柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质.对AgBr量子点的数值计算表明:量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大;随柱高的减小而增加,且柱高愈小,增加速度愈快;激发态能量随温度的升高而增加.这些结论说明,由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.     

柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质. 对AgBr量子点的数值计算表明：量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大；随柱高的减小而增加，且柱高愈小，增加速度愈快；激发态能量随温度的升高而增加. 这些结论说明，由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.     

盘型量子点中极化子的温度效应

在考虑电子与体纵光学声子强耦合的条件下,通过求解能量本征方程,得出了盘型量子点中电子的基态能量、第一激发态能量及其相应的本征波函数;采用幺正变换和元激发理论方法研究了圆盘型量子点的声子效应,并讨论了温度对量子盘中极化子性质的影响。数值计算表明：在温度较低时,声子不能被激发,温度对能量无影响,当温度较高时,声子能够被激发,且温度愈高,被激发的声子数愈多,极化子能量愈大;结果还表明基态能量随着电子-声子耦合强度的增大而减小,随量子盘半径的增大而减小. 说明量子盘具有明显的量子尺寸效应。     

半导体量子点中强耦合激子的性质

研究了抛物型半导体量子点中强耦合激子的性质.在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换的方法,导出了半导体量子点中重空穴激子的基态能量.在强耦合情况下讨论了量子点半径和受限强度对半导体量子点中激子基态能量的影响.以氯化铊(TlCl)半导体为例进行了数值计算.结果表明:在强耦合情况下,重空穴激子的基态能量随量子点半径的增大而减小,随量子点受限强度的增大而增大.     

磁场和库仑场对量子点中强耦合束缚极化子性质的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了磁场和库仑场对半导体量子点中强耦合极化子性质的影响.导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量与量子点的有效受限长度、库仑束缚势、磁场的回旋共振频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和基态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率的增加而增大.基态能量随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而减少.     

抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的温度效应

采用线性组合算符和幺正变换方法研究量子点中强耦合束缚磁极化子性质的温度依赖性,导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的变化关系.取RbCl晶体为例进行数值计算,结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率、基态能量和声子平均数随温度的升高而增大,基态能量随量子点的有效受限强度的增加而增大.     

半导体量子点中强耦合激子的性质

研究了抛物型半导体量子点中强耦合激子的性质.在有效质量近似下,采用线性组合算符和幺正变换的方法,导出了半导体量子点中重空穴激子的基态能量.在强耦合情况下讨论了量子点半径和受限强度对半导体量子点中激子基态能量的影响.以氯化铊(TlCl)半导体为例进行了数值计算.结果表明:在强耦合情况下,重空穴激子的基态能量随量子点半径的增大而减小,随量子点受限强度的增大而增大.     

库仑场对非对称量子点中弱耦合极化子的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究了库仑场对非对称量子点中弱耦合极化子激发态能量及振动频率的影响。导出了非对称量子点中弱耦合极化子的激发态能量、振动频率随量子点的横向和纵向有效受限长度、库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。结果表明：当库仑束缚势一定时,束缚极化子的振动频率、极化子第一内部激发态能量随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随库仑束缚势的变化而变化,第一内部激发态能量随库仑束缚势的变化有一个极小值。     

磁场对量子线中束缚极化子激发态性质的影响

采用Tokuda线性组合算符和Lee-Low-Pines(LLP)变换方法,研究了磁场和库仑场对抛物量子线中强耦合极化子激发态性质的影响,推导出抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量、激发能量和振动频率。数值计算结果表明：抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量和激发能及振动频率均随约束强度、回旋频率的增加而增大;第一内部激发态能量随库仑束缚势的增加而减少,激发能和振动频率随库仑束缚势的增加而增强。     

非对称量子点中强耦合束缚极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对非对称量子点中强耦合极化子性质的影响。导出了非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出新奇的量子点的量子尺寸效应。基态能量随库仑束缚势和电子-声子耦合强度的增加而减小,振动频率和基态结合能随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大。     

客座编辑序言(英文)

Telecommunications networks have enjoyed rapid advancement for more than three decades since the 1980s, based on stunning successes in the electrical and electronic fields, and have grown up to being the solid foundation of the worldwide information infrastructure. In the meantime, progresses in telecommunications networks have in return made tremendous con     

量子阱红外探测器

评述了半导体量子阱内子带间光跃迁的主要特性以及量子阱红外探测器的物理问题和器件结构特点,介绍了国外在此领域研究的最新进展,讨论了有关子带间跃迁和量子阱红外探测器研究的若干发展趋势.     

