密封涂覆光纤的机械可行性和氢扩散特性

Ａｌｃａｔｅｌ Ｋａｂｅｌ Ｎｏｒｇｅ ＡＳ使用碳涂覆光纤已经５年多了。已经证明了碳涂层使石英玻璃表面与环境隔离的有效性，由此确保碳涂层可防止机械性能的降低和减少氢到达纤芯。     

一种制造开关器件掺金的新方法

本文讨论了高速在开关器件制造过程中所采用的蒸金工艺的不足。通过实验证实采用新的掺金工艺所生产的开关器件开关参数一致性,以及输出特性均好于前者生产的器件。     

一种用于扩散连接的金浆料

研制了一种用于扩散连接的金浆料。这种浆料主要由金粉和有机载体组成。浆料的烧成特性和粘度对扩散连接强度影响较大。金粉的分散性、表面形态和颗粒尺寸会影响浆料的烧成特性和粘度。载体会影响浆料的粘度。金浆料中掺入片状金颗粒能改善扩散连接强度     

多条小间距扩散结横向扩散比例的测量

用磨角法测量扩散结深和横向扩散比例将遇到来自两方面的误差影响；斜角的影响和结面交连的影响。斜角的影响是主要的但往往被忽视，结面交连的影响在两结十分靠近且结深较大时比较明显，对静电感应器件而言更是如此，二者匀使测量结果的误差和数据的离散性偏大。斜角的影响表现在使测得的横向扩散比例减小，甚至是成倍地减小。     

浅谈掺金扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响

简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数,通过长期工作在二极管生产制造中的实践经验,根据实验数据分析掺金工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间trr和外延二极管正向压降VF,以及反向电流IR的影响.     

生产IGBT的一种工艺──三重扩散

根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。     

焊膏涂覆工艺选择对CCGA焊接可靠性的影响研究

首先从焊膏材料特性、涂覆形貌、贴片形貌、焊接形貌等方面,对比研究了喷印和丝印两种焊膏涂覆工艺;并通过CCGA器件焊接对比分析了焊膏涂覆选择对焊点可靠性的影响。结果表明:焊膏材料特性包括粒径、合金含量和焊膏黏度等对涂覆工艺的选择至关重要。在涂覆形貌上,丝印焊膏因其颗粒度大,助剂少,相比喷印焊膏有更好的形貌稳定性。采用KH-7700显微镜、X-ray探测和金相剖切对焊接结果进行检验,两种涂覆工艺及其材料均呈现良好的焊接形貌和均匀连续的金属间化合物结构,证明了两种焊膏涂覆工艺焊接CCGA器件的可靠性。     

精确模拟各类扩散结型器件纵向完整掺杂分布的归一化函数

本文用一组特征参数[N_O、m、λ、U_s(V_s)、A、S和 f]及所组成的归一化函数 N(u)或N(v)实现了对各类扩散结型器件纵向掺杂分布的统一完整精确适用的解析模拟.文中详述了模拟函数的性质与性能以及确定特征参数的方法,指出了该结果在器件理论研究与计算机模拟中的普遍适用性,还对良好的前景做了展望.     

一种用于护散连接的金浆料

研制了一种用于扩散连接的金浆料。这种浆料主要由金粉和有机载体组成。浆料的烧成特性和粘度对扩散连接强度影响较大。金粉的分散性、表面形态和颗粒尺寸会影响浆料的烧成特性和粘度。载体会影响浆料的粘度。金浆料中掺入片状金颗粒能改善扩散连接强度。     

载流子扩散对电荷耦合器件调制传递函数的影响

以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例,从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制,提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法,并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的CCD调制传递函数曲线,讨论了载流子扩散对传递函数的影响.利用已有的传递函数测量仪进行实验,数值模拟结果与实验结果基本吻合.     

载流子扩散对电荷耦合器件调制传递函数的影响

以表面沟道前射电荷耦合器件(CCD)为例,从理论上讨论了CCD内载流子扩散的机制,提出了利用光积分周期内收集的总信号电荷密度求CCD调制传递函数的方法,并获得了耗尽宽度随信号电荷密度改变时的CCD调制传递函数曲线,讨论了载流子扩散对传递函数的影响.利用已有的传递函数测量仪进行实验,数值模拟结果与实验结果基本吻合.     

潮湿扩散及湿热应力对叠层封装件可靠性影响

利用MARC软件,通过模拟实验分析了潮湿扩散及湿热应力对叠层封装器件可靠性的影响,对30℃,RH 60%,192 h条件下预置吸潮到后面的无铅回流焊解吸潮过程进行了有限元仿真;对85℃,RH 85%,168 h条件下元件内不同界面的潮湿扩散进行分析,得出潮湿扩散对界面的影响规律。使用一种湿热耦合方法计算湿热合成应力并与单纯热应力进行了对比。结果表明:最大湿热应力和热应力一样总是出现在顶部芯片与隔离片相交的区域,其数值是单纯热应力数值的1.3~1.5倍。     

高速纳秒脉冲激光器驱动电源的设计

介绍了一种可靠的脉冲激光器驱动电源的设计方法。采用直接调制技术,通过高速场效应管作为开关器件,辅以稳定的外围电路,调制出脉冲宽度小于2ns纳秒的窄脉冲光。     

精密连接——真空扩散焊和过渡液相连接的实验研究

针对新型电真空器件研制过程中的精密连接要求,进行了无氧铜真空扩散焊、过渡液相连接工艺实验。并应用氦质谱检漏仪、测量显微镜、金相显微镜、扫描电子显微镜对扩散焊试样进行分析,并进行了不同扩散温度、不同扩散时间的对比实验。实验表明:在相同工艺参数下,无氧铜直接扩散连接能获得可靠的扩散焊接头,内部结构变形量1~12μm,漏率5×10-4 Pa·m3s-1,且在相同扩散压力条件下,不能通过提高扩散温度,延长扩散时间的方法获得气密性接头;过渡液相连接接头可达到气密性要求(QL<5×10-9 Pa·m3s-1),变形量5~15μm,镀银层充分扩散到母材中。     

硅基芯片金锡共晶焊工艺中金硅扩散机理研究

金锡合金焊料(Au⁸⁰Sn²⁰)具有良好的导热、导电性,广泛用于高可靠集成电路共晶贴片工艺。研究了硅基芯片AuSn共晶焊工艺中工艺参数对硅原子向AuSn焊料扩散的影响,当共晶温度从310 ℃增加到340 ℃时,AuSn焊料中硅原子质量百分比增加1个数量级。分析了硅原子向AuSn焊料的扩散机理,讨论了硅原子向焊料扩散后对产品可靠性的影响及控制措施。     

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构，在器件加工过程中，特别是在封装过程中极易受损，大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后，加上一层封盖保护，可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金-硅键合新结构，实验证明此方法简单实用，效果良好。该技术与器件制造工艺兼容，键合温度低，有足够的键合强度，不损坏器件结构，实现了MEMS器件的芯片级封装。我们已经将此技术成功地应用于射流陀螺的制造工艺中。     

飞兆半导体推出超小型“高速USB2．0”MicroPak^TM芯片级封装器件

国际整流器公司（IR）于近日发布了一款电压为200V的控制集成电路IRS20124S，专为每个通道高达500W的D类音频放大领域。     

上海高速磁悬浮地面牵引供电系统

本文首先简单介绍了一般磁浮列车的牵引供电系统，然后以上海高速磁浮列车的牵引供电系统为例，详细阐述了牵引变流器的工作原理，并对以门极可关断晶闸管（GTO）为开关器件的三点式逆变器作了详细的分析。