一维阵列银纳米线制备及其微观结构

通过直流电沉积,以多孔阳极氧化铝膜(Al2O3/ Al)为模板,在纳米孔道内进行限域生长,制备了金属Ag纳米线.用X射线衍射光谱(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等检测手段对产物进行了表征.结果表明,Ag纳米线具有面心立方晶体结构,阵列排列整齐,长度超过5μm,单体纳米线的直径约为70 nm,与所用模板的孔径相当.     

模板法可控制备Er_2O_3纳米管阵列及磁性能

利用减压抽滤法,使Er(NO_3)_3·5H_2O和Na OH溶液在氧化铝模板(AAO)纳米孔中反应,并经高温煅烧,制备出高规则和高密度的Er_2O_3纳米管阵列。通过SEM、TEM、SAED、XRD和EDS等对产物的形貌、结构、组成和含量进行表征。结果表明,Er_2O_3纳米管为非晶型结构;元素组成的原子百分比Er∶O为7.61∶69.11,重量百分比为42.33∶36.78;经磁性能分析,发现Er_2O_3纳米管具有超顺磁性。     

在离子液体中用阳极氧化铝模板电沉积制备稀土镧纳米线

采用二次阳极氧化法获得纳米多孔阳极氧化铝(AAO)模板,在尿素-NaB r-KB甲r-酰胺离子液体中,用AAO模板电沉积稀土镧纳米线。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,自制AAO模板孔洞分布均匀,孔径基本一致(约60~70 nm),孔口呈六边形。经过XRD、EDS和SEM对电沉积样品的成分和形貌进行表征和分析,显示在AAO模板中有镧纳米线的存在。     

Ni纳米线阵列的电化学组装及磁性能研究

利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板,通过恒电位沉积法在模板内组装了Ni纳米线阵列。采用SEM、TEM、SAED、EDS和VSM等检测技术对填孔过程、阵列形貌、结构和磁性能进行了分析和表征。结果表明,Ni纳米线在纳米孔中的生长过程经历四个阶段,填孔终止时间控制在第三阶段。适宜AAO模板中Ni纳米线沉积的电位为-0.9 V,pH为3.5。Ni纳米线是沿着(111)方向生长的单晶结构。当外磁场平行或垂直Ni纳米线阵列时,在磁场强度周期变化下,测量纳米线阵列磁滞现象的闭合磁化曲线,Ni纳米线阵列在平行和垂直两个方向的磁性不同,剩余磁化强度Mr与饱和磁化强度Ms之比分别为0.282和0.055,其矫顽力是293 Oe、100 Oe。     

Transalkylation of Multi-secbutylbenzenes with Benzene over Hierarchical Beta Zeolite

A hierarchical beta zeolite synthesized by quasi-solid phase conversion method was characterized by BET, scanning electron microscope (SEM), transmission electron microscope (TEM), X-ray diffraction (X...     

以多孔氧化铝为模板钴纳米线阵列的制备

以多孔氧化铝为模板,采用交流电沉积的方法制备了钴纳米线阵列膜.采用扫描电子显微镜(SEM)对电沉积钴纳米线前后的多孔氧化铝模板的形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TElM)观察钴纳米线的表面形貌.结果表明:金属钴沉积到多孑L氧化铝模板的纳米孑L中,钴纳米线的平均直径约为50n/n,与氧化铝模板的孔径相一致.     

溶胶电泳沉积法在304不锈钢表面制备γ-Al2O3涂层

采用溶胶电泳沉积法在304不锈钢表面上制备了γ-Al2O3涂层.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等手段对制备的γ-Al2O3涂层进行了表征,并采用超声波振荡考察了涂层的结合牢固度,讨论了电泳沉积液中γ-AlOOH溶胶的体积分数,纳米Al2O3的质量浓度、沉积电压、沉积时间及搅拌速率对γ-Al2O3 涂层性能的影响.结果表明:将溶胶加入到无水乙醇溶液中可制得稳定的电泳沉积液,添加纳米Al2O3可提高涂层沉积量和稳定性.当电泳沉积液中γ-AlOOH溶胶的体积分数为30%～40%,纳米Al2O3加入量为20～30 g/L,搅拌速率为375 r/min时,电压lOV下沉积5～10min,然后在600 ℃下焙烧3 h,所得到的γ-Al2O3涂层结合牢固.     

