高频高功能SAW器件应用领域的扩展

目前,SAW器件广泛用于消费类产品和工业通讯设备中的振荡器以及IF滤波器处理10MHz—1GHz的模拟信号。由于高频SAW功能器件及其封装技术的发展,预计SAW器件的应用领域将获得进一步的扩大。本文将着重论述用于UHF段振荡器和无线电设备前端的低损耗SAW滤波器和SMT兼容SAW滤波器。     

SAW器件在通信技术中的应用与市场动向

目前在中国,无线本地环(WLL)技术可能是向偏远的乡村提供电话服务的主要技术。在城市中,蜂窝移动电话正在迅猛发展,中国已成为世界第二大移动通信市场。因此,无线射频器件技术将成为本世纪的主要通信技术。目前热点     

纳米蚀刻技术及其在20GHz频段SAW器件中的应用

纳米蚀刻技术及其在２０ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件中的应用阎永志利用纳米蚀刻技术可将图形做得非常精细（ｕｍ级），将在ＵＬＳＩ、高速ＦＥＴ、分布反馈式激光器和ＧＨｚ频段ＳＡＷ器件等领域获得应用。常规蚀刻过程中，抗蚀膜层必须有一定厚度，但较厚的抗蚀膜无法获得纳米...     

SAW滤波器的市场及发展

声表面波 SAW ( Surface AcousticWave)是在压电基片材料表面产生和传播、且振幅随深入基片材料的深度增加而迅速减小的弹性波。SAW滤波器的基本结构是在具有压电特性的基片材料抛光面上制作两个声电换能器——叉指换能器 ( IDT)。它采用半导体集成电路的平面工艺 ,在压电基片表面蒸镀一定厚度的铝膜 ,把设计好的两个 IDT的掩膜图案 ,利用光刻方法沉积在基片表面 ,分别作输入换能器和输出换能器。其工作原理是 :输入换能器将电信号变成声信号 ,沿晶体表面传播 ;输出换能器再将接收到的声信号变成电信号输出。SAW滤波器的主要特点是 …     

SAW器件芯片底部处理的工艺实验研究

介绍声表器件中几种体波模型，讨论什么传播方式的体波可以通过底部处理得到抑制或消除，同时对底部处理的工艺特别是打毛和刻沟槽两种方式进行讨论和比较，通过实验和分析得出选择底部处理工艺的依据。另外，文中还提到一些辅助方式如粘接剂的选择和端面处理等。     

声表面波器件及其在电视和通信系统中的应用

声表面波器件(SAWD)在信号处理、频率控制及频率选择、信息获取诸方面中应用,是一种性能十分优良的元件。它的结构与基本原理如下图所示: 在一块压电基片上,用微细加工技术加工两组梳状电极(又指换能器),电信号加在其中一组电极上时,就在压电基片表面转换为SAW信号,该信号沿压电基片表面传到另一组电极,又转变为电信号。这一特殊的信号传输过程,使得SAW器件具备如下一些主要特征。     

声表面波后工序环节对器件可靠性影响的研究

报道了声表面波（SAW）后工艺环节对基片粘接剂的固化程度、不同制作条件、不同封帽环境制作的滤波器，通过在高温、负温以及高温加速老化后的器件性能变化，来研究SAW器件的可靠性。结果表明：器件的插入损耗随老化时间逐渐增加；器件插入损耗的稳定性明显依赖于封装的湿度和器件表面的状态；器件的气密性随老化时间，器件的老化会更明显。结论是：器件必须要在清洁（净化）的环境中制作，清洁的器件表面第一重要；干燥的封装是器件性能稳定的重要条件；器件、组件老化到一定程度后，将不会有较大的性能变坏现象出现。这些研究成果，对防止或控制高性能器件失效、提高SAW器件可靠性将具有指导意义。     

用于SAW器件制造的键合减薄技术

铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500 μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ～2λ(λ为声表面波波长).为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理.用粒径(φ)100 nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响.抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100 nm的SiO2抛光液,转速为120 r/min,压力为3.9N,抛光时间为40 min.经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468 nm,Rq=0.593 nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度).     

