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采用磁控溅射法在AZ31镁合金表面沉积了SiNx薄膜.用场发射扫描电镜、X射线衍射、X光电子能谱等研究分析了薄膜的晶体结构、表面形貌和化学成分.实验结果表明,所制备的SiNx薄膜为非晶态的富N膜;SiNx薄膜可显著降低AZ31在3.5%的NaCl溶液中的腐蚀电流密度,膜厚为1.5靘时,在阳极极化区出现钝化现象. 相似文献
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深入地研究了SiNx钝化膜厚度对AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT电性能的影响,实验结果表明,pHEMT器件的截止频率随着氮化硅钝化膜厚度的增加而下降;妆膜厚超过200nm时,将影响pHEMT器件电特性。 相似文献
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研究了磁控溅射陶瓷靶制备氧化铟锡薄膜时优化工艺参数的重要性,通过实验和理论分析了几个主要工艺参数对氧化铟锡薄膜光电性能的影响,给出了基底温度、溅射电压、氧含量等参数的最佳范围。结果表明,只有当工艺参数位于最佳范围时,才能制备出光电性能最佳的氧化铟锡薄膜。 相似文献
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TiO2薄膜溅射工艺参数对其光催化性能的影响 总被引:5,自引:0,他引:5
利用中频交流反应磁控溅射方法制备TiO2薄膜光催化剂,研究了溅射工艺参数对薄膜光催化能力的影响.采用动态反应系统,紫外光源为TUV,降解对象为0.02 mmol/L亚甲基蓝溶液.结果发现:Ar/O2混合反应溅射在O2分压大于9%之后亦可制备出光催化能力与纯O2溅射相近的TiO2薄膜.TiO2薄膜厚度是影响其光催化降解能力的最敏感因素,800 nm以下TiO2薄膜降解能力基本与厚度成正比.TiO2薄膜在黑暗环境下长期放置,光催化性能会出现一定下降,但紫外光预照射可以使其有效恢复. 相似文献
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通过等离子增强化学气相沉积(PECVD)法, 以氨气和硅烷为反应气体, P型单晶硅和石英为衬底, 低温下(200℃)制备了含硅纳米粒子的非化学计量比氮化硅(SiNx)薄膜. 经高温(范围500~950℃)退火处理优化了薄膜结构. 室温下测试了不同温度退火后含硅纳米粒子SiNx薄膜的拉曼(Raman)光谱、光致发光(PL)光谱及傅立叶变换红外吸收(FTIR)光谱, 对薄膜材料的结构特性、发光特性及其键合特性进行了分析. Raman光谱表明. SiNx薄膜内的硅纳米粒子为非晶结构. PL光谱显示两条与硅纳米粒子相关的光谱带, 随退火温度的升高此两光谱带峰位移动方向相同. 当退火温度低于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而蓝移. 当退火温度高于800℃时, PL光谱峰位随退火温度的升高而红移. 通过SiNx薄膜的三种光谱分析发现薄膜的光致发光源于硅纳米粒子的量子限制效应. 这些结果对硅纳米粒子制备工艺优化和硅纳米粒子光电器件的应用有重要意义. 相似文献
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在玻璃衬底上制备出非晶硅薄膜,利用正交试验法对射频功率、气体总压、硅烷比例、沉积时间、退火温度、退火时间因素进行了研究,对透过率和电阻率进行了分析,结果表明,采用PECVD法成功制备出非晶硅薄膜。正交实验表的分析得知,气体总压对透过率影响最大;硅烷比例对电阻率影响最大。制备非晶硅薄膜的优化条件为:射频功率30W、气体总压100Pa,硅烷5%、沉积时间5min、退火温度300℃、退火时间45min。非晶硅薄膜的光透过率93.18%,电阻率为13.238kΩ·cm。 相似文献
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研究了PECVD法制备新型介质膜碳氮化硅(SiCxNy:H)的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响,发现经退火后,其电阻率有明显的下降,氢含量也大大减少,但是膜的结构仍然是非晶态的。最后对该薄膜的特性进行测试,表明碳氮化硅薄膜具有较好的绝缘性能。 相似文献
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硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义。选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化。通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T<550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90%以上。结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差。认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差。模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性。 相似文献
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有用PEVCD法制备了非晶掺Sn有机膜,经过退火处理得到SnOx气敏膜,考察了退火过程和气敏响应过程的阻温特性和颜色变化的关系,研究了表面掺Ag对SnOx元件电阻、 相似文献
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等离子增强化学气相淀积法(PECVD)淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统(Micro-Electromechanical System,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义.本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低... 相似文献
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PECVD方法用于梯度薄膜材料的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
本文研究了PECVD方法制备Si-O-M系梯度薄膜材料,并运用计算机控制技术成功地制备了涂层折射率随膜深成正弦波形式连续变化的Rugate单通带滤波器样品。结果表明,采用PECVD方法可以制备性能上乘、结构复杂的梯度薄膜材料,PECVD方法在研究、开发高级光学涂层领域有着宽广的应用前景。 相似文献
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柔性、透明的高阻隔性薄膜在有机太阳能薄膜电池、柔性有机发光二极管、电子纸和真空绝热板等领域都有需求。采用对电极辊结构的等离子体增强化学气相沉积方法,卷对卷的方式在聚酯(PET)基膜上,以硅醚(HMDSO)为单体,氧气(O2)为反应气体,制备了柔性硅氧烷(SiOxCyHz)薄膜。研究了膜厚,氧气/单体比例、压力等参数对透水率(WVTR)的影响规律、测试了膜层的组分、透射光谱、应力等特性。研究结果表明,透水率随硅氧烷薄膜厚度增大而减小,随氧气/单体比例增大而减小,随压力减小而增大。500 nm厚的硅氧烷薄膜透水率低于5×10-3g/(m2·day),可见光谱段(380-760 nm)透光率达到88.6%,表面粗糙度为1.8 nm,薄膜应力随薄膜厚度增加显著增大。 相似文献
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PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以正硅酸乙酯(TEOS)和八氟环丁烷(C4F8)为原料,采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜(SiCOF).样品的X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析表明薄膜中含有Si-F、Si-O、C-F、C-CFx、CF2等构型.刚淀积的薄膜的折射率约为1.40.对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是300℃. 相似文献