一种Ka频段宽频带90°电桥

给出了一种结构简单的90°电桥方案,可应用在Ka宽频段卫星通信圆极化馈源系统的接收通路中。这种电桥由2个宽边并列放置的波导通过窄壁耦合构成,采用多级阶梯匹配,不需容性加载调配元件,在ka频段2GHz接收频带内两输出端口相位差90°±0.2°,幅度误差小于0.15dB,回波损耗优于-30dB。已成功应用于一种宽频带Ka段段卫星通信馈源中,馈源系统实测轴比优于0.35dB。     

宽频带耦合带状线魔T的设计方法

给出一种宽频带耦合带状线90°移相器的工程设计方法。通过适当选取耦合带状线奇偶模阻抗比ρ、介质基片的相对介电常数εr与厚度s,以及带状线地板间距b,频带宽度可达1∶2.34倍频程可以实现所需带宽内90°移相,与宽频带3dB电桥组合可实现宽频带魔T,同时推导给出了3dB电桥耦合度κ、εr、s/b的设计关系公式。通过仿真给出了修正量。     

无源与分立器件

InnovativePowerProducts混合耦合器InnovativePowerProducts公司推出IPP-2015型大功率3dB90°混合耦合器,频率范围从2000MHz至4000MHz。该产品可以将两个信号合并,总输出功率高达200W C W。该耦合器采用drop-in封装,焊片连接,尺寸为2.2″×0.5″×0.2″。插入损耗小于0.4dB;相位平衡±4°;VSWR为1.25:1;振幅平衡为±0.5dB;隔离度为18dB。TaiyoYuden公司DC/DC转换器扼流线圈感应器TaiyoYuden公司发布NR6012系列6mm×6mm超薄电源感应器,专用于笔记本电脑LCD面板的DC/DC转换器扼流线圈。共有11个型号,提供了广阔的选择范围:…     

S波低温共烧陶瓷巴伦滤波器小型化设计

利用低温共烧陶瓷叠层工艺设计了一款具有带通响应的紧凑型低温共烧陶瓷巴伦滤波器，微型化的巴伦采用Marchand Balun结构和LTCC的立体集成结构，巴伦内部带状线利用宽边带状线结构，采用一种螺旋化方式，减小巴伦的体积，经过电磁仿真优化和实际加工滤波器的测试结果表明:滤波器在 2400ＭＨｚ~2500ＭＨｚ插入损耗小于3.2ｄＢ，不平衡端驻波比小于2.0，相位差为 180°±10°。     

小型化LTCC 3dB电桥的设计与制作

采用两条宽边耦合的带状线方式完成了一种小型化LTCC 3 dB电桥的设计和制作。两条耦合线采用蛇形线形式,带状线的两个接地层分别在LTCC基板的顶面和底面,并且通过四个侧面印刷导体连接起来。两条耦合线印刷在LTCC基板内部中间层,并且通过印刷特殊介质层实现隔离。结果表明,控制介质层的厚度和耦合线的对位达到了3 dB的耦合度,实现了器件小型化。     

一种D波段小型化定向耦合器芯片设计

基于GaAs 0.1 μm pHEMT工艺,设计了一款工作在0.1~0.14 THz的小型化定向耦合器芯片。采用加载开路枝节线的方式提高传输线的等效电长度,进而实现电路结构的小型化;利用曲折线的方式构成开路枝节线,使得耦合器的物理尺寸进一步缩小。采用电磁仿真软件仿真表明,所设计的小型化定向耦合芯片中心工作频率为0.12 THz,相对带宽大于30%,带内的回波损耗高于20 dB,带内插入损耗小于1 dB,耦合度为(10±0.5) dB,带内隔离度大于20 dB,直通端口与耦合端口相位差为90°±3.5°,其尺寸为0.21 mm×0.19 mm(不计Pad尺寸)。     

四次谐波镜像抑制混频器中无源部分的设计

本文介绍了四次谐波镜像抑制混频器中无源部分的设计,无源部分包括了双巴伦和兰格电桥。通过ADS 软件进行相关的仿真,最终实现了巴伦在频段7.9~9.5GHz 的幅度不平衡度小于0.2dB,相位不平衡度小于1°,在中心频率8.7GHz 的插损约为7.3 dB;兰格电桥在频段30~40GHz 的幅度不平衡度小于0.3 dB,相位不平衡度小于1°在中心频率35GHz 的插损约为3.25 dB。双巴伦和兰格电桥仿真得到的结果良好,为最终四次谐波镜像抑制混频器的单片实现奠定了基础。     

