全球半导体技术革新进展

ITRS 2007年版概览2007年12月5日,《国际半导体技术发展路线图》(ITRS,International Technology Roadmap for Semiconductors)2007年版发表,也正好是由美国、欧洲、日本、韩国和中国台湾地区等成立ITRS组织的10周年。这是2006年     

名词术语释义——国际半导体技术发展路线图（ITRS）

国际半导体技术发展路线图（Interntional Technology Roadmap for Semiconductor，ITRS），是1998年在《美国国家半导体技术发展路线图（NTRS）》的基础上发展演变而来的。ITRS提供了半导体工业15年内发展趋势的预测和展望，给所有半导体制造商提供了一个很好的参考文献。最为重要的是，ITRS为为半导体设备、材料和软件供应商提供了指导，为各国集成电路的发展提供了一个清晰的目标。     

2007年国际半导体技术发展路线图摘要介绍

2007年版的国际半导体技术发展路线图，是ITRS面世之后的第5次全面修订，于2008年2月正式在世界范围内发布其最后定稿。本文将向读者介绍本版路线图一些新的重要理念，以及对未来十五年内半导体行业面临的严峻挑战进行的汇总。     

130名全球顶级半导体技术专家出席在上海举办的中国国际半导体技术大会

由SEMI、ECS及中国高科技专家组共同举办的中国国际半导体技术大会成功于3月13-14日在上海举办。中芯国际董事长王宁国博士、IBM公司院士及研发部副总裁陈自强博士、加州大学柏克莱分校教授胡正明博士及中国台湾工研院院士刘汉诚博士为大会作主题演讲,340多位讲师与741名与会的国内外     

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2013版综述(1)

国际半导体技术发展路线图(The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS)自1999年第1版问世后,每偶数年份更新,每单数年份进行全面修订。ITRS的目标是提供被工业界广泛认同的对未来15年内研发需求的最佳预测,对公司、研发团体和政府都有指导作用。路线图对提高各个层次上研发投资的决策质量都有重要意义。本篇是连载一。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2012版综述（1）

国际半导体技术发展路线图（The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS）自1999年第1版问世后,每偶数年份更新,每奇数年份进行全面修订.ITRS的目标是提供被工业界广泛认同的对未来1 5年内研发需求的最佳预测,对公司、研发团体和政府都有指导作用.路线图对提高各个层次上研发投资的决策质量都有重要意义.本篇是连载一.     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2012版综述（2）

2012年路线图测试列表中没有重大改动,但增加了一些参数,并对表格进行了一些调整：     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2011版综述（1）

国际半导体技术发展路线图（The International Technology Roadmap for Semiconductors,ITRS）自1999年第1版问世后,每偶数年份更新,每单数年份进行全面修订。ITRS的目标是提供被工业界广泛认同的对未来15年内研发需求的最佳预测,对公司、研发团体和政府都有指导作用。路线图对提高各个层次上研发投资的决策质量都有重要意义。本篇是连载一。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2009年版综述（3）

3严峻的挑战 我们将半导体技术未来面临的挑战分为“近期（从现在开始直至2016年）”和“远期（2017年以后）”两部分。     

泛半导体技术的发展

基于人类在电子信息技术领域研究的不断深入,以半导体技术为代表的一大批信息电子信息技术在人们工作、生活和学习中得到了广泛的应用。本文以LED半导体照明、太阳能电池、平板显示等泛半导体技术为研究内容,通过分析其技术原理及发展现状,是人们对于泛半导体技术有着更加深入的了解。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2009年版综述（8）

为了提高生产效率，必须要增加工艺过程中每一步的产出。如果能一次对几个芯片进行曝光，那么无疑是一个提高生产效率的好办法。这个方法要受光刻设备的光刻场大小的限制。过去，光刻场在每2个技术周期增长一倍以便满足不断增长的芯片尺寸的需要。结果是，步进扫描式光刻场已经达到了很大的面积（26×33=858mm2）。     

国际半导体技术发展路线图2008年更新版综述（一）

四十多年以来，半导体工业最明显的特征之一，就是它的产品的更新换代非常迅速。重要的改进趋势以及每种趋势的典型范例如表A所示。绝大部分的改进和提高都是由一个重要特征决定的，即：制造集成电路的最小尺寸可以不断地呈指数性地迅速缩小。显然，我们最常引用的趋势就是集成度，也就是通常所说的摩尔提出来并以他的名字命名的“摩尔定律”（每个芯片上的元件数量大约每隔24个月增加1倍）。     

《半导体技术》稿约

投稿须知:本刊以半导体材料、器件和集成电路的设计与制造、封装与检测、研究与应用、半导体生产设备及半导体产业发展趋势等方面的文章为主。     

半导体技术最新发展

半导体产品中目前以DRAM、SoC和NAND闪存三者最为重要。随着半导体工艺技术的发展,加速缩小芯片尺寸而降低成本成为业界竞争焦点。上世纪80年代后半期,DRAM充当了半导体技术发展的驱动器,进入21世纪,逻辑芯片或许将成为半导体产业的推动力。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2009年版综述（1）

1概述 四十年来，半导体工业最明显的特征之一，就是它的产品的更新换代非常迅速。重要的改进趋势，每种趋势的典型范例如表A所示。绝大部分的改进和提高都是由一个重要特征决定的，即：制造集成电路的最小尺寸可以不断地呈指数性地迅速缩小。显然，我们最常引用的趋势就是集成度，     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2012版综述（3）

将光刻技术向更小尺寸发展一直都很困难,今年也不例外。半导体行业需要在2012年年底之前为22nm半节距DRAM和16nm半节距闪存选择一种光刻方法,但目前为止仍没有明确的选择。氟化氩（ArF）浸入光刻技术并不能在40Hm及更小的半节距尺度有多大发展,     

2012中国国际半导体技术大会3月18日在上海举办

由SEMI、ECS及中国高科技专家组共同举办的中国国际半导体技术大会（CSTIC2012）于3月18—19日在上海举办。IBM公司院士诺贝尔奖得主Dr．LeoEsaki、三星研究院总裁Dr．KinamKim及比利时IMEC的总裁Dr．LucVandenhove将做精彩的开幕演讲。340多位讲师将与1000名国内外半导体产业界学术界人士共同探讨国际最前沿的半导体工艺技术的发展趋势。本次研讨会将为提升中国半导体产业的技术水平,把国际最先进的术与理念引进中国起到积极的推动作用。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2009年版综述（5）

4.7新兴材料研究 2009年＂新兴材料研究＂一章是2007版的更新。2009年的＂新兴材料研究＂一章已经重新组织,针对不同的应用来考察材料,而2007版的＂新兴材料研究＂一章则根据未来的路线图需求来考察材料及其可能的应用。     

国际半导体技术发展路线图2008年更新版综述（二）

3 2008年更新：技术工作组总结 3．1系统驱动和设计 在ITRS2008年更新的“设计”和“系统驱动”中,我们专注于下面描述的几个选定的关键信息和更新内容。