同时存在的复杂电磁环境中线天线的近场。理论值与实验数据进行比较，两者基本吻合。     

复杂电磁环境中线天线近场数模预测

本文应用矩量法和几何绕射理论的混合技术及矩量法的稀疏技术详细分析和计算了多导体同时存在的复杂电磁环境中线天线的近场，理论值与实验数据进行比较，两者基本吻合。     

用MM／GTD法分析同轴型底部加载天线

本文用混合法——MM(矩量法)和GTD(几何绕射理论)相结合,分析位于有限接地平面或导体台阶上的同轴型底部加载天线。计算了天线的电流分布和输入阻抗,计算结果与实测值吻合较好。     

Grey Knight（灰武士）入墙电源线DS-2.0/DS-3.0

英国制造的Grey Knight灰武士最新型号DS-30及DS-2.0 IN-WALL POWER是专门为入墙而设计的高级电源线．以6N多股纯铜作导体,采用双重密集式编织屏蔽铜网,对抗外来EMI／RFI电波干扰能力特强,抗干扰系数达至99％以上．音乐背景异常宁静．昼面噪声特别低．音响数据非常中性．三频表现平均,影像方面,色彩自然,平衡度高。每柱灰武士导绕采用至少50多股6N纯铜作导体．而水绕面积分别达到4mm（DS-2.0）及6mm（DS-3.0）．     

电大尺寸导体附近线天线的辐射方向图研究

采用一致性几何绕射理论分析了电大尺寸导体对其附近的对称振子天线辐射方向图的影响,计算了在三种不同环境下的天线方向图,结果与软件(FEKO)仿真结果吻合良好.为分析工程中复杂的电大尺寸目标,提供了重要的参考依据.     

有限长导体圆柱的后向散射极化分析

应用物理光学法(PO)和增量长度绕射系数法(ILDC)推导并计算了有限长导体圆柱的后向散射极化矩阵,进而分析了目标的特征极化参数和入射角之间的关系,并给出相应的数值仿真结果,对于应用目标的极化特性进行目标识别具有一定的参考价值.     

HFSS/UTD混合法计算电大尺寸导体上的天线

采用高频方法一致性绕射理论(UTD)与电磁场计算软件HFSS相结合的方法,提高HFSS在计算电大尺寸导体上的天线时的效率和精度。文中以圆形地面上的单极子天线为例,说明了该方法的实用性。