超低功耗小型便携式辐射剂量仪研制

为解决辐射检测仪表体积大、功耗高等问题,设计了一款基于硅光电二极管的超低功耗小型辐射剂量仪。以CsI(Tl)+硅光电二极管为探测器,分析、优化信号处理电路,并搭载超低功耗单片机MSP430,实现剂量仪的低压、低功耗、小型化设计。实验结果表明:在高辐射强度下,该仪器可用微型纽扣电池长时间续航,达到较高精度的剂量率响应。     

瞬态闭锁试验在0.13 μm大规模集成电路中引起的潜在损伤

瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种：闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13 μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总剂量辐射效应规律。结果表明：瞬态剂量率闭锁效应对处理器造成了显著的潜在损伤,导致其总剂量失效阈值从1 030 Gy(Si)降低至600 Gy(Si)。研究结论对于大规模集成电路的可靠性评估和指导辐射加固设计有重要参考意义。     

瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤

瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总剂量辐射效应规律。结果表明:瞬态剂量率闭锁效应对处理器造成了显著的潜在损伤,导致其总剂量失效阈值从1 030 Gy(Si)降低至600 Gy(Si)。研究结论对于大规模集成电路的可靠性评估和指导辐射加固设计有重要参考意义。     

核电站γ辐射剂量仪校准实验室设备设计与研究

核电站在运行过程中需大量的辐射剂量仪,以确保人员和环境的安全。参考辐射是辐射剂量仪校准工作必备的条件,由于核电站运行过程中辐射剂量仪使用数量巨大,因此核电站通常建设γ校准实验室用于辐射剂量仪的校准检定工作。结合蒙特卡罗方法完成了⁶⁰Co单源照射装置和¹³⁷Cs多源照射装置的优化设计,并利用PTW空腔电离室对辐射场的散射比例和均匀性进行测量,结果表明,γ校准实验室的技术参数满足ISO4037标准要求,该设备经建标考核后可用于开展核电站γ辐射剂量仪的校准检定工作。     

PIN硅光二极管在n/γ混合辐射场中的探测技术研究

PIN硅光型半导体探测器较传统辐射探测器具有响应快、抗干扰强、体积小、灵敏度高、能量分辨率高以及无需高压等优点,在个人剂量仪、X射线荧光分析、镀层测厚、放射诊断等粒子辐射测量领域中被广泛采用.采用6LiI与BGO晶体把n和γ射线转换至PIN的有效光谱探测范围内,同时参考PIN硅光二极管的电路等效模型,设计与之匹配的电荷...     

SOI 硅微剂量探测器对中子和伽马辐射场线能谱测量的GEANT4模拟研究

绝缘体上硅(SOI)硅微剂量测量系统可以通过测量中子和伽马混合辐射场的线能谱来获取不同类型辐射的剂量当量贡献。本文根据SOI硅微剂量探测器物理设计,采用GEANT4软件建模对Cf-252中子和伽马混合辐射场及Co-60伽马辐射线能谱测量进行蒙特卡罗模拟,并进一步分析了SOI探测器转换层对伽马线能谱测量的影响。结果表明,SOI硅微剂量探测器能够区分中子和伽马的剂量贡献,并且伽马线能谱峰值随着转换层厚度发生变化,有可能利用该特性实现不同贯穿深度下伽马辐射剂量贡献的测量。模拟分析结果可为SOI硅微剂量探测器设计及应用提供参考。     

美国核管会为何根据线性无阈值理论制订法规

【美国《核新闻》2001年6月刊报道】 目前通用的辐射防护标准是建立在这样一个假设基础上的:任何辐射,无论其剂量多么微小,都将造成人体损伤性的健康效应,如癌症。目前假定接受辐射剂量的大小和健康效应的程度成正比,即加倍的辐射剂量将导致加倍的健康效应。 人们关于人体辐射健康效应的知识大部分来自于对广岛和长崎原子弹爆炸幸存者的研究。为人体辐射健康效应的研究提供了重要数据的其他人群则是一些治疗中的病人,绝大部分数据是有关高辐射剂量或高剂量率所导致的健康效应。大量有关人体、动物及细胞的辐射效应的研究使线性无阈值(LNT…     

硅半导体探测器的两种γ剂量估算方法

硅PIN二极管由于其具有体积小、使用方便以及可实时操作的特点,已经被广泛地用作个人及区域γ辐射剂量仪.但是,由于硅不是组织等效也不是空气等效材料,用于γ剂量测量时,在低能段的响应过于灵敏是其本质的缺点,尤其γ射线能量在200 keV以下.利用补偿片来展平能量响应曲线,是克服此缺点的一种方法.但是能响补偿方法估算剂量时仅仅依据探测器输出的脉冲个数,因此又提出了权重函数法(简称G(E)函数法)进行剂量估算,这样剂量不仅与脉冲个数有关,还依赖于脉冲幅度.     