射频SAW器件非线性信号的测量及产生机制分析

射频前端的高度集成和高能量密度使声表面波(SAW)器件的非线性问题愈发严重。该文搭建了射频SAW器件非线性信号的测量系统,对SAW谐振器的二次谐波(H2)和三次谐波(H3)信号进行了准确测量。分析测量结果,讨论了非线性谐波信号的产生机制,并通过非线性有限元(FEM)模型仿真结果与测量结果拟合对比,验证了介电非线性和声应变的非线性效应对谐波产生的影响,为进一步研究非线性抑制方法,设计高线性度SAW器件提供了重要支撑。     

适用SAW器件的ZnO/Ti/Si薄膜制备及缺陷分析

在Si(100)衬底和Ti/Si(100)衬底上分别制备了ZnO薄膜,探讨了Ti缓冲层对ZnO薄膜结构和缺陷的影响,利用X射线衍射(XRD)测试了ZnO薄膜的晶体结构及择优取向,利用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面粗糙度(RMS),利用光致发光(PL)光谱检测了ZnO薄膜的缺陷,利用四探针法测试了ZnO薄膜的电阻率。结果表明,在Ti/Si(100)衬底上、衬底温度350℃的条件下,制备的ZnO薄膜表面光滑、缺陷少、电阻率高且具有高C轴取向。本文这一工作对于压电薄膜缺陷分析及高性能ZnO的声表面波(SAW)器件研制有重要意义。     

基于LN/LT POI多层结构的SAW器件发展

绝缘体上压电单晶薄膜结构材料(POI)为研制高性能、可集成的声表面波(SAW)器件提供了新的解决途径和方案,可满足射频(RF)前端在集成化、小型化发展趋势下对新一代压电声学器件的需求。该文介绍了POI的制备工艺技术。总结了基于铌酸锂/钽酸锂 POI(LN/LT POI)多层结构的高性能SAW器件的最新研究成果,并展望了其未来的发展。     

基于SAW器件的RFID系统在停车管理系统中的应用

针对智能化停车管理系统的需求,文中介绍了射频识别技术中声表面波射频识别无源标签的原理与特点,给出了基于915MHz标签的RFID系统在新型停车场智能化管理系统中的具体应用和设计方法。     

适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。     

声表面波器件叉指换能器的制作技术

声表面波器件的制造关键在于如何制作叉指换能器，特别对于GHz频率以上的器件,亚微米线宽如何控制是声表器件能否制作成功的关键。本文提供了其制作工艺流程及要点。     

声表面波器件的封装技术及其发展

目前各种声表面波器件的工作频率涵盖30MHz到3000MHz的频率范围,其封装形式主要有塑料封装、金属封装(如F11、TO-39)和sMD封装。在本文中,作者对声表面波器件的这三种主要封装形式对声表面波器件电传输性的影响作了系统的实验研究与分析,并论述了声表面波器件在封装方面的现状及其发展趋势。     

基于微流控芯片的SAW分选技术研究现状北大核心

声表面波（SAW）分选技术因其无接触性、生物相容性好等特点,在生物医学、诊断学等领域有着广阔的应用前景。概述了声表面波分选芯片的基本结构组成、叉指换能器（IDT）的基本结构及工作原理,分析了行波声表面波（TSAW）和驻波声表面波（SSAW）进入流体后产生的复杂的声流效应。根据声表面波分选技术的分选机理不同,将声表面波分选技术分为驻波声表面波分选技术和行波声表面波分选技术。分别讨论了声表面波分选技术的分选原理和研究现状,指出了声表面波分选技术相对于其他分选技术的优势,并综合国内外研究现状分析了研究过程中存在的问题,提出了声表面波分选技术今后的研究方向。