溶胶电泳沉积法在304不锈钢表面制备γ-Al2O3涂层

采用溶胶电泳沉积法在304不锈钢表面上制备了γ-Al2O3涂层.通过扫描电镜(SEM),X射线衍射(XRD)等手段对制备的γ-Al2O3涂层进行了表征,并采用超声波振荡考察了涂层的结合牢固度,讨论了电泳沉积液中γ-AlOOH溶胶的体积分数、纳米Al2O3的质量浓度、沉积电压、沉积时间及搅拌速率对γ-Al2O3涂层性能的影响.结果表明:将溶胶加入到无水乙醇溶液中可制得稳定的电泳沉积液,添加纳米Al2O3可提高涂层沉积量和稳定性.当电泳沉积液中γ-AlOOH溶胶的体积分数为30%～40%,纳米Al2O3加入量为20～30 g/L,搅拌速率为375 r/min时,电压10 V下沉积5～10 min,然后在600℃下焙烧3 h,所得到的γ-Al2O3涂层结合牢固.     

CoPt_3纳米线阵列的制备及特性研究

在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电化学方法成功地制备了CoPt3纳米线有序阵列复合膜。分别用透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)、振动样品磁强计(VSM)和SQUID对样品进行了测试与表征。形貌观察和物相分析表明,模板中的CoPt3纳米线构成的阵列,排列均匀有序,长约1.5微米,直径35纳米;而纳米线中的CoPt3为L12无序结构。磁性研究表明,纳米线的无序晶体结构决定了纳米线阵列弱的磁晶各向异性;同时纳米线中部分小晶粒在400K左右表现出顺磁性,导致纳米线阵列居里温度的下降。比较低温和室温下的磁滞回线,低温下有大的矫顽力,从另一方面证明纳米线中的小晶粒确实存在相转变。     

模板法组装Ag纳米线阵列及其微结构

以多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,利用直流电沉积法,在AAO模板孔洞中成功组装了Ag纳米线阵列。扫描电子显微镜(SEM)分析表明,Ag纳米线的长度分布十分均匀,其长度随着沉积时间的延长而线性增长,生长速度约为5μm/h。透射电子显微镜(TEM)表明,Ag纳米线粗细均匀,直径约为200 nm。选区电子衍射(SAED)分析表明,所得Ag纳米线具有多晶结构。     

一维铂纳米线阵列的模板电沉积及其表征

将一种复合无机介孔膜作为新型的模板应用于一维纳米线阵列的模板合成研究中,通过采用模板恒电位沉积的方法制备出一维铂纳米线阵列,并利用扫描电镜,透射电镜,X射线衍射,能量分布谱,选区电子衍射对该铂纳米线阵列进行了表征。结果表明:通过模板恒电位沉积的方法可以将金属铂组装在复合无机介孔膜内的二氧化硅介孔管中,除去模板后,进而得到长度为10μm的一维多晶铂纳米线(半径为3～4nm)阵列。     

Synthesis and Characterization of Tin Disulfide (SnS2) Nanowires

The ordered tin disulfide (SnS₂) nanowire arrays were first fabricated by sulfurizing the Sn nanowires, which are embedded in the nanochannels of anodic aluminum oxide (AAO) template. SnS₂ nanowire arrays are highly ordered and highly dense. X-ray diffraction (XRD) and corresponding selected area electron diffraction (SAED) patterns demonstrate the SnS₂ nanowire is hexagonal polycrystalline. The study of UV/Visible/NIR absorption shows the SnS₂ nanowire is a wide-band semiconductor with three band gap energies (3.3, 4.4, and 5.8 eV).     

多孔阳极氧化铝模板组装Fe纳米线及其表征

Fe nanowire arrays are prepared by electrodeposition in porous anodic aluminum oxide template from a composite electrolyte solution. These nanowires have an uniform diameter of approximate 25 nm and a length in excess of 2.5μm.The micrographs and crystal structures of Fe nanowlres are studied by transmission electron microscopy (TEM), selected-area electron diffraction (SAED), and X-ray diffraction(XRD). It is found that each nanowire is essentially a single crystal and has a different orientation in each array. Hysteresis loops of Fe nanowire array show that its easy magnetization direction is perpendicular to the sample plane.     