QUANTUM MECHANICAL MODEL AND SIMULATION OF GaAs／AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR—Ⅱ ELECTRICAL ASPECTS

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｄｏｎＩｎｔｈｅｆｉｒｓｔｐａｒｔ ,ｗｅｈａｖｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄｔｈｅｏｐｉｔｉｃａｌａｓｐｅｃｔｓａｂｏｕｔｔｈｅｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｉｎｆｒａｒｅｄｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃ ｔｏｒ .Ｈｅｒｅｗｅｃｏｎｔｉｎｕｅｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｓａｂｏｕｔｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌａｓｐｅｃｔｅｓｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅｍｏｄｅｌａｎｄｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ .1　ＤａｒｋＣｕｒｒｅｎｔａｎｄＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｅｆｆｅｃｔｓｏｆｅｘｔｅｒｎａｌｂｉａｓａｃｒｏｓｓｔｈ…     

QUANTUM MECHANICAL MODEL AND SIMULATION OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTO- DETECTOR-Ⅰ OPTICAL ASPECTS

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｔｅｃｈｎｉｑｕｅｈａｓｂｅｅｎａｋｅｙｆａｃｔｏｒｉｎｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｔｈｅｉｎｆｒａｒｅｄｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒｍｏｒｅｔｈａｎ 4 0 ｙｅａｒｓ .Ｓｉｎｃｅ 1970 ,ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｌｉｋｅＩｎＳｂａｎｄＨｇＣｄＴｅｈａｖｅｂｅｅｎｔｈｅｐｒｉｎｃｉｐａｌｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｖａｒｉｏｕｓｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ .Ｔｈｅｆｏｒｍａｔｏｆｔｈｅｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｍｏｔｉｖａｔｅｄｂｙｓｍａｒｔｔｈｅｒｍａｌｉｍａｇｉｎｇｓｙｓｔｅｍｃｈａｎｇｅｄｆｒｏｍｓｉｎｇｌｅｅｌｅｍｅｎｔｄｅｖｉｃｅｔｏｆｏｃａｌｐｌａｎａｒｒａｙｓ(ＦＰＡｓ)ｉｎｔｈｅｍｉｄｄｌｅｏｆ 80’ｓ [1].Ｔｏｄａｙ’ｓｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅｓｌａｒｇｅｌｙｏｎｆｏｃａｌｐｌａｎａｒｒａｙｓ ,ｅｘｐｅｃｉａｌｌｙｆｏｒｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ,ｈｏｍｏｇｅｎｅｏｕｓａｎｄｌａｒｇｅｆｏｒｍａｔｓｃａｌｅｄｅｖｉｃｅｓ .ＨｇＣｄＴｅ...     

准周期耦合量子点的输运性质

讨论了一种一维准周期系统的输运性质.该系统由一系列Fibonacci耦合的量子点组成.利用转移矩阵方法并考虑实验技术,推导了通过一系列量子点的电子透射几率,从而讨论了电导与磁场和电压的关系.通过数字计算获得了具有非常丰富结构的透射谱,这种结构的丰富性依赖于量子点间的耦合.     

衬底剥离的量子阱红外探测器研究

对用MBE生长的GaAs/A lGaAs量子阱材料进行了衬底剥离,在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应.实验解决了衬底剥离及器件制备中的工艺问题,研究了衬底剥离对材料及器件性能的影响以及用这种方法制备器件的可行性.结果表明选择腐蚀法是一种有效的衬底剥离方法,用这种方法得到的多量子阱薄膜材料仍具有较好的红外探测性能,为进一步实验提供了依据.     

InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器

报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器，采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＾＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ，器件的串联电阻最低达１２０Ω。     

GaAs量子阱的能级分析

通过用Numerov方法求解Schrdinger方程计算了GsAs量子阱内的能级和波函数,详细地讨论了能级对各种参数包括阱宽、势垒高度和外加电场的依赖关系。这些结果有助于GaAs/AlGaAs量子阱结构的光电性质研究和器件设计。     

InGaAs／InAlAs量子级联激光器研究

简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性,该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0．5A,相应的阈值电流密度为5KA／cm^2。     

InAs自组织生长量子点的空穴俘获势垒

成功地用深能级瞬态谱（ＤＬＩＳ）研究了ｐ 型ＩｎＡｓ 自组织生长的量子点的电学性质,测得２．５ 原子层ＩｎＡｓ 量子点空穴基态能级在ＧａＡｓ 价带底上约０．０９ｅＶ,该量子点在荷电状态发生变化时需要克服一个势垒,俘获势垒高度为０．２６ｅＶ．本工作首次利用ＤＬＴＳ测定了量子点空穴的基态能级和俘获势垒,相信对增加量子点性质的理解会起到有益的帮助