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采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０＾１０ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２。 相似文献
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Ｍ ｏｔｏｒｏｌａ公司的 ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源（３．６Ｖ）ＲＦ集成功率放大器,设计用于ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于３频ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００装置。３．６Ｖ下的典型特性是：ＧＳＭ：Ｐｏｕｔ＝３５．８ｄＢｍ, ＰＡＥ＝５３％;ＤＣＳ： Ｐｏｕｔ＝３４ｄＢｍ, ＰＡＥ＝４３％。它具有一个宽频带（９００－１８００ＭＨｚ）内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经２级缓冲器放大后的ＲＦ整流（见图１）。这种方法消除了采用ｄｃ／ｄｃ… 相似文献
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最近,《日本半导体产业新闻》报道,日本松下电工（株）菰田博士提出 ＢＳＤ（弹道电子表面发射显不, Ｂａｌｌｉｓｔｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｕｒｆａｃｅ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）。此方案类似于 ＦＥＤ,但ＢＳＤ发射电子冷阴极不用ＦＥＤ的微尖结构,而采用下电极上低温多晶硅发射电子。ＢＳＤ关键技术是在多晶硅晶界上形成５ｎｍ左右均匀微晶的多孔化技术。ＢＳＤ优点：（１）工作电压为２０Ｖ左右;（２）功耗为ＰＤＰ的１／３,１０７ｃｍ（４２ｉｎ）的ＢＳＤ功耗小于１００Ｗ;（３）亮度大于２０ ０００ｃｄ／ｍ… 相似文献
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本文对采用ＭＯＤ法制备的ＰＬＺＴ（８／６５／３５）铁电薄膜的电性能进行了研究。ＭＯＤ法可以在ＩＴＯ／Ｇ，Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ和Ｐｔ／ＬＮ基片上制备出具有优良铁电性能的ＰＬＺＴ铁电薄膜，采用Ｐｔ下电极的ＰＬＺＴ薄膜，Ｐｓ〉３２μＣ／ｃｍ＾２，而采用ＩＴＯ电极的也得到了Ｐｓ＝２７μＣ／ｃｍ＾２的好结果。本文还讨论了下电极和基片对薄膜电性能的影响。 相似文献
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Ｎ ＩＳＤＮ给用户提供两种速率接口 :基本速率接口（ＢＲＡ）和基群码率接入（ＰＲＡ）。ＢＲＡ由２个Ｂ通道（６４ｋｂ／ｓ）和１个Ｄ通道（１６ｋｂ／ｓ）组成 ;ＰＲＡ由３０个Ｂ通道（６４ｋｂ／ｓ）和１个Ｄ通道（６４ｋｂ／ｓ）组成。本文将介绍ＰＲＡ及其在Ｓ-１２Ｊ上的实现。１ＰＲＡ简介通常ＰＲＡ通过ＮＴ２ ＩＳＤＮＰＡＢＸ（ＩＳＰＢＸ）给用户提供服务 ,ＩＳＰＢＸ也是一个ＰＡＢＸ ,大部分ＩＳＰＢＸ的数据存放在ＰＡＲＭ（ＳＡＣＥＰＡＢＸ）中 ,能够通过２Ｍｂ／ｓ的ＰＲＡ接口实现点到点的连接。２Ｍｂ／ｓＰＣＭ由３０… 相似文献
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128×1元GaAs／AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像 总被引：2，自引：1，他引：2
研制成功了１２８×１元ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱扫描型红外焦平面（ＦＰＡｓ），器件的响应率达到ＲＰ＝２．０２×１０＾６Ｖ／Ｗ，截止波长为λ＝８．６μｍ，根据常规的黑体探测率定义，得到器件的黑体探测率为Ｄｂ＝２．３７×１０＾６ｃｍ．Ｈｚ／Ｗ，并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。 相似文献
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ADSL收发器的研制 总被引：1，自引：0，他引：1
介绍了一种用ＤＳＰ核（ＤＳＰ Ｃｏｒｅ）实现ＡＤＳＬ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｌｉｎｅ）用户端收发器（Ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）的研制与开发。 相似文献
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硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。 相似文献
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我们已开发１１７ｃｍ（４６英寸）高分辨率、高亮度和高对比度背式投影显示器，这各显示器能自动地显示三种方式的图象，例如：ＬＤ（ＮＴＳＣ）、ＬＤ－远景（ＮＴＳＣ）和ＤＨ。显示器的规格是水平分辨率８００线（１６：９），１３７０ｃｄ／ｍ＾２（亮度峰值）、１００（对比率）和６７２ｍｍ厚度。此篇文章报导有关实现这种高性能显示器的技术。 相似文献
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采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤ ＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ２／Ｏ２分压比显著。ΔＮｏｔ和ΔＮｓｔ在１１０℃附近有极小值，大小为１０＾１０ｃｍ＾－２量级。Ｔｓ〉１２０℃，ΔＮｏｔ呈正电荷性，Ｔｓ〈１１０℃，ΔＮｏｔ呈负 相似文献
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本文对Ｌａｔｔｉｃｅ公司ｐＬＳＩ／ｉｓｐＬＳＩ １０００系列高密度可编程逻辑器件和ＡＭＤ公司ＭＡＣＨ１００／２００系列ＰＡＬ器件作了简要的比较。Ｌａｔｔｉｃｅ公司和ＡＭＤ公司都是可编程逻辑器件的重要生产厂家，本文对Ｌａｔｔｉｃｅ的代表产品ｐＬＳＩ／ｉｓｐＬＳＩ１０００系列高密度可编程逻辑器件和ＡＭＤ公司的代表产品ＭＡＣＨ１００／２００系列，ＰＡＬ在以下几个方面进行了比较：（１）逻辑块的尺寸；（２） 相似文献
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研制了用Ｎｄ－ＹＬＦ激光器泵浦的掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器（ＰＤＦＡ）组件，其最大信号增益和噪声指数分别是２０ｄＢ和５ｄＢ。在输入信号功率１１．０ｄＢｍ时，得到１９．２ｄＢｍ的输出功率，试验结果证明：该ＰＤＦＡ组件用于副载波复用多信道ＡＭ－ＶＳＢ视频信号传输时，具有低噪声特性。 相似文献
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本文介绍ＰＤＰ的新发展,新的ＰＤＰ分辨率达到１０２４×１０２４,亮度高达５００ｃｄ／ｍ＾２,功耗从３００Ｗ下降到２５０Ｗ,ＰＤＰ将成为ＨＤＴＶ的优秀候选者。 相似文献
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本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器． 相似文献
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利用脉冲激光沉积技术（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）首次制备出非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，用其做为冷阴极，观察到其场致电子发射的预击穿现象，预击穿后阈值场强为７Ｖ／μｍ，最大发射电流密度为１．２ｍＡ／ｃｍ＾２。利用透明导电薄膜阳技术可观察到电子在薄膜阴极表明的发射区域。用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了预击穿后发射区域的表面形貌的变化，并对复合薄膜的预击穿现象的场电子发射机理进行了探 相似文献