分子束外延砷化镓单晶薄膜

MBE GaAs单晶薄膜的载流子浓度(1.8-8)×10~(16)cm~(-3),室温迁移率 3000-5000cm~2/V.3最高达5466cm~2/V.s,相应的77K迁移率为1.59 ×10~4cm~2/V.s.对高杂质浓度的外延层进行了阴极荧光(4.2K) 和SIMS 测量分析.     

连续波Nd:YAG激光对人皮肤损伤阈值的研究

连续波1.06μm激光的损伤阈值经过动物实验及人皮肤实验.最后结果:中国人皮肤偏白者MRD_(50)为65.519J/cm~2,黄皮肤为60.989J/cm~2,偏黑者52.321J/cm~2.实验证明,皮肤色素的多少对Nd:YAG激光的吸收有明显的差异.     

CO_2激光对角膜损伤阈值的研究

用连续CO_2激光器,照射青紫蓝灰兔眼142只.求得平均照射时间1.03秒,角膜损伤阈值ED_(50)(?)5.72W/cm~2(95%可信限5.58～5.85W/cm~2);平均照射0.12秒,ED_(50)(?)10.7W/cm~2(95%可信限10.4～10.9W/cm~2).     

ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究

在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm~2/V.s及 200 cm~2/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10~(-10)A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.     

CO_2激光对兔眼角膜损伤阈值的研究

本文介绍连续CO_2激光对青紫蓝灰兔角膜损伤阈值研究的材料、方法和结果.辐照1秒,ED_(50)为3.62W/cm~2;辐照125ms,ED_(50)为4.01W/cm~2.     

Ti_xY_(1-x)Ba_2Cu_3O_(7-y)的远红外反射光谱

报道了非稀土元素Ti部分替代稀土元素Y的Ti_xY_(1-x)Ba_2Cu_3O_(7-y)(x=0.2,0.4)超导体的远红外反射光谱.观察到至少7个声子结构,分别位于136cm~(-1)、154cm~(-1)(或151cm~(-1))、193cm~(-1)、230cm~(-1)、280cm~(-1)、293cm~(-1)和337cm~(-1)(或345cm~(-1)).结果表明,该超导体的能隙值2⊿≈198cm~(-1),对应2⊿/k_BT_C≈3.4.还对声子结构的物理起因作了探讨.     

He—Ne激光辐照甜橙种子后对其细胞学影响的研究

用22.6J/cm~2、45J/cm~2、90J/cm~2的He-Ne激光辐照甜橙种子,通过检查根尖、茎尖有丝分裂中染色体的行为,发现经辐照的材料有丝分裂异常率均高于对照组.在辐照剂量内,异常率随辐照剂量的增加而提高.实验还表明,经辐照的材料,有的细胞染色体数目成倍增加,细胞有丝分裂后期表现异常,同时,还出现多极分裂现象和间期细胞出现微核等细胞学效应.     

水平法生长GaSb单晶的研究

本文采用独特的工艺和装置,用水平法研制GaSb单晶.已获得不掺杂p型晶体,室温下其载流子浓度和迁移率分别为1.0～1.7×10~(17)cm~(-3)和630～780cm~2/V·s;渗Te的n型单晶两者分别为1.4×10~(18)cm~(-3)和2690cm~2/V·s,成晶率大于50%.本文还探讨了研制过程中存在的几个问题.     

离子注入CO_2激光退火硅中的深能级缺陷

在注As硅中观察到7个深能级谱峰.CO_2激光退火是消除离子注入引入的深能级缺陷的有效方法.消除深能级缺陷的功率密度范围为 350W/cm~2-600W/cm~2与注入杂质激活的功率密度范围基本一致.功率密度高于600W/cm~2的CO_2激光扫描,在样品中引入比较单纯比较清洁的滑移位错.用DLTS测量,测得滑移位错的深能级为H(0.33eV).     

