磁控溅射工艺参数对ZAO薄膜性能的影响

通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了溅射电流、溅射气压、基片温度对ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,使用四探针方阻仪测试薄膜电阻率,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:溅射电流增加可以改善ZAO薄膜的透过率与电阻率;溅射气压对薄膜的结晶性和透过率影响不大,但电阻率会随溅射气压的增大而上升;基体温度升高可以提高AZO薄膜的透过率与电导率。     

AZ31镁合金表面磁控溅射SiNx薄膜的性能研究

采用磁控溅射法在AZ31镁合金表面沉积了SiNx薄膜.用场发射扫描电镜、X射线衍射、X光电子能谱等研究分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和化学成分.实验结果表明,所制备的SiNx薄膜为非晶态的富N膜;SiNx薄膜可显著降低AZ31在3.5%的NaCl溶液中的腐蚀电流密度,膜厚为1.5靘时,在阳极极化区出现钝化现象.     

SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响

深入地研究了ＳｉＮｘ钝化膜厚度对ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｐＨＥＭＴ电性能的影响,实验结果表明,ｐＨＥＭＴ器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;妆膜厚超过２００ｎｍ时,将影响ｐＨＥＭＴ器件电特性。     

磁控溅射工艺参数对不锈钢薄膜结合性能的影响

采用直流磁控溅射法在钢片上制备不锈钢薄膜,通过改变溅射功率、溅射时间、真空度、氩气压强、基片与靶材间距等,研究其对薄膜结合力的影响.为获得致密度高、结合力好的不锈钢薄膜提供了可行的工艺参数范围.     

多晶硅太阳电池双层SiN_x镀膜工艺研究

采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。     

工艺参数对氧化铟锡薄膜光电性能的影响

研究了磁控溅射陶瓷靶制备氧化铟锡薄膜时优化工艺参数的重要性,通过实验和理论分析了几个主要工艺参数对氧化铟锡薄膜光电性能的影响,给出了基底温度、溅射电压、氧含量等参数的最佳范围。结果表明,只有当工艺参数位于最佳范围时,才能制备出光电性能最佳的氧化铟锡薄膜。     

PECVD法制备氮化硅薄膜的研究进展

等离子增强型化学气相沉积（PEDVD）是目前较为理想和重要的氮化硅薄膜制备方法。着重介绍了PECVD法制备氮化硅薄膜工艺参数的研究进展。     

TiO2薄膜溅射工艺参数对其光催化性能的影响

利用中频交流反应磁控溅射方法制备TiO2薄膜光催化剂,研究了溅射工艺参数对薄膜光催化能力的影响.采用动态反应系统,紫外光源为TUV,降解对象为0.02 mmol/L亚甲基蓝溶液.结果发现:Ar/O2混合反应溅射在O2分压大于9%之后亦可制备出光催化能力与纯O2溅射相近的TiO2薄膜.TiO2薄膜厚度是影响其光催化降解能力的最敏感因素,800 nm以下TiO2薄膜降解能力基本与厚度成正比.TiO2薄膜在黑暗环境下长期放置,光催化性能会出现一定下降,但紫外光预照射可以使其有效恢复.     

SiNx薄膜中硅纳米粒子的制备及表征

通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法, 以氨气和硅烷为反应气体, P型单晶硅和石英为衬底, 低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiN_x)薄膜. 经高温(范围500~950℃)退火处理优化了薄膜结构. 室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiN_x薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱, 对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析. Raman光谱表明. SiN_x薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构. PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带, 随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同. 当退火温度低于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移. 当退火温度高于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而红移. 通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应. 这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义.     

PECVD法制备非晶硅薄膜及光电性能研究

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜,利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究,对透过率和电阻率进行了分析,结果表明,采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知,气体总压对透过率影响最大;硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为：射频功率30W、气体总压100Pa,硅烷5％、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93．18％,电阻率为13．238kΩ·cm。     

PECVD制备新型介质薄膜碳氮化硅工艺性能研究

研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量也大大减少，但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试，表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。     

PECVD法生长晶化硅薄膜的机理

硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。     

PECVD法制备的SnOx气敏膜的色变机理

有用ＰＥＶＣＤ法制备了非晶掺Ｓｎ有机膜，经过退火处理得到ＳｎＯｘ气敏膜，考察了退火过程和气敏响应过程的阻温特性和颜色变化的关系，研究了表面掺Ａｇ对ＳｎＯｘ元件电阻、     

PECVD法淀积不同应力状态氮化硅薄膜工艺研究

等离子增强化学气相淀积法(PECVD)淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统(Micro-Electromechanical System,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义.本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低...     

PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究

本文研究了ＰＥＣＶＤ方法制备Ｓｉ－Ｏ－Ｍ系梯度薄膜材料，并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Ｒｕｇａｔｅ单通带滤波器样品。结果表明，采用ＰＥＣＶＤ方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料，ＰＥＣＶＤ方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。     

工艺参数对20MnSi热轧棒材力学性能的影响

通过研究规格为φ14mm的20MnSi热轧棒材工艺参数,指出在终轧温度为850℃左右时,以0．5～2．0℃／s的速度冷却至650℃,得到的20MnSi热轧成品棒材组织晶粒更细小,力学性能更高。与常规轧制相比,对20MnSi热轧棒材参数进行控制,抗拉强度提高60MPa,晶粒直径平均缩小2．2μm。     

基于PECVD方法制备的透明硅氧烷（SiOxCyHz）阻隔薄膜特性研究

柔性、透明的高阻隔性薄膜在有机太阳能薄膜电池、柔性有机发光二极管、电子纸和真空绝热板等领域都有需求。采用对电极辊结构的等离子体增强化学气相沉积方法,卷对卷的方式在聚酯(PET)基膜上,以硅醚(HMDSO)为单体,氧气(O₂)为反应气体,制备了柔性硅氧烷(SiOxCyHz)薄膜。研究了膜厚,氧气/单体比例、压力等参数对透水率(WVTR)的影响规律、测试了膜层的组分、透射光谱、应力等特性。研究结果表明,透水率随硅氧烷薄膜厚度增大而减小,随氧气/单体比例增大而减小,随压力减小而增大。500 nm厚的硅氧烷薄膜透水率低于5×10^-3g/(m²·day),可见光谱段(380-760 nm)透光率达到88.6%,表面粗糙度为1.8 nm,薄膜应力随薄膜厚度增加显著增大。     

PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料,采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦ_ｘ、ＣＦ₂等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是３００℃．