测量噪声功率谱作为筛选光电耦合器件的方法研究（Ⅱ）

在文献「１」中作者曾提出用测量光电耦合器件噪声功能率谱的方法,筛选光电耦合器件。此 根据低频噪声的幅值。但在实验中发现,由于１／ｆ、ｇ－ｒ和爆裂噪声三者之间相关性较弱,在剔除掉１／ｆ噪声值较大的器件后,ｇ－ｒ噪声和爆裂噪声较大的器件却可能未被易除。     

光电器件

9914984测量噪声功率谱作为筛选光电耦合器件的方法研究[刊]/徐建生//光电子·激光.—1999,10(3).—236～239(Y)用国产元件修复 PE-5000型原子吸收分光光度计光电倍增管高压电路经验介绍(见9915868)真空紫外 MCP-PMT 中应用碘化铯阴极的研究(见9914974)     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下，测量了光电耦合器件的g-r（产生-复合）噪声．实验结果表明，随着偏置电流的增加，g-r噪声逐渐向高频移动，其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律．通过测量前级噪声和后级噪声，发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管．基于载流子数涨落机制，建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型．实验结果和本文模型符合良好．     

混合集成光电耦合器噪声特性研究

光电耦合器件作为光电混合器件比一般分立器件结构复杂，其内部噪声的种类较多，在低频时主要表现为1/f噪声，高频时主要表现为散粒噪声。本文在介绍光电耦合器件工作原理的基础上，从理论上分析了1/f噪声产生机理。设计了噪声测量方法，并通过对其测量结果分析，深入研究了噪声和光电耦合器质量与可靠性的关系。     

光电耦合器件g-r噪声模型

在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g-r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g-r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g-r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.     

基于虚拟仪器的低频噪声自动测试系统设计

电子器件的低频噪声是表征其工作可靠性的敏感参数,基于虚拟仪器组建了一套低频噪声测试系统,由双通道低噪声前置放大器、PXI-4472数据采集卡和PC机构成.介绍了系统功能框图和软件设计,不仅能够测量光电耦合器的噪声功率谱,而且还能显示时域波形,并完成时域分析.运用LabVIEW软件对噪声进行快速准确的检测和分析,通过小波分析剔除爆裂噪声,自动完成测试数据存储、打印等功能,并给出了低频噪声功率谱测量结果和时域波形,为电子器件的可靠性诊断和筛选提供必要的依据.     

光电耦合器件低频噪声特性与可靠性老化研究

在宽的输入偏置电流范围条件下,开展了光电耦合器件低频噪声特性测试与功率老化和高温老化的可靠性试验研究。结果表明,光电耦合器件的低频噪声主要是内部光敏晶体管1/f噪声,并随输入偏置电流的增大呈现先增大后减小的规律,这与器件的工作状态密切相关。功率老化试验后,高输入偏置电流条件下的低频噪声有所增大,这归因于电应力诱发的有源区缺陷。高温老化试验后,整个器件线性工作区条件下的低频噪声都明显增大,说明温度应力能够更多地激发器件内部的缺陷。相对于1/f噪声幅度参量,低频噪声宽带噪声电压参量可以更灵敏准确地进行器件可靠性表征。     

激光-CCD系统衍射谱分析法测量光学系统传递函数

建立了以线阵列CCD器件测量衍射功率谱的实验装置，给出了由衍射功率谱占计算镜头光学传递函数的理论模型和计算程序，通过与常规的象面扫描方法测量OTF比较，讨论了测量高倍显微物镜OTF的可能性，最后给出了实验结果。     

噪声电路理论的实验研究

文献建立了较完善的噪声理论,其显著的优点是使电路或器件的嗓声性能分析及低噪声设计的精度和效率大为提高.本文给出了针对该噪声理论的实验研究,从实测角度证明了该理论的正确性及其相应优点.文中给出的噪声谱测量系统相对已有其它噪声测量仪器具有能对整个低频噪声谱测量,精确度优于4％及自动测量等优点.文中还提出了器件噪声参数测量及优化提取方法.最后,给出了理论与实测结果的对比实例.     

脉冲激光测距仪雪崩光电探测器最佳工作状态和接收灵敏度研究

根据脉冲激光测距仪目前广泛应用的达通型硅雪崩光电二极管（Si-APD)的噪声谱密度,从理论和实验结果分析各种测距精度的脉冲激光测距仪,在不同脉冲宽度条件下,Si-APD的负载电阻、接收放大器带宽、噪声等效功率,最小可探测功率以及信噪比等数据,并将其进行比较。说明保持Si-APD器件的最佳工作状态是提高激光测距仪的探测灵敏度和测量数据的稳定性、可靠性的重要条件。     

"弱P型"和低迁移率n型碲镉汞体材料的迁移率谱研究

详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法.窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料.特别是"弱p型"材料,由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级(b=μ/hμ≈102),更容易受到少数载流子(电子)的干扰,因此通过单一磁场的霍尔测试无法区分性能很差的低迁移...     

