0.115BiGaO3-（0.885-x）BiScO3-xPbTiO3高温压电陶瓷的制备及电学性能研究

利用氧化物合成法制备了0.115BiGaO3-（0.885-x）BiScO3-xPbTiO3（BGSPTx）（x=0.56-0.62）铁电陶瓷.X射线衍射分析（XRD）表明,当PbTiO3含量（x）大于60%时,BGSPTx具有纯的钙钛矿结构。当x〈60%时,体系存在微量杂相。随着PbTiO3含量的增加,BGSPTx由三方相演变到四方相,三方-四方准同型相界位于x=0.58附近。在准同型相界附近,BGSPTx陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数、剩余极化Pr都达到最大值,分别为272pC/N,42%,24μC/cm^2。介电常数-温度特性曲线测试表明,BGSPTx陶瓷在MPB附近（x=0.58）居里温度TC高达482℃。实验结果表明,BGSPTx陶瓷是一种优良的高温压电换能器和传感器材料。     

BGSPTx系高温压电陶瓷的结构及性能

把BiGaO3作为第三组元引入BiScO3-PbTiO3(BS-PT)体系,用氧化物合成法制备了0.155BiGaO3-(0.845-x)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx,x为0.54~0.58)压电陶瓷。XRD分析表明,BGSPTx具有钙钛矿结构,但同时存在微量的富铋相。三方–四方准同型相界(MPB)位于x为0.56附近。在MPB附近,BGSPTx陶瓷的d33,kp和Pr都达到最大值,分别为180pC/N,30%和18.5×10–6C/cm2。εr-t特性曲线测试表明,陶瓷在MPB附近居里温度tC高达494℃。     

BSYPTx压电陶瓷的结构与压电性能研究

采用传统固相反应法,制备了(1-x)(0.96BiScO3-0.04BiYbO3)-xPbTiO3(0.58≤x≤0.66,BSYPTx)压电陶瓷.XRD图谱分析表明,BSYPTx具有钙钛矿结构,BSYPTx陶瓷四方相到三方相的转变区域存在于x=0.64附近,即是该体系的准同型相界(MPB).在相界附近, BSYPTx陶瓷具有较优良的压电性能:压电常数d33≈426 pC/N,机电耦合系数kp=0.52;介温曲线显示,BSYPTx陶瓷相界附近的居里温度TC=430 ℃.Yb3+的引入提高了BSPT陶瓷的电滞回线的矩形度,最大的剩余极化强度Pr=43 μC/cm2.     

Ba (Ti0.8Zr0.2)O3-(Ba0.7Ca0.3)TiO3无铅陶瓷的显微结构和压电性能

采用传统固相反应制备出了高压电常数的Ba(Ti0.8 Zr0.2)O3-(Ba0.7Ca0.3)TiO3 (BZT-xBCT)无铅压电陶瓷材料,研究了BCT含量对于体系结构、压电与介电性能的影响规律.结果表明,x=0.45～0.60时,BZTxBCT系统处于准同型相界附近,BZT-xBCT陶瓷时主晶相为钙钛矿相结构,当x＞0.50时,出现少量的第二相CaTiO3.当x=0.50时,陶瓷的性能达到最佳,其介电常数ε、压电常数d33、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm、频率系数Np分别为2 900,385 pC/N,0.456,124和2 740 Hz·m.由此可认为位于准同型相界附近的BZT-xBCT是一类很有前途的无铅压电材料.     

KNN-BT-BZ-CT基无铅压电陶瓷的性能研究

采用两步烧结法制备了(0.91-x)K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-0.03BaTiO_3-0.06BaZrO_3-xCaTiO_3[KNN-BT-BZCT]基无铅压电陶瓷,探究了在不同CaTiO_3(CT)含量下,KNN基压电陶瓷相结构变化以及对压电性能的影响。结果表明,x<0.02时,陶瓷物相出现菱方-正交双相共存。随着CT含量的增加,陶瓷晶粒尺寸先减小后增大,且其居里温度(TC)和四方-正交(TO-T)转变温度随之逐渐降低。当x=0.01时,在室温下陶瓷出现菱方-正交准同型相界,其压电常数d33=224pC/N和机电耦合系数kp=40.2%分别达到了最佳。因此,KNN基压电陶瓷中掺入BCZT可以较好地提高其压电性能。     

新型无铅压电陶瓷BNKT-BiFeO_3的研究

采用传统陶瓷制备法制备了一种新型无铅压电陶瓷(1-x)Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)TiO_3-xBiFeO_3(BNKT-BFx).研究了Bi基铁电体BiFeO_3对BNKT-BFx陶瓷晶体结构、显微组织和压电性能的影响.结果表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固溶体,陶瓷的准同型相界位于x=0～0.05.BiFe_O3促进陶瓷致密化和晶粒生长,在准同型相界成分附近压电性能达到最大值:d_(33)=171 pC/N,k_p=0.366.     