微型蓝牙LTCC平衡滤波器的设计与研究

提出一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现的小型化平衡滤波器。该平衡滤波器频率范围为2.4～2.5GHz,可广泛应用于蓝牙通讯系统。在设计时利用垂直通孔互连工艺技术将滤波器和巴伦进行互连,并且集成在一个模块中,其中,蓝牙滤波器的设计采用半集总结构,Marchand巴伦采用独特的螺旋线宽边耦合带状线结构(SBCS),极大地缩小了巴伦尺寸。实现了具有阻抗变换功能的蓝牙波段微型平衡滤波器,其尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm。测试结果表明,该平衡滤波器带内差损小于1.8dB,相位不平衡度小于±6°,均满足设计指标要求。     

一种新颖的4bit和5bit超宽带GaAs单片数字衰减器

介绍了一种新颖的DC～20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果．该衰减器的设计采用纵向思维的方法．最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是：在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.5dB,最大衰减量15dB,衰减步进1dB,衰减平坦度≤0.2dB,衰减精度≤±0.3dB,两端口所有态的电压驻波比≤1.6,相对于参考态,衰减态的插入相移在－10°～5°以内,芯片尺寸1.8mm×1.6mm×0.1mm．5bit数字衰减器的主要性能指标是：在DC～20GHz频带内,插入损耗≤3.8dB,最大衰减量15.5dB,衰减步进0.5dB,衰减平坦度≤0.3dB,衰减精度≤±0.4dB,两端口所有衰减态的电压驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在－14°～2°以内,芯片尺寸2.0mm×1.6mm×0.1mm．     

毫米波单片混频器的研制

采用0.18μm G aA s PHEM T工艺,设计和研制了34~40 GH z毫米波单片混频器。该混频器选择了单平衡结构,采用180°电桥结构改善LO-RF的隔离度,并修改了该结构以方便布版。在39 GH z频点上,该混频器的插入损耗小于7.2 dB、LO-RF隔离度大于32 dB。     

S波段宽边耦合线耦合器的设计

提出了一种基于LTCC技术的S波段宽边耦合线耦合器的实现方法。该耦合器由带状线平行放置而成,从而实现更强的耦合度,并实现了耦合器的小型化。通过ADS电路仿真以及HFSS软件三维建模设计,耦合器的加工测试结果与电磁仿真结果相匹配,耦合器的中心频率为3.1GHz,带宽为900 MHz,直通端与耦合端插入损耗均优于3.25dB,隔离端衰减优于26dB,直通端与耦合端的相位差为±90°,尺寸仅为5.4mm×4mm×2.2mm。     

一种超宽带宽边耦合微带定向耦合器

提出了一种新颖的超宽带宽边耦合微带定向耦合器,相比窄边耦合结构,宽边耦合增加了耦合面积,可实现宽频的3 dB紧耦合.同时,为进一步拓展耦合器工作带宽,该文采用渐变耦合结构替代传统的矩形耦合结构.通过HFSS仿真验证,此定向耦合器在2～6 GHz频带内插入损耗小于0.9dB,输入端口回波损耗大于20 dB,端口隔离度大于21 dB.     

一种Ka频段宽频带90°电桥

给出了一种结构简单的90°电桥方案,可应用在Ka宽频段卫星通信圆极化馈源系统的接收通路中。这种电桥由2个宽边并列放置的波导通过窄壁耦合构成,采用多级阶梯匹配,不需容性加载调配元件,在ka频段2GHz接收频带内两输出端口相位差90°±0．2°,幅度误差小于0．15dB,回波损耗优于-30dB。已成功应用于一种宽频带Ka段段卫星通信馈源中,馈源系统实测轴比优于0．35dB。     

S波段宽边耦合线耦合器的设计北大核心CSCD

提出了一种基于LTCC技术的S波段宽边耦合线耦合器的实现方法。该耦合器由带状线平行放置而成,从而实现更强的耦合度,并实现了耦合器的小型化。通过ADS电路仿真以及HFSS软件三维建模设计,耦合器的加工测试结果与电磁仿真结果相匹配,耦合器的中心频率为3.1GHz,带宽为900 MHz,直通端与耦合端插入损耗均优于3.25dB,隔离端衰减优于26dB,直通端与耦合端的相位差为±90°,尺寸仅为5.4mm×4mm×2.2mm。     

