CMOS电路芯片ESD保护电路设计技术的发展

本文简要地回顾了ＣＭＯＳ电路芯片上ＥＳＤ保护电路设计技术发展概况，给出了在中小规模、大规模及超大规模各阶段的ＣＭＯＳ电路芯片上ＥＳＤ保护电路的主流技术，双寄生的ＳＣＲ结构ＶＬＳＩ ＣＭＯＳ芯片上ＥＳＤ保护电路的最新设计技术，就其ＥＳＤ保护原理、设计技术及取得的成果做了较详细分析和探讨。对于研制高密度、高速度的ＶＬＳＩ ＣＭＯＳ电路。开展高ＥＳＤ失效阈值电压，小几何尺寸及低ＲＣ延迟时间常数保护电路的     

CD/DVD-ROM二合一新格式CDVD

ＳｏｎｉｃＳｏｌｕｔｉｏｎｓ公司近日在ＮＡＢ上宣布他们将扩展ＤＶＤ的格式,允许ＰＣ在普通ＣＤ－ＲＯＭ驱动器上运行像ＤＶＤ视频光盘一样的格式化的光盘。这款代号ＣＤＶＤ的产品,采用了最新的内置式软解压ＤＶＤ播放器,同时还联合了ＲＡＶＩＳＥＮＴ技术公司的技术,它使得Ｐｅｎｔｉｕｍ级的ＰＣ用户通过ＣＤ或者其它的存储媒体可以看到ＤＶＤ格式的电影。新的ＣＤＶＤ工艺将包括在所有的ＳｏｎｉｃＤＶＤ系统中。ＲＡＶＩＳＥＮＴＣｉｎｅＭａｓｔｅｒｃＤＶＤ播放器包括完整的ＤＶＤ导航功能、独立的ＭＰＥＧ视频解码器、ＰＣＭ…     

SPVP/PVP技术在ATM ADSL业务中的应用

１ＳＰＶＰ／ＰＶＰ技术简介ＡＴＭ网络可以为用户提供永久虚电路（ＰＶＣ／ＰＶＰ）、软永久虚电路（ＳＰＶＣ／ＰＶＣ）和交换虚电路（ＳＶＣ／ＳＶＰ）用于数据高速传输。目前在基于ＡＴＭ信元的ＡＤＳＬ接入系统中 ,ＡＤＳＬＭｏｄｅｍ至ＤＳＬＡＭ主要采用ＰＶＣ（个别厂家虽然支持ＳＶＣ ,但由于技术、成本等原因应用实例较少）。而从ＤＳＬＡＭ至宽带接入服务器(包括中间经过一个或者多个ＡＴＭ交换机 ) ,可一个用户独占一条ＰＶＣ ,也可多个用户共享一条ＰＶＰ。前者虽性能较佳但配置复杂 ,因此 ,在ＡＤＳＬ业务开放中推荐使用ＰＶ…     

参加ITU—TSG13研究组1997年2月会议总结报告（下）

２－４ＳＤＨ和光传输网２－４－２虚级联ＡＴＭ能提供带宽利用的灵活性，但目前的ＡＴＭ系统还不能实现在故障情况下对ＶＰ（虚通道）或ＶＣ（虚通路）的快速恢复。ＳＤＨ系统虽能提供对ＭＳ（复用段）或ＶＣＰａｔｈ（虚容器通道）的快速恢复，但对映射速率介于ＶＣ１２（ＶＣ１１）、ＶＣ２、ＶＣ３和ＶＣ４中间的业务信号缺乏带宽利用的有效性和灵活性，特别在接入网中，这个问题尤为突出。解决的办法对ＡＴＭ而言是开发自动保护倒换能力，对ＳＤＨ系统而言是提供级联能力，而且后者的技术解决也有利于支持ＡＴＭ反向复用器（ＩＭＡ）的…     

