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介绍了一种能在强电磁干扰环境中稳定工作的光电控制高压脉冲发生器。结合电路介绍了工作原理及采取的抗干扰措施。 相似文献
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依据高重频高压纳秒脉冲输出的要求,基于半导体断路开关(SOS)的工作特点,设计了高重频高压纳秒脉冲源脉冲发生器线路。分析发生器线路的工作原理,对输出脉冲幅度50 kV/100 Ω、脉宽约10 ns~20 ns和重复频率100 kHz脉冲源的线路中关键器件的参数进行了计算。分析关键器件SOS、饱和脉冲变压器、副开关要求,给出了关键器件的选型参考。 相似文献
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实验测试了触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响;建立了满足光导开关触发光脉冲参量的光生载流子速率方程,并模拟出光生载流子浓度随触发光脉冲、脉冲宽度的变化规律,分析了光脉冲对光电导开关响应速度的影响及引起输出电脉冲上升沿变化的原因. 相似文献
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文中提出了一种具有自动增益控制的自触发脉冲测距方案,不但减小脉冲信号上升沿
引起的测距误差,而且也减小由于信号幅度变化带来的漂移误差影响。实验结果表明:该激光脉冲测距系统在1m~10m的测距范围内,测距精度达到亚毫米级。 相似文献
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研制了一种纳秒级同步延时的两级串联式电光开关高压快脉冲源,它具有延时精度高且可调、稳定性好、体积小且成本低的优点。在开关器件两端并联一个高压大电流快速开关二极管,有效地抑制了高压快速放电瞬间引线电感引起的过冲及振荡;采用光电隔离器将低压延时电路与高压开关电路隔离,防止了高压脉冲对低压延时信号的干扰;高压脉冲高电平最大值为1200 V,下降沿约为9 ns,零电平宽度在200 ns~15μs之间可调,同时两路高压脉冲相对时间抖动小于1 ns;两级电光开关串联通过腔外光学斩波将连续激光转化成了双快沿脉冲,其上升沿和下降沿均在10 ns左右,重复频率和脉宽分别在1~10 kHz和10~100 ns内范围连续可调。 相似文献
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文章结合生产实际,介绍一种由接近开关和时基电路组成的状态变换电路,可将机械运动无接触地转换成电接点信号。采用多脉冲触发的方式使电路抗干扰能力强,工作稳定可靠。 相似文献
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全固态高功率高重频脉冲源技术是定向能武器高能激光、高功率微波发展的关键技术之一。重点介绍了固态脉冲源技术发展历程和国内外发展动态。总结了三类固态高功率高重频脉冲源研制设计方法与工作原理、核心关键技术、应用前景、发展启示,以供相关人员参考。固态高功率高重频脉冲源具有全固态、高功率、小体积、轻重量、高可靠、长寿命等优点,在“激光打靶受控核爆模拟”实验研究、闪光X光照像、超宽带雷达、超宽谱通信、电子对抗、瞬态测量仪器等领域有广泛的应用前景。 相似文献
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基于X波段行波管实验研究的需要,研制了行波管脉冲电源系统。该脉冲电源系统主要由阳极控制电源、慢波线电源、收集极电源、辅助电源和控制系统组成,其中关键在于阳极控制电源的研制。针对阳极控制电源的输出脉冲宽度变化大的特点,采用串联固态开关控制阳极电压。实验结果表明,该脉冲电源系统满足行波管实验研究的要求,在X波段行波管上实现了阳极脉冲电压脉宽在4μs~3000μs内连续可调。 相似文献
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由于脉冲电源有断续供电的特性,在很多领域都获得了广泛的应用,其中高压脉冲电源是系统的核心组成部分。为了获取高重复频率、陡前沿高压脉冲电源,文中提出了一种基于IGBT的高压脉冲电源,系统主要由高压直流充电电源和脉冲形成电路两部分组成,由DSP作为主控制芯片,控制IGBT的触发和实现软开关技术,并用仿真软件PSIM对高压脉冲电源进行仿真分析。验证了设计思想的正确性。 相似文献
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为了实现能产生重复频率矩形高压脉冲输出的紧凑型脉冲功率源,设计了基于脉冲形成网络的直线型脉冲变压器。以陶瓷电容和光导开关构建全固态Blumlein型脉冲形成网络,分析了磁芯参数对能量效率和平顶度的影响,计算了设计的脉冲功率源的分布参数,并基于分布参数建立了了全电路模型。研究结果表明足够的磁芯伏秒数是直线型脉冲变压器运行的必要条件,而分布参数是引成输出脉冲畸变的另一重要因素。 相似文献
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时间反演电磁波具有时空二维同步聚焦特性.基于时间反演电磁波原理建立了稀疏阵列脉冲信号相干合成的数学模型, 通过理论分析与蒙特卡洛实验相结合的方法研究了合成信号幅度最大时刻目标点合成效率值的统计特征与相位误差及阵元数的关系.分析表明, 在工程实践中, 除尽可能提高相控精度外, 可以通过增加阵列的阵元数来减小目标点合成效率的方差, 以降低相控误差的影响.利用仿真计算研究了相位误差及信号形式对时间反演脉冲信号合成效果的影响, 证实了稀疏阵列时间反演脉冲信号空间功率合成的可行性; 分析方法和结果可以为工程实践中如何折衷需求与条件确定相位误差的控制精度提供理论依据. 相似文献
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基于对高压脉冲系统器材改进、优化的目的,对高压脉冲发码器中电源进行重新设计.采用非线性电感与线性电容形成铁磁谐振的方式,结合稳压变压器在高压脉冲轨道电路系统中的电磁工作状态,使稳压器输入从176~253 V变化时,其输出电压不低于空载额定值的97%. 相似文献