一种超宽带正交调制器片上巴伦的设计

采用0.18 μm GeSi BiCMOS工艺,通过调节中心抽头位置、设计八边形螺旋电感、添加屏蔽层、优化线圈外径与金属线宽等方法,设计了一种平衡性好、插入损耗小的片上巴伦。创新性地在HFSS模型中引入GSG焊盘,避免了去嵌入处理的复杂计算与计算误差。仿真结果表明:在500 MHz频率处,电路的插入损耗为3.5 dB,幅度不平衡度为0.13 dB,相位不平衡度为0.38°;在4 GHz频率处,插入损耗为1.8 dB,幅度不平衡度为1.62 dB,相位不平衡度为2.85°。对样品的S参数幅度及相位进行测试,实测结果与仿真值吻合。该巴伦可应用于500 MHz~4 GHz的超宽带正交调制器中,具有较好的应用前景。     

低成本宽带90°巴伦的研究与设计

提出并设计了一种低成本宽带90°巴伦电路结构,电路由宽带耦合威尔金森功分器、弱耦合线和扇形阶跃阻抗谐振器级联的宽带90°移相器组成。利用电磁仿真软件HFSS对工作在中心频率为1.65GHz 的微带电路进行建模和仿真。采用PCB工艺制作了电路实物并利用矢量网络分析仪进行测试;对比得出仿真与测试结果十分吻合,该巴伦实测相对带宽大于117.0% (0.65～2.58GHz),带内各端口回波损耗好于12.6 dB,输出端口隔离度大于13.1dB,带内插入损耗小于0.5 dB,相位误差小于90°±7.6°。与现有的结构和设计相比,该巴伦不仅具有更大的工作频带和单层电路布局,而且具有容易加工、成本低的优点。     

一种高精度幅相调理机制

该文阐述了一种高精度幅相调理机制(APMM),具有高可靠、高线性幅相特性及快速设计等优点。通过逐级联试,可使任意多通道模组的通道间相位差一致性≤±1°,任意功能单元间幅度一致性≤±1 dB,相位一致性≤±1.5°,任意功能单元的绝对延时精度≤±1.5 ps,多倍频相对带宽的幅度平坦度≤±1 dB。该调理机制可应用于任意电子系统、任意信道化设计、任意功能电路或芯片设计等。通过大量工程应用,并得以证实,该方案切实可靠地改善了目前各类射频系统或模块单元的幅相特性。     

一种新型宽带环形电桥耦合器设计

传统四端口环形电桥耦合器的带宽只有10%到20%。为了获得更大的带宽,本文提出了一种改进型环形电桥耦 合器。通过额外增加一个隔离臂,新设计可以工作在整个W波段。在此基础上,本文在输入臂上加入了一个切角来改善 输出信号的隔离度。仿真研究结果表明,在75GHz 到110GHz,两输出信号的幅度不平衡度小于0.07dB,相位不平衡度小 于0.37 度。相比于未作切角处理的五端口环形电桥,新设计输出端口的隔离度在全频段内大于15.07dB。改进型耦合器 可以应用于W波段平衡调制器以及其他需要高输出隔离度的W波段功率分配系统。     

Ka 波段基波镜像抑制混频器无源电路的设计

本文介绍了Ka 波段基波镜像抑制混频器中无源电路的设计，无源电路包括带直流偏置支路的3dB 同相功分器和带中频输出支路的兰格电桥。运用ADS 软件进行辅助设计，最终得到功分器在频段32~37GHz 的幅度不平衡度小于0.01dB，在中心频率35GHz 的插损约为3.2 dB；兰格电桥在频段32~37GHz 的幅度不平衡度小于0.15 dB，相位差约为85°，相位不平衡度小于0.5°在中心频率35GHz 的插损约为3.4 dB。最终的仿真结果较好地满足了设计要求。     

W波段高功率铁氧体开关的研制

毫米波频段具有波长短、频率高、带宽宽等优势,毫米波器件的需求日益迫切。然而因要求小尺寸且 受限于工艺水平,毫米波器件实现难度大。文中将折叠双T、差相移段、电桥依次通过法兰级联的方式辅以控制电 路,实现了W 波段高功率铁氧体开关的切换;通过优化器件匹配结构,解决了加工精度受限问题;通过简化铁氧体样 品,在可操作范围内实现了90°差相移,最终实现了8 GHz 大带宽、单级损耗小于2 dB、驻波比小于1. 2、隔离度大于 13 dB、开关切换时间3 ms 左右的差相移式开关。对3 个单级开关进行级联、调试并改进控制电路,可在W 频 段8 GHz 的带宽内,实现驻波比小于1. 2、插入损耗小于5. 9 dB、隔离度大于52. 9 dB 的优良性能,接入雷达整 机后的开关时间为1. 5 ms,耐功率1. 2 kW。