炉内大容量合成高纯InP

介绍了在高压单晶炉内每次直接合成1000g InP的新工艺。对合成的InP进行测试表明,非掺杂InP的载流子浓度一般为3～6×10~(15)cm~(-3),迁移率4200cm~2/V.s以上,最高可达4700～4900cm~2/V.s,其纯度优于用水平法(HB)合成的InP。     

绿敏光致聚合物的脉冲全息记录性能增强研究

对绿敏聚乙烯醇／丙烯酰胺体系的光致聚合物材料开展了光敏剂浓度、单脉冲能量密度、脉冲重复频率、非相干光预曝光等参数优化及脉冲全息记录性能增强研究,发现曙红Y染料浓度为3×10-5w／v时需要310mJ／cm2的曝光量可达到79％的衍射效率,单脉冲能量密度为0．35mJ／cm2时仅需122．5mJ／cm2的曝光量即可获得92％的衍射效率,提高脉冲激光重复频率及采用非相干预曝光对材料的最大衍射效率无明显提高,但可以有效提高材料的感光灵敏度,预曝光量为50mJ／cm2时可将光致聚合物材料的感光灵敏度从105nd／cm2提高到52．5mJ／cm2。     

激光辐照TiO2/SiO2薄膜损伤时间简捷测量

为了测量激光辐照薄膜的起始时间,采用了一种简洁易行的测量方法,利用波长1.06μm和1.315μm连续激光以及1.06μm单脉冲激光辐照典型薄膜光学元件,通过探测器接收激光脉冲信号和薄膜表面的激光反射信号,薄膜表面反射信号在激光辐照过程中的某个时刻发生突变,发生突变的时间对应着薄膜发生损伤的时间。得到1.06μm连续激光强度为7133W/cm2时,反射信号在0.8 s发生突变,强度为11776W/cm2时,反射信号在0.4 s发生变化;1.06μm单脉冲激光能量为48.725mJ,97.45m J,194.9m J时,薄膜损伤时间为3.63ns,2.727ns和1.09ns;1.315μm连续激光强度为2743W/cm2时,反射光信号在辐照时间t=3.44 s发生突变;强度为4128W/cm2时,薄膜表面反射光信号在辐照时间t=1.44s发生突变。结果表明,通过测量薄膜表面反射信号的突变来确定薄膜损伤的起始时间,对于薄膜抗激光加固,以及提高光电系统的抗激光能力有着重要的意义。     

非晶硅薄膜的准分子激光晶化研究

利用Kr准分子激光器晶化非晶硅薄膜, 研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄膜晶化效果的影响.利用X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化前后的样品的物相结构和表面形貌进行了表征和分析.实验结果表明, 在激光频率为1 Hz 的条件下, 能量密度约为180 mJ/cm2时,准分子激光退火处理实现了薄膜由非晶结构向多晶结构的转变;当大于晶化阈值180 mJ/cm2小于能量密度230 mJ/cm2时, 随着激光能量密度增大, 薄膜晶化效果越来越好;激光能量密度为230 mJ/cm2时, 晶化效果最好、晶粒尺寸最大, 约60 nm, 并且此时薄膜沿Si(111)面择优生长;脉冲次数50 次以后对晶化的影响不大.     

308nm准分子激光剥离聚酰亚胺薄膜实验研究

为了研究聚酰亚胺薄膜在308nm准分子激光下的剥离效果, 采用实验研究的方法, 分别探究了激光能量密度、光斑重叠率、脉冲频率、衬底温度对激光剥离效果的影响, 并结合显微镜观察剥离后的衬底和薄膜形貌。结果表明, 激光剥离能量阈值约为160mJ/cm2, 在激光能量密度为180mJ/cm2~190mJ/cm2左右、光斑重叠率为68.33%时, 剥离效果较好; 提高衬底温度有利于激光剥离过程。该研究对聚酰亚胺薄膜在柔性电子领域的工业化应用具有一定意义。     

Ag纳米颗粒有机薄膜受激辐射增强研究

为进一步降低有机半导体材料的激射阈值,文章研究利用银纳米颗粒的表面等离子体共振效应来实现对有机半导体薄膜受激辐射的增强.将制备好的Ag纳米溶液旋涂于玻璃基底上,然后在其上再旋涂PS:Alq3:DCJTB有机薄膜发光层,构成平面波导结构.用355nm波长的YAG激光泵浦样品.实验发现:相比于无Ag纳米颗粒情况,有Ag纳米...     

