电子辐照改善氢化非晶硅的结构弛豫

氢化非晶硅（α-Si:H）的结构弛豫是导致α-Si:H性能光诱导衰变的重要原因之一。用0.5MeV、注量1.3×1020e/cm2的电子束辐照,α-Si转化为微晶硅,不稳定的弱Si-Si键因断裂而减少。α-Si光电池的相应试验初步证实,合适的电子辐照可以缓解α-Si的结构弛豫现象。     

电子辐照改善氢化非晶硅的结构孔弛豫

氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）的结构弛豫是导致α－Ｓｉ：Ｈ性能光诱导衰变的重要原因之一。用０．５ＭｅＶ、注量１．３ × １０２０ｅ／ｃｍ２的电子束辐照,α－Ｓｉ转化为微晶硅,不稳定的弱Ｓｉ－Ｓｉ键因断裂而减少。 α－Ｓｉ光电池的相应试验初步证实,合适的电子辐照可以缓解α－Ｓｉ的结构弛豫现象。     

SCLC法测量非晶硅有效隙态密度

提出了用空间电荷限制电流（SCLC）法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法，并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。     

氢化非晶硅中空穴与电子的俘获效应：PIN型非晶硅太阳能电池稳…

通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对经高强度光辐照过的ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，载流子俘获效应所造成的ａ－Ｓｉ：Ｈ中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生改变和准中性区的出现，使电池性能因光的长期辐照而衰退。本文还讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中载流子俘获效应的研究在高稳定性ＰＩＮ型非晶硅太阳能电池研制中的重要性。     

非晶硅太阳电池的研究与发展

本文介绍了非晶硅太阳电池的发展概况和当前的现状,并较为详细地论述了非晶硅p-i-n结构太阳电池中的材料与器件方面的关键问题。最后对尚存的问题和今后研究与发展方向也作了讨论。     

氢化非晶硅局域态电荷密度的解析统一模型

本文发展了一种简明的氢化非晶硅局域态电荷密度统一模型。从ａ－Ｓｉ材料的带隙态密度适配参数分布函数出发，采用Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ统计描述，推导出局域态电荷密度统一的解析表达式，该模型同时考虑了带尾局域态和缺陷局域态的作用。     

非晶硅太阳能电池的应用

<正> 太阳能是最洁净的能源,它无任何污染和公害,并且取之不尽,用之不竭,有着十分广阔的应用领域。它的开发和应用为人们的生活带来了很大方便。 工作原理 非晶硅太阳能电池是一种新型的太阳能电池。它是可把光能直接转换成电能的半导体器件,具有以下特点:(1)     

氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究

报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。     

Al_xSi_(1-x)的电子结构

本文用VCA和CPA方法计算了Al_xSi_(1-x)合金的电子态密度.能带计算采用经验LCAO方法.所得结果与Verges用非晶的Bethe晶格模型的计算结果相符.据我们所知,这是首次尝试用VCA和CPA方法研究非晶体系的电子结构.     

薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性的影响明显增大，本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致。     

a—Si等离子体刻蚀的研究

将等离子体刻蚀应用于非晶硅的刻蚀中,得到边缘整齐、分辩率高、重复性好、图形清晰的满意效果。通过调整工艺条件,可严格控制刻蚀速率。其特点优于湿式化学腐蚀,是一种非晶硅特性研究和器件制造中值得推广和使用的方法。     

Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究

本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。     

Si(113)表面电子结构的研究

采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.     

Some electrical and optical properties of a-Si:F:H alloys

Amorphous Si:F:H with desirable properties for photovoltaic applications can be fabricated by the glow discharge of SiF₄ and H₂. The preparation conditions influence the properties of the resultant alloy. For instance, altering the ratio of SiF₄ to H₂ from 80 to 5 can alter the localized state density from 10¹⁹cm⁻³eV−1 to ≃ 10¹⁶cm⁻³eV-1, respectively. The conduction mechanisms are altered and there are vast changes in the photoconductivity as the density of recombination centers is decreased. The lower density of states achieved in the a-Si:F:H alloy reflects in the ease of doping. In addition, the lower density of states in a-Si:F:H alloy should result in a wider depletion region than reported for the a-Si:H alloy when fabricated within the device configuration. Results of C-V measurements using Au Schottky barrier devices confirm this.     

用HREELS和UPS研究多孔硅的电子结构

使用高分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了新腐蚀的多孔硅(PS)样品的电子结构。实验结果表明,从HREELS谱中能量损失阚值测得的PS的能隙移到2．9eV,与文献报道的光激发谱(PLE)结果相近。UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si。结合HREELS和UPS结果可以初步得出PS与Si界面的能带排列。     

α-SiC/α-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究

本文研究一种新型a-SiC/a-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的制备工艺和结构,详细讨论了色敏元件的优化设计以及响应特性、暗电流等性能。实验结果表明,由于采用宽带隙的a-SiC窗口层和分离反应室的PECVD工艺,使色敏元件的灵敏度和暗电流特性得到了明显改善。     

硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,研究了(5,0)和(5,5)硅纳米管结构和电子性质。计算结果表明:(5,0)管硅原子相邻键长波动范围为0.068 nm,大于(5,5)管的0.006 nm;通过对(5,0)管的分波态密度进行分析发现,其3s电子和2p电子能量分布在-13～3 eV,但2p电子集中分布在能量较高的-6～3 eV,出现了明显的sp3轨道杂化。同时对(5,0)和(5,5)硅纳米管最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙进行了分析,发现两种管导电性能与结构的手性相关,锯齿型(5,0)管能带交叠具有明显的金属性,而扶手型(5,5)管能隙为0.151 eV是半导体纳米管。     

Analytical Model for Calculating Trapped Charge in a－Si：H and Its Relative Error Analysis

ＡｎａｌｙｔｉｃａｌＭｏｄｅｌｆｏｒＣａｌｃｕｌａｔｉｎｇＴｒａｐｐｅｄＣｈａｒｇｅｉｎａ－Ｓｉ：ＨａｎｄＩｔｓＲｅｌａｔｉｖｅＥｒｒｏｒＡｎａｌｙｓｉｓＷＡＮＸｉｎｈｅｎｇ；ＸＵＺｈｏｎｇｙａｎｇ；ＺＯＵＸｕｅｃｈｅｎｇ（ＨｕａｎｚｈｏｎｇＵｎｉｖ...