16kbpsCVSD与64kbpsPCM编码数字转换算法

本文提出了１６ｋｂｐｓ连续可变斜率增量调制（ＳＶＳＤ）与６４ｋｂｐｓＡ律ＰＣＭ编码数字转换臬法，在无传输误码情况下，采用该转换算法，（１）从ＣＶＳＤ转换到ＰＣＭ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，分段信噪比（ＳＮＲＳＥＧ）恶化小于０．１ｄＢ，信噪比（ＳＮＲ）恶化小于０．０１ｄＢ，多次转换（转换次数≥２）时ＳＮＲ和ＳＮＲＳＥＧ保持不变，即无误差积累；（２）从ＰＣＭ转换到ＣＶＳＤ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，Ｓ     

NAB97展出的数字HDTV发射管

本文主要论述了英国ＥＥＶ，美国Ｖａｒｉａｎ‘ｓＥｉｍａｃＤｉｖｉｓｉｏｎ和ＷｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃｔｒｉｃＣｏｒｐ。以及法国Ｔｈｏｍｓｏｎ四家公司在ＮＡＢ９７展示的数字ＨＤＴＶ发射管最新呷极管、ＭＳＤＣ速调管，ＳｉＣ固态器件，ＩＯＴ和双端四极管Ｄｉａｃｒｏｄｅ的主要技术性能，同时也介绍了上述五种ＨＤＴＶ发射管在数字ＨＤＴＶ发射机中的应用实便。     

实用显示技术

本文主要介绍了ＬＥＤ显示器中ＨＤＳＰ－２５３２的应用，以ＳＥＤ１５２０为显示驱动控制器的点阵图形式ＬＣＤ显示器的应用，ＬＣＤ显示器的新产品－采用内热式加热技术的ＬＣＤ显示器以及和ＬＣＤ兼容的ＶＦＤ显示器。     

DVD、CVD和VCD的比较

ＶＣＤ自１９９４年诞生以来，经历了ＶＣＤ１．０、ＶＣＤ１．１和ＶＣＤ２．０等版本的演化，版本的升级仅仅只是增加了交互性而已，其本质的内容并未改变。ＶＣＤ采用ＭＰＥＧ１的压缩技术，视频为３５２×２８８的图象格式，其效果相当于ＶＨＳ录象带的水平。音频采用双声道立体声４４．１ ＫＨｚ， １６ｂｉｔ采样，相应于普通ＣＤ机的效果。ＶＣＤ２．０在原有ＶＣＤ１．１的基础上增加了菜单的交互性，使用户在人机界面上得到一定的改善，但音、视频的效果并未产生变化。 ＣＶＤ技术的诞生有着一定的历史背景。 １９９７年，当 ＤＶ…     

16kbpsCVSD与64kbpsPCM编码数字转换算法

本文提出了１６ｋｂｐｓ连续可变斜率增量调制（ＳＶＳＤ）与６４ｋｂｐｓＡ律ＰＣＭ编码数字转换臬法，在无传输误码情况下，采用该转换算法，（１）从ＣＶＳＤ转换到ＰＣＭ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，分段信噪比（ＳＮＲＳＥＧ）恶化小于０．１ｄＢ，信噪比（ＳＮＲ）恶化小于０．０１ｄＢ，多次转换（转换次数≥２）时ＳＮＲ和ＳＮＲＳＥＧ保持不变，即无误差积累；（２）从ＰＣＭ转换到ＣＶＳＤ时，同直接ＣＶＳＤ编码相比，Ｓ     

CD激光唱机升级为VCD影碟机

ＣＤ激光唱机升级为ＶＣＤ影碟机唐广徽，王代强，万萌ＶＣＤ是基于最新ＭＰＥＧ压缩技术发展起来的一种消费类电子产品，通过数据压缩技术，可在普通１２ｃｍ碟片上同时记录７４分钟音、视频信号，其图像质量主观感觉与ＬＤ机相差无几，达到广播级ＶＨＳ方式的水平。由于...     