微区光谱技术在细胞生物学中的应用

建立了能精确测量基于单细胞水平的细胞透过率的微区透射反射光谱仪,应用此装置测量了衣藻细胞和白血病人未加药处理以及药物处理后４８小时的白细胞的透过率曲线．测量结果表明:１)衣藻细胞的吸收峰值与叶绿体的吸收峰值相一致,说明衣藻细胞中吸收光能的细胞器主要是叶绿体;２)两种白细胞的透过率存在明显的差异,说明药物使癌细胞发生了改变．这对于研究怎样有效提高光合作用效率以及临床医学研究中细胞鉴别和药物筛选具有重要的指导意义．     

基于双窗全相位FFT的激光多普勒频率提取与校正方法

针对于激光多普勒信号解算中存在的频谱泄露以及栅栏效应等问题,将性能更优异的汉宁自卷积窗(HSCW)以及全相位频谱分析(apFFT)运用于多普勒信号的短时傅里叶变换(STFT)中,并且通过双谱线法对所获得的频谱进行了校正。理论与仿真表明,双汉宁自卷积窗(HSCW)apFFT比传统apFFT更能抑制旁谱泄露,并且相对于传统FFT,双HSCW窗apFFT所提供的的频谱位置与幅值能够更好的满足双谱线校正法频率校正的要求。通过将该种算法应用于高冲击下加速度传感器的校准系统中,实测结果表明,其解算结果与标准传感器的加速度峰值误差在1 %左右。     

利用频谱排序和筛选的突变噪声快速估计

针对最小值控制递归平均(Minima Controlled Recursive Averaging,MCRA)算法不能快速跟踪突变噪声的问题,提出了一种基于频谱排序和筛选的突变噪声快速估计方法。该方法在MCRA算法的基础上对带噪语音的功率谱进行排序,筛选出不含语音信号的频点来估计噪声的平均功率谱;当检测到噪声突变时,对当前的平滑参数和状态变量进行校正。仿真结果表明,该方法可以将突变噪声的跟踪时间缩短90%以上;用于语音降噪处理时,音质可以提升约0.4分。该方法具有一定的工程应用价值。     

A SIMPLE APPROACH TO THE CALCULATION OF THE MECHANICAL STRESS IN SILICON DEVICES

The residual mechanical stress in SiO_2 films results in the degradation of mobilitiesin MOSFETs. Based on the edge force approximation in SiO_2 films, the stress field in MOS devicesis calculated. The results here are in agreement with those measured by the Raman spectrummethod.     

计算MOS器件应力的简单方法

本文根据SiO2薄膜的边缘力集中近似模型,求出了硅MOS器件中的应力场。计算结果与K.Kobayashi(1990)进行的Raman谱测量结果吻合较好。     

Visible Light Excitation Characteristics of Novel Infrared Up-conversion Materials

The Fluorescence excitation spectrum, emission spectrum and infrared up-conversion luminescence excitation spectrum are measured. The results of spectrum measurement show that the electron trapping materials CaS: Eu, Sm are of visible light excitation. The mechanism of visible light excitation is analyzed.     

数字存储式频谱分析仪计量方法的优化

针对国家现行频谱分析仪检定规程测量方法繁琐,不能适应数字式频谱分析仪检定要求等不足,研究了分辨力带宽、扫频宽度等参数检定的新方法,分析了频谱分析仪测量设置对测量结果的影响,并对新方法进行了实验验证。仿真结果表明,新方法在分辨力带宽等项目上具有相应的理论基础,新方法与现行规程规定的方法具有很好的一致性;频谱仪的测量设置直接影响测量结果的合格判定;在分辨力带宽等参数上,新方法可以替代现行方法,且具有方便快捷、易于自动化等优点。     

Line-profile and critical-dimension monitoring using a normal incidence optical CD metrology

As lithographic technology drives the minimum integrated circuit feature size toward 0.1 /spl mu/m and below, process tolerances for critical-dimension profile excursion are becoming increasingly demanding. In response, optical critical dimension metrology (OCD), an optical-wavelength light-diffraction technique, is emerging as a fast, accurate, and nondestructive sub-100-nm linewidth and profile monitor. As such, a detailed understanding of the correlation between OCD and existing metrology tools is required. Correlation between CD measurements using OCD and CD-scanning electron microscopy (SEM) techniques is investigated by measuring two types of important structures, e.g., photoresist gratings on a polysilicon gate film stack and shallow trench isolation. Intragrating CD variation is shown to account for scatter in the correlation plot. A qualitative line-profile correlation between cross-section SEM (X-SEM) and OCD is presented for photoresist gratings in a focus exposure matrix. Finally, a summary of the capability of OCD as a monitor for various processing stages is presented.