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基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性。利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18μmCMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6mm×1.5mm。测试结果表明,在3.1~5.2GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12dB,噪声系数NF<3.1dB。电源电压为1.8V,功耗为14mW。 相似文献
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基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性.利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18 μm CMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6 mm×1.5 mm.测试结果表明,在3.1~5.2 GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12 dB,噪声系数NF<3.1dB.电源电压为1.8V,功耗为14mW. 相似文献
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一种5.7 GHz CMOS 全集成低噪声放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出并设计了一种可以完全单片集成的5.7 GHz低噪声放大器(LNA)。该电路结构利用MOSFET自身的栅寄生电阻,通过简单的LC网络变换实现输入匹配;并采用跨阻结构,实现输出匹配。该电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺,用ADS模拟软件进行分析与优化。结果表明,设计的低噪声放大器,其增益为11.34 dB,噪声系数为2.2 dB,功耗12 mW,输入反射系数-33dB,线性度-4 dBm。 相似文献
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王创业 《无线电技术(上海)》2006,(1):22-28
本文主要介绍了利用ADS2004A软件设计低噪声放大器的设计过程,并对设计和调试进行了详细的总结。对仿真和测试结果进行了比较,分析误差存在的几点因素,以便今后工作的改善和提高。 相似文献
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提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善。该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz。仿真表明,在电流消耗为300μA的条件下,提出的低噪声放大器具有更好的噪声系数与增益,分别比传统的电感源极衰减低噪声放大器改善1.9 dB与5.3 dB。 相似文献
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扼要地介绍了AWR公司Microwave Office设计软件。讨论了利用该软件设计3-5GHz波段的宽带低噪声放大器的过程,并给出了电路的拓扑结构和计算机的仿真结果。经过实际测试,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。 相似文献
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设计了一种工作频率为2.4 GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入端口的各种寄生效应,给出了简明而有效的设计公式和设计过程。在低增益模式下,提出了一种改进线性度的方法。采用TSMC 0.18 μm CMOS RF工艺进行了设计。后仿真结果表明,在功耗为1.8 mW时,最高增益为35 dB,对应的噪声系数为1.96 dB;最低增益为5 dB,对应的输入3阶交调点为3.2 dBm。 相似文献
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1.9GHz0.18μm CMOS低噪声放大器的设计 总被引:1,自引:1,他引:0
针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于1.2V电压的基于源级电感负反馈共源共栅结构而改进的CMOS低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性特性等主要性能进行分析。并与传统的低噪声放大器进行对比,该电路采用两级放大结构,通过加入电容和电感负反馈可以分别实现低功耗约束下的噪声优化和高的线性度。采用TSMC0.18μm CMOS工艺模型设计与验证,实验结果表明:该低噪声放大器能很好满足要求,且具有1.4dB的噪声系数和好的线性度,输入1dB压缩点-7.8dBm,增益11dB,功耗11mW。 相似文献
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通过一个符合性能指标的,用于射频接收系统的CMOS低噪声放大性能的设计,讨论了深亚微米MOSFET的噪声情况,并在满足增旋和功耗的前提下,对低噪声放大噪声性能进行分析和优化,该LNA工作在2.5GHz电源电压,直流功耗为25mW,能够提供19dB的增益(S21),而噪声系数仅为2.5dB,同时输入匹配良好,S11为-45dB,整个电路只采用了一个片外电感使电路保持谐振,此设计结果证明CMOS工艺在射频集成电路设计领域具有可观的潜力。 相似文献
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SPACEKLABS研制成这种最新的低噪声放大器在毫米波段 ,33~ 5 0GHz(WR - 2 2 )和 4 0~ 6 0GHz(WR - 19)能够提供全波段的性能。在此频段风 ,典型增益为 18~ 2 0dB ,最小噪声系数为 3dB。在 +8~ +11VDC时 ,DC为 5 0mA。全波段毫米波低噪声放大器@一凡 相似文献
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采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计了一个低电压低功耗的低噪声放大器(Locked Nucleic Acid,LNA).分析了在低电压条件下LNA的线性度提高及噪声优化技术.使用Cadence SpectreRF仿真表明,在2.4 GHz的工作频率下,功率增益为19.65 dB,输入回波损耗S11为-12.18 dB,噪声系数NF为1.2 dB,1 dB压缩点为-17.99 dBm,在0.6V的供电电压下,电路的静态功耗为2.7 mW,表明所设计的LNA在低电压低功耗的条件下具有良好的综合性能. 相似文献
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本文给出了利用0.18umCMOS工艺设计的5.2GHz低噪声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益为15.8dB噪声系数为1.4dB. 相似文献
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S波段低噪声放大器的分析与设计 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理和流程。对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素进行了软件仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终的微带电路。放大器设计为两极结构,采用GaAsFET器件和双电源电路设计形式,达到了预定的技术指标,工作带宽2.0~4.0GHz,增益G〉22dB,噪声系数NF〈0.7dB。 相似文献
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X波段宽带单片低噪声放大器 总被引:12,自引:1,他引:12
从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9~14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9~14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9~14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。 相似文献
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介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5~6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1. 相似文献
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