NAB97展出的数字HDTV发射管

本文主要论述了英国ＥＥＶ，美国ＶａｒｉａｎｓＥｉｍａｃＤｉｖｉｓｉｏｎ和ＷｅｓｔｉｎｇｈｏｕｓｅＥｌｅｃ－ｔｒｉｃＣｏｒｐ．以及法国Ｔｈｏｍｓｏｎ四家公司在ＮＡＢ９７展示的数字ＨＤＴＶ发射管最新产品：四极管，ＭＳＲ：速调管，ＳｉＣ固态器件，ＩＤＴ和双端四极管Ｄｉａｃｒｏｄｅ的主要技术性能，同时也介绍了上述五种ＨＤＴＶ发射管在数字ＨＤＴＶ发射机中的应用实例。     

CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究

本文提出了精确测量内建电压Ｖ_Ｄ的Ｗ（结宽）－Ｎ（Ｎｅｆｆ为有效空间电荷密度）新方法．文中严格证明了由Ｗ－Ｎ曲线的斜率可计算异质结的ＶＤ．在零偏压下测量了ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质结的ＶＤ，样品ＣＩＳ－１的ＶＤ为０．４３７Ｖ，样品ＣＩＳ－２的ＶＤ为０．２９３Ｖ．我们的测量结果表明，光照不改变ＶＤ，但使异质结变窄．内建电压是异质结的固有参量．利用Ｗ－Ｎ方法可以详细研究偏压对异质结电特性和其它参量的影响．     

SDV和HFC的发展动向

简要叙述了ＨＦＣ的潜在优势和关键技术，ＳＤＶ系统的框图及原理，ＳＤＶ和ＨＦＣ的比较与发展前景。     

制作硅－锗器件的超高真空化学汽相淀积工艺

长期的研究表明，低温外延技术带来许多独特的好处，该技术能克服诸如采用常规ＣＶＤ作硅外延或离子注入所产生的随意的、不连续的掺杂剖面等缺陷。而低温外延技术的实现得益于ＵＨＶ／ＣＶＤ技术的应用，工业用的ＵＨＶ／ＣＶＤ系统已经成功地应用于ＳｉＧｅ器件的制备中，并取得了令人满意的结果。     

一种新颖的CMOS差动电压电流传送器及其应用

针对第二代电流传送器（ＣＣⅡ）的不足之处，提出了一种新颖的差动电压输入电流传送器（ＤＶＣＣ）。首先给出了ＤＶＣＣ的ＣＭＯＳ集成工艺实现方法，并分析了其工作原理。然后给出其具体应用实全儿ＰＳＰＩＣＥ的模拟结果，验证了实现和应用ＤＶＣＣ的可行性。     

长虹S100型CVD机伺服原理及维修

长虹Ｓ１００型ＣＶＤ机采用飞利浦ＣＤ７机芯，伺服原理与ＶＣＤ机中ＣＤ７机芯基本相同，只是在识读ＣＶＤ碟片时，在主ＣＰＵ软件控制下用双倍速模式工作。     

移动通信技术的走势及对未来市场的影响

移动通信技术的走势及对未来市场的影响一、ＣＤＭＡ将成为主流自二战以来，ＣＤＭＡ技术就应用于军方的保密通信系统。但直到近几年来，由于ＤＳＰ（数字信号处理）和ＶＬＳＩ（超大规模集成电路）技术的飞速发展，才使其商用化成为可能。由于ＣＤＭＡ技术的开发厂家均在...     

一种智能功率集成电路隔离技术

本文介绍一种智能功率集成电路（高边ＣＭＯＳ模拟开关）的隔离技术。对除开关管ＶＤＭＯＳ管以外的器件采用自隔离技术，ＶＤＭＯＳ管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁，采用浮阱技术来防止电路闭锁。     

CATV与综合业务数字通信

ＣＡＴＶ有能力提供电话和数据服务，有线电视分配与电视ＩＳＤＮ接入集合到户是实现宽带综合网络的便利途径，本文考虑了ＣＡＴＶ／ＩＳＤＮ结合的方法，ＩＳＤＮ主速率时分多址接入方式以及用户接口的规格。     

1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用

本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进行高选择比的，各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸（ＣＤ）总损失＜０．０８ｕｍ的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