氧化钛纳米线阵列的溶胶凝胶模板合成与表征

采用二次阳极氧化工艺制备了高度规则排列的多孔氧化铝（PAA）模板,并利用模板法与溶胶-凝胶法结合的模板组装技术制备了氧化钛纳米线阵列,得到了直径在50 nm左右,线间距约为50 nm的纳米线阵列.研究了模板组装过程不同压力条件对溶胶向模板孔洞中填充度的影响,发现在一定的负压条件下,有利于PAA孔中气体的排出,得到高的溶胶填充度,进而制备出高质量的纳米线阵列.分别通过SEM及XRD技术表征了PAA模板及纳米线的形貌及相结构.SEM观察发现纳米线彼此平行,表面光洁,不存在龟裂,纳米线的长度和直径与所使用模板的厚度和直径一致,表明纳米线的生长受控于模板;XRD分析表明模板为单一的θ-Al₂O₃晶型,纳米线为锐钛矿型TiO₂.     

Fe21Ni79合金纳米线阵列的制备与磁性

用交流电化学沉积方法,在多孔铝阳极氧化膜的柱形孔内制备直径约60 nm,长度约为9.7 μm的Fe₂₁Ni₇₉合金纳米线.采用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪和振动样品磁强计对纳米线的形貌 、结构和磁学性质进行了测试.结果表明,Fe₂₁Ni₇₉纳米线排列有序,长径比可控,合金呈fcc结构.当将其在外磁场下进行垂直磁化时,磁滞回线出现较高的矩形比0.86,矫顽力达1203Oe.且随着退火温度升高,矫顽力迅速增大,500℃时达到最大值1315Oe,之后又随退火温度的升高而下降.矩形比也呈现类似的变化规律.     

Electrodeposition of mesoporous manganese dioxide nanowires arrays from a novel conjunct template method

We report here for the first time on the synthesis of mesoporous MnO₂ nanowire array on conductive Ti/Si substrate. The morphology of the material is significantly controlled by the conjunct template of anodic aluminum oxide (AAO) and the hexagonal phase of a lyotropic liquid crystalline. Low-angle X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscope (FESEM) and transmission electron microscope (TEM) studies show that the nanowires have a mesoporous structure consisting of cylindrical pores. Such a promising synthesis procedure may be a versatile approach that can be extended to the fabrication of other mesoporous metal/metal oxide, semiconductor, and polymer nanowire arrays.     

脉冲电沉积制备InSb/Sb超晶格纳米线阵列

采用脉冲电沉积技术在氧化铝模板中制备得到直径60 nm的InSb/Sb超晶格纳米线阵列,并运用扫描电镜、透射电镜和电子能谱仪对其形貌与结构进行了表征与测试。高度有序的InSb/Sb超晶格纳米线长度约为40 μm,其长径比超过600。实验中,通过改变沉积电压与时间达到了对超晶格纳米线组分与结构的控制, 纳米线阵列中In与Sb的原子质量比接近于1/2,在每个周期中,InSb的厚度为12 nm,Sb相似文献   

pn型Cu2O/CdS纳米线的制备及性能

采用电沉积法,在AAO模板中成功制备出pn型Cu₂O/CdS纳米线阵列。利用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射分析（XRD）对样品的形貌和结构进行表征,利用光照开路电位测试和光吸收光谱测试对Cu₂O/CdS纳米线的性能进行了研究。纳米线的直径约100 nm,与AAO模板孔径相同,XRD结果表明Cu₂O/CdS纳米线由立方晶系的Cu₂O和立方晶系与六方晶系混合晶系的CdS组成。Cu₂O/CdS纳米线的光响应性能增强。在Xe灯照射下Cu₂O/CdS纳米线表现出良好的光催化性能,光照7 h后,Cu₂O/CdS纳米线对罗丹明B的降解效率达到66.02%。