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本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力. 相似文献
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采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,然后氮化反应组装GaN晶体膜,并研究氮化时间对薄膜晶体质量的影响。测试结果表明:采用两步法生长得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,扩镓硅层有效的抑制了硅衬底的氮化和弛豫了GaN与Si衬底的热失配。同时显示:在相同的氮化温度下,晶粒尺寸随氮化时间的增加而增大,薄膜的晶化程度相应的得到提高。 相似文献
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硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制 总被引:5,自引:0,他引:5
利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN多量子阱IED外延片。为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AIN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN多量子阱LED外延材料。在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7~4.1V之间,电致发光波长在465~480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18~30mcd。 相似文献
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采用真空反应法在硅基上制备出了GaN外延层。利用二次离子质谱和X射线光电子能谱对GaN外延层进行了深度剖析和表面分析。结果表明 ,外延层中Ga和N分布均匀 ;在表面处Ga发生了偏聚 ;外延层中还存在Si,O等杂质 ,但这些并未影响到GaN外延层的物相及发光性能。实验还表明 ,在外延生长前采用原位清洗可去除Si衬底表面的氧 相似文献
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采用有限元方法,通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但是单从热失配的角度,由于引入了热膨胀系数(CET)更小的埋层SiO2,SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力,我们结合微机电系统(MEMS)的制造工艺,用深反应离子刻蚀(DRIE)的方法,借助于SOI材料自停止刻蚀的优势,将衬底硅和埋氧去除,使得SOI的超薄顶层硅部分悬空,形成一种新型的SOI衬底。模拟结果表明,这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20%左右。 相似文献
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据媒体报道,晶能光电以南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心为技术依托,由金沙江、淡马锡、梅菲尔德、永威投资、凯鹏华盈等多家国际著名的风险投资基金共同投资,专门从事硅衬底氮化镓基LED外延材料与芯片生产的高科技企业,注册资金5000万美元,总投资30亿元人民币。 相似文献
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硅缺陷发光的研究概况 总被引:1,自引:0,他引:1
硅发光器件与硅读出电路的单片集成是实现全硅光电子集成的关键,因此Si基发光材料的研究极为重要。本文重点对各类硅缺陷的发光进行了综述,并介绍了它们应用于发光器件的研究进展。 相似文献
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由于GaN衬底缺乏,难以生产高质量GaN外延材料。解决这一问题的较好办法之一是使用ZnO衬底,这是因为:ZnO衬底与外延层之间有较好的晶格匹配而且它可设计出新的器件结构。ZnO与GaN、InGaN有相同的六角晶体结构,其结晶学空间群同为“P63mc”。GaN与ZnO之间的晶格失配为2.2%,而ZnO与InGaN(In组份18%时)之间是完全匹配的。 相似文献
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随着多晶GaN材料发光研究的不断深入 ,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势 ,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本文采用一种新的金属镓层氮化技术 ,使用无定形石英作衬底 ,在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明 ,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好 ,并观察到针状的表面结构 相似文献
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随着多晶GaN材料发光研究的不断深入,大面积、价格低廉的多晶GaN基光电器件的研制已成为工业生产中一个重要的研究领域。石英玻璃以其自身特有的优势,成为生长多晶GaN材料的较为理想的衬底。本采用一种新的金属镓层氮化技术,使用无定形石英作衬底,在常压下制备出多晶GaN。经分析测试表明,生长出的多晶GaN为六方结构且质量较好,并观察到针状的表面结构。 相似文献