辐射事故中确定性健康危害的剂量学评价方法(Ⅰ)

确定性效应是辐射事故中主要关心的健康危害。辐射事故照射,除大剂量急性照射情况外,更多的还有受照延续时间不等、照射水平不一的多次受照情况,甚至尚有数天内连续受照的。本文从辐射效应的“线性-平方”模型出发,借助目前已经掌握的确定性效应的剂量阈值,针对剂量的不同时间分布,集中探讨低LET辐射事故中评价确定性健康危害的剂量学方法。引用了分割照射和延续照射的外推剂量概念,提出了外推剂量可加原理和等外推剂量等效应原理。     

双极晶体管X射线辐射剂量增强效应

本文介绍典型双极晶体管在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，实际测量了双极晶体管Ｘ射线辐射剂量增强系数，研究了双极器件剂量增强效应机理。     

辐射测量仪器的进展

本文对在 IRPA-1 0上发表的近千篇论文中专门论述辐射测量仪器方面的文章做了简要介绍。主要包括以下几个方面 :电子个人剂量仪 ,中子剂量仪 ,塑料闪烁纤维辐射探测器 ,氡子体监测仪 ,环境监测仪器及热释光剂量计等。     

辐射测量仪器的进展

本文对在IRPA-10上发表的近千篇论文中专门论述辐射测量仪器方面的文章做了简要介绍。主要包括以下几个方面：电子个人剂量仪,中子剂量仪,塑料闪烁纤维辐射探测器,氡子体监测仪,环境监测仪器及热释光剂量计等。     

基于EGSnrc MP模拟计算X射线在重金属和硅界面的剂量增强因子

当X射线入射到不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。本文介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特卡罗程序EGSnrcMP模拟计算了钨和硅、钽和硅界面的剂量增强因子。计算结果表明,在X射线能量为30~200 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。     

基于PET/CT中心的辐射监测及放射防护评价

PET/CT中心使用¹⁸F-FDG作为正电子放射性诊断药物,为此研究该中心的辐射水平,为临床辐射防护提供参考依据。利用X、γ辐射剂量率仪测量各工作区的辐射剂量率,利用热释光剂量仪估算工作人员的年有效剂量,并进一步研究了作为放射源的受检者离开前,周围人员与其保持不同距离时的辐射剂量率。结果表明:PET/CT中心各工作区及工作人员的辐射剂量符合国家标准。当周围人员与受检者保持3 m以上距离时,所测辐射剂量率近似环境本底值。     

辐射危害的定量表示——危险度

辐射危险度 辐射危险度是对辐射的健康危害(以下简称辐射危害)予以定量表示的一种量度,定量表示辐射危害是评价辐射危害和制定各种剂量极限制度的必要条件。辐射危险度过去是以单位辐射剂量(或辐射剂量当量)所诱发的致死数来表示的,无疑必须要满足剂量-效应是线性的关系,否则就无法推算出实际受照剂量下的危害大小。ICRP假设了在防护所关心的剂量范围内,剂量和效应是成正比的。因此,它所推荐的一些辐射危险度值只适用防护目的,而不     

脉冲X射线参考辐射场设计与研究

脉冲辐射在新型探测器研制、工业探伤、X射线诊断、核事故应急和科研等领域中已经得到了广泛应用,其辐射剂量(率)测试难度极大。为解决主动式辐射剂量仪的脉冲响应测试技术难题,基于多种X射线机建立了脉冲X射线参考辐射场,结合次级标准电离室及脉冲时间测量系统开展了脉冲辐射剂量(率)定值。实验结果表明,所建立的脉冲X射线参考辐射场的脉冲宽度在25 ns～10 s之间可调,瞬时剂量率范围为：5 mSv/h～6.7×10⁵ Sv/h,可广泛开展主动式辐射剂量仪的脉冲响应特性研究,对于解决脉冲辐射剂量监测仪器的校准难题具有重要意义。     

10-12MeV电子对MOS样品和硅二、三极管辐射效应的研究

本文介绍10—12MeV高能电子对MOS样品及已封装硅二、三极管辐射效应的实验研究结果。分析了高能电子辐射效应的特点及其实用意义。     

X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究

本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明:当X射线为30–300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0–10 m时,剂量增强因子随金的厚度增大;当金的厚度超过10 m后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少。     

平面型硅快中子剂量探测器初步研究

介绍了平面型硅快中子剂量探测器,初步探索了探测器的中子剂量响应与PN结长和结宽的关系。基于239Pu-Be中子辐射实验结果,可以得出探测器电压随中子剂量线性变化的结论。对探测器等效电阻进行了计算,给出了测试电流为1~10 mA时平面型硅快中子剂量探测器的电流、电压和中子剂量的关系式。     

低剂量、低剂量率辐射效应问题的新进展

关于低剂量、低剂量率的辐射效应问题,目前的认识已趋于明确,基本上结束了过去的由高剂量、高剂量率辐射效应直线外推到低剂量、低剂量率辐射效应的方法。