2009年《军医进修学院学报》优秀论文

采用传统固相反应法合成(1-(x))(0.1BiYbO3-0.9PbTiO3)-(x)PbZrO3 (BYPT-PZ)压电陶瓷,研究了PbZrO3含量对0.1BiYbO3-0.9PbTiO3(BYPT)压电陶瓷的相结构及电性能的影响规律.结果表明,PbZrO3的添加可有效抑制焦绿石相Yb2Ti2O7的生成,BYPT-PZ陶瓷由钙钛矿相和ZrO2相组成,随PbZrO2含量的增加,介电常数εr、压电常数d33、机电耦合系数kp不断增加,居里温度Tc、机械品质因数Qm、介电损耗tanδ不断减小.当(x)(PbZrO3)=0.45时材料性能最佳,d33=223 pC/N,Tc=390℃,εr=1 265,kp=0.42,剩余极化强度Pr=20μC/cm2,矫顽场强Ec=2.4 KV/mm.     

Li_2CO_3掺杂对PZN-PNN-PZT陶瓷结构及性能的影响

采用固相法制备了0.1Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.1Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.8Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3+x%Li_2CO_3(PZN-PNN-PZT,x为质量分数)低温压电陶瓷,研究了Li_2CO_3掺杂对PZN-PNN-PZT压电陶瓷晶体结构、微观形貌及电学性能的影响。实验结果表明,随着Li_2CO_3含量的增加,PZN-PNN-PZT陶瓷晶体结构从三方相向四方相转变,陶瓷晶粒尺寸先增大后减小。掺杂适量的Li_2CO_3能有效提高PZN-PNN-PZT陶瓷的电学性能。当x=0.3时,PZN-PNN-PZT陶瓷具有最好的综合性能:压电常数d_(33)=530 pC/N,机电耦合系数k_p=0.55,品质因数Q_m=60,居里温度T_C=176℃,相对介电常数ε_r=2 800,剩余极化强度P_r=32.80μC/cm~2,矫顽场E_c=0.96 kV/mm。     

Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3系无铅压电陶瓷的介电压电性能

研究了(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3体系无铅压电陶瓷的介电、压电性能，通过XRD分析，发现随着x的增加，陶瓷的晶体结构由三方相逐渐转变为四方相，x=0．16～0．20范围内具有三方和四方共存相结构，为该体系的准同型相界(MPB)，材料在MPB附近具有最佳的压电性能．测试了陶瓷的介电温谱，表明该体系陶瓷为弛豫型铁电体，电滞回线表明陶瓷在升温过程中发生铁电-反铁电-顺电相变．     

SrCO3掺杂对PZN-PZT低温压电陶瓷结构及性能的影响

采用固相法在900℃制备合成了Pb_(1-x)Sr_x(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.3 )O_3-(Zr_(0.49)Ti_(0.51))_(0.7)O_3(简写为PZN-PZT+xSrCO_3,x=0%,2%,4%,6%,8%)低温压电陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和准静态压电常数测试仪、铁电测试仪系统地研究了Sr~(2+)取代A位的Pb~(2+)对PZN-PZT陶瓷的相结构、微观结构和电学性能的影响。结果表明,在选定SrCO_3掺杂浓度范围内,PZN-PZT陶瓷呈四方相晶体结构。随着x的增加,晶粒尺寸先增大后减小。掺杂摩尔分数4%的SrCO_3能有效提高PZN-PZT陶瓷的压电性能和铁电性能。当SrCO_3摩尔分数为4%时,PZN-PZT陶瓷有最佳的性能:d_(33)=496 pC/N,k_p=0.58,Q_m=40,T_C=244℃,ε_r=3000,P_r=32.80μC/cm~2,E_c=0.98 kV/mm。     

3COM SuperStack 3 Firewall

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一种3×3卷积器的设计

给出了一种基于2的补码的卷积运算算法及其硬件实现体系结构。该算法结构使用了一个特殊的移位累加单元代替并行补码乘法,降低了卷积系数为负数时的计算复杂度。     

InCl分子B^3Ⅱ1态时间分辨谱研究

采用激光诱导荧光技术对InCl分子B3П1→X1∑+荧光光谱进行了分析和归属,并对 B3П1(v′=0)→X1∑+(v″=0)的时间分辨谱进行了观测．首次得到InCl分子B3П1态(v′= 0)无碰撞辐射寿命т0≈353ns,无辐射弛豫速率常数kQ≈1．985×10-10cm3molec-1s-1及 电子跃迁矩｜Re｜2=0．40D2．     