193nm准分子激光光解切除皮肤切除深度与照射剂量的研究

八十年代初,随着准分子激光器研制的发展,各国学者从193nm准分子激光能精确蚀刻多聚化合物得到启发,开始研究此波长激光与生物组织的相互作用。Srinvasan与Lane分别用皮肤、肌肉、牙齿、角膜等生物样品试验,发现光量子为6.4eV的紫外激光与生物组织作用时,主要是光化学作用(Photochemical mechanism),受照区域周围热损伤轻微。深入的研究表明:适当控制激光的各种物理参数(脉冲重复频率、单脉冲的能量及照射时间),就可对生物样品进行光分解(Photodecomposition)及光解切除(Photoablation)。七十年代以     

聚丁二炔光限幅材料

研究了５－（２－硫甲基－４－甲基－５－嘧啶基）－２，４－戊二炔－１－醇对甲苯磺酸酯（ＰＤＡＴＳ）的光限幅性能。与现有的光限幅材料相比，这种材料具有线性透射率高、限幅幅值和限幅阈值低等优点，在线性透过率为８７％时．其限幅幅值和限幅阈值分别为Ｅｃ＝１８０ｍＪ／ｃｍ２，Ｅｔｈ＝１５０ｍＪ／ｃｍ２     

本征非晶硅薄膜的准分子激光晶化

为了减低非晶硅薄膜太阳能电池的光致衰减效应和提高其光电转换效率,用等离子体化学气相沉积系统制备了本征非晶硅薄膜,用波长为248nm的KrF准分子激光器激光晶化了非晶硅表层,用共焦显微喇曼测试技术研究了非晶硅薄膜在不同的激光能量密度和不同的频率下的晶化状态,并用扫描电子显微镜测试晶化前后薄膜的形貌。结果表明,随着激光能量密度的增大,薄膜晶化效果越来越好,能量密度达到268.54mJ/cm2时晶化效果最好,此时结晶比约为76.34%;最佳的激光能量密度范围是204.99mJ/cm2~268.54mJ/cm2,这时薄膜表面晶化良好;在1Hz~10Hz范围内,激光频率越大晶化效果越好;晶化后薄膜明显出现微晶和多晶颗粒,从而达到了良好的晶化效果。     

双波长敏感的非水溶性光致聚合物特性研究

制备了一种新型双波长敏感的非水溶性光致聚合物材料.采用复合光敏增感和复合引发的方法反复对比实验,得到了高衍射效率下较高的灵敏度.材料能同时对红光和蓝光敏感,用红光和蓝光分别对材料曝光,测得两者的最大衍射效率分别为76%和83%,对应的灵敏度分别为0.018 cm2/M和0.017 cm2/mJ.根据耦合波理论,计算出相应的最大折射率调制度分别为0.002 5和0.002 1,说明该材料具有超高密度全息存储的潜力.全息存储实验表明,再现图像清晰明亮,图像间无串扰,适合双波长复用全息存储.稳定性验证表明,全息图具有良好的稳定性和耐候性,因此该材料是一种比较理想的全息记录材料.     

激光脉冲串对电荷耦合器件积累损伤效应研究

为了研究激光脉冲串对光电系统的损伤和致盲机理,开展了重频纳秒激光对黑白行间转移相机电荷耦合器件的损伤实验研究。实验结果表明:存在两种积累损伤效应机理,多个脉冲到达CCD靶面同一位置的损伤或致盲具有积累效应,多个脉冲积累损伤能够显著降低线损伤和全靶面损伤阈值,降低程度与脉冲个数、激光到靶能量密度有关。致盲机理与单脉冲致盲机理相同,均表现为器件垂直转移电路间及地间的短路;而激光脉冲串到达CCD靶面的不同位置也能够实现器件的功能性失效,其机制与单脉冲损伤显著不同,仅表现为线损伤的叠加,并未造成器件电路紊乱,功能性损伤阈值即对应线损伤阈值660 mJ/cm2,而小于单次致盲阈值1 500~2 200 mJ/cm2。