Improved performance of CH3NH3PbI3 based photodetector with a MoO3 interface layer

Planar CH₃NH₃PbI₃ perovskite based photodetectors are fabricated by a facile and low-cost one-step method. The devices show broad spectral photoresponse from the ultraviolet to whole visible region and the performance can be significantly improved by the introduction of a bipolar transporting MoO₃ interface layer between CH₃NH₃PbI₃ film and Au electrode. The photocurrent of the device with an optimized MoO₃ layer is about twice that of the reference device without MoO₃ layer, which results in a high ON/OFF current ratio of 5.9 × 10³ at 5 V. Besides, slightly increased photoresponse speed is also found in the optimized device with rise time and decay time of 21.6 and 9.9 ms, respectively. The improvement can be attributed to the improved hole and electron collection efficiency and the quickly filled in or emptied trap states at the CH₃NH₃PbI₃/Au interface due to the introduction of the bipolar transporting MoO₃ layer.     

Bi3+, Eu 3+, Tb3+ 掺杂Lu3TaO7的发光性能研究

采用固相反应法制备了Bi ³⁺ 、Eu³⁺ 、Tb³⁺ 掺杂的Lu₃TaO₇。测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线。三种离子掺杂的Lu₃TaO₇均呈现出强的荧光发射,其中Bi³⁺具有峰位在431 nm处的一强发射宽带,衰减寿命为16.8 μs,Eu ³⁺ 、Tb ³⁺ 则表现出稀土离子的特征锐发射峰,衰减寿命分别为1.26 ms和1.20 ms。因此,它们均是具有潜在应用前景的重闪烁体材料。     

Nonlinear Absorption Applications of CH3NH3PbBr3 Perovskite Crystals

Researchers have recently revealed that hybrid lead halide perovskites exhibit ferroelectricity, which is often associated with other physical characteristics, such as a large nonlinear optical response. In this work, the nonlinear optical properties of single crystal inorganic–organic hybrid perovskite CH₃NH₃PbBr₃ are studied. By exciting the material with a 1044 nm laser, strong two‐photon absorption‐induced photoluminescence in the green spectral region is observed. Using the transmission open‐aperture Z‐scan technique, the values of the two‐photon absorption coefficient are observed to be 8.5 cm GW^?1, which is much higher than that of standard two‐photon absorbing materials that are industrially used in nonlinear optical applications, such as lithium niobate (LiNbO₃), LiTaO₃, KTiOPO₄, and KH₂PO₄. Such a strong two‐photon absorption effect in CH₃NH₃PbBr₃ can be used to modulate the spectral and spatial profiles of laser pulses, as well as to reduce noise, and can be used to strongly control the intensity of incident light. In this study, the superior optical limiting, pulse reshaping, and stabilization properties of CH₃NH₃PbBr₃ are demonstrated, opening new applications for perovskites in nonlinear optics.     

钛酸钙对BZN-CaTiO3系统介电性能的影响

研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1 395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷,当CaTiO3的添加量为60%(质量分数)时介电性能最佳,其εr为99.97,tgδ为0.54×10-4,αC为–13.05×10-6℃–1(25~85℃,1MHz下测量)。     

Er3 /Yb3 共掺TeO2-WO3-Bi2O3玻璃的光谱性质

用高温熔融法制备了Er3+/Yb3+共掺的TeO2-WO3-Bi2O3玻璃,研究了该玻璃的吸收和荧光光谱性质.应用Judd-Ofelt(JO)理论计算了Er3+的谱线强度、自发辐射跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命等光谱参数,并拟合了相应的强度参数Ωt(t＝2,4,6).Er3+在该玻璃中4I13/2→4I15/2发射的荧光半高宽(FWHM)为77nm,应用McCumber理论计算的受激发射截面为1.03×10-20cm2.其带宽特性FWHM×σpeake乘积优于掺Er3+的硅酸盐、磷酸盐和铋酸盐玻璃,说明这是一种制备宽带光纤放大器的优良基质材料.Er3+在400～850nm波长范围存在着5个上转换发射峰,分别对应Er3+的激发态4I7/2、2H11/2、4S3/2、4F9/2和4I9/2到基态4I15/2的发射,分析了其可能存在的上转换过程.     

3G及后3G时代

1 引言 目前,3G标准已制定完备,频谱也可用,牌照已授予,基础设施也准备就绪。当日本和英国等市场的首批运营商推出3G网络时,全世界都在期待着3G之后的新技术。亚洲在决定这一新领域的过程中起着领导作用。这是因为:首先,亚洲运营商获得3G许可证的成本相对较少,因此他们的资产负债表仍处于良好状态。其次,亚洲融合了不同标准,亚洲市场有很多竞争的3G技术,不