低温微电子器件和电路——微电子学的研究前沿

一、微电子学发展的需要随着微电子器件、电路和系统的设计理论和工艺制备技术的发展,目前,在微电子技术某些方面,已面临着一种必须依靠低温才能解决问题的趋势.低温微电子学单独作为一学科发展方向问世,主要由以下几方面的因素促成:1.过去二十年来,集成电路的集成度每十年增加100倍,目前代表性产品是兆位动态随机存储器,集成度达到每芯片数百万个元件.由于CMOS电路独特的低功耗,高抗干扰能力等特点,已成为八十年代超大规模集成电路的主流工艺和技术.集成度的不断提高和器件尺寸的不断减小,正向其极限逼近.到九十年代初期,光学图形转移技术将会达到极限:     

硅集成系统设计导论

一、超大规模集成(VLSI)特点及能力1.集成度与计算能力自1959年世界上第一块半导体硅集成电路研制成功以来,集成电路以其极高的性能价格比,受到工业界及学术界极端的重视,实现了人类历史上最为迅速的技术发展.衡量一个集成电路技术进步的主要标志是集成度.所谓集成度是指每一个硅芯片上所集成的品体管的数目.集成度的提高使集成电路的功能增强,单位功能的成本降低,电路速度提高,功耗下降,可靠性提高.这些优点恰恰就是集成电路发明的驱动力,是分立元件组成的电路发展到集成电路的根本原因.数字集成电路的主要应用是数字信号处理.一般用信息吞吐率     

发展集成电路必须重视半导体设备

一、引言近二十年来,以集成电路(IC)和微计算机为中心的微电子技术发展十分迅速。集成电路已从小规模集成电路发展到了超大规模集成电路(VLSI)。目前已能大量生产第一代VLSI(16K位静态RAM~*、64K位动态RAM及16位微处理器);科研水平是第二代VLSI(64K位静态RAM、256K位动态RAM及32位微处理器);今年将发表256K位静态RAM。在整个七十年代中,电路的集成度平均每两年提高4倍,每块电路     

大规模集成电路——信息社会的技术基础

《电子技术》自1963年创办以来,至今已二十周年了。这二十年也是国际上集成电路迅猛发展的二十年。从六十年代初期集成电路问世,到八十年代初超大规模集成电路的初具规模,它的集成度以每年翻一番的速度向前发展。从1960年到1975年的15年间,集成度提高了64,000倍,其     

支配半导体器件的微细加工技术

七十年代中集成电路达到了平均每年提高集成度两倍,八十年代逐渐进入了超大规模集成电路(VLSI)的时代,例如,从图1就可看到动态存储器集成度如此提高的情况。按照英特尔公司总经理G·莫尔的看法,集成电路的高集成化主要是由于(1)元件的微细化,(2)芯片的大尺寸化及(3)元器件设计技术的进步。     

ULSI时代即将到来

最近,半导体产业界认为自从1971年集成化微处理器问世以来,集成电路的集成度几乎每两年增长两倍,预计1990年集成电路半导体芯片的集成度可达100万个元件,2000年可达1000万个元件的水平。一般,人们将一块芯片上集成的元件数在10万至1000万之间的集成电路称之为超大规模集成电路,用VLSI来表示。而ULSI表示超超大规模集成电路,它的芯片集成度高达1000万个至10亿个。     

超大规模集成技术

一、什么是超大规模集成电路所谓超大规模集成电路是指集成度比大规模集成电路(LSI)更高级的新型电路。大规模集成和超大规模集成的划分,目前还没有一个很确切而有科学根据的界限。一般的说法是:每个芯片上有100～5000个门或1000～10万个元件的集成电路为大规模集成,门数或元件数     

磁控溅射设备国外发展趋势及关键技术

<正> 微电子技术在现代化科技中占有极为重要的地位,而微电子技术的核心在于集成电路。集成电路是世界上公认的现代电子信息设备和系统的核心器件。当今大规模、超大规模集成电路已迅速发展,器件功能也日益复杂,芯片直径不断增大,先进国家正向0.2μm、256MDRAM的方向发展。由于集成度的不断提高,图形线宽之不断缩小,工艺的复杂化,对工艺设备提出更新更高的要求。磁控溅射技术是VLSI电路制作的重要技术。     

大型集成电路ATE系统面临挑战

ATE测试系统进展缓慢集成电路曾使用小规模、中规模、大规模和超大规模来形容其集成度,现在发展到芯片系统,起码集成百万以上的晶体管,堪称超级超大规模集成电路了。芯片系统不但只有逻辑电路,还有存储器和模拟电路。总之,它是一个名副其实可独立运行的小系统,例如数字相     

砷化镓数字集成电路

集成电路问世近二十年来,在提高电路性能、集成度和降低成本等方面都取得了显著的成绩.1978年,64KRAM的研制成功标志着集成电路技术发展到一个新阶段,即由大规模向超大规模过渡的新阶段.在VLSI的研制中,除继续对二十年来一直垄断集成电路领域的硅技术进行大力研究外,超导和砷化镓技术的研究工作也很活跃.虽然     

超大规模集成电路的发展

一、什么是超大规模集成电路发明晶体管之后的1959年,便有人研制成功了集成电路.以后集成电路向提高集成度方向发展.由小规模集成电路到中规模集成电路.当在一块硅片上制成了一千个以上的晶体管时,人们便称其为大规模集成电路(LSI).     

CMOS LSI电路失效分析的XTEM技术

集成电路工艺的迅速发展在一个芯片上已可以制作10~5以上的元件,即LSI和VLSI大规模和超大规模。集成度的提高使元件的最小尺度降到一微米以下,而栅氧化层仅数十个nm。对这种电路的分析,常用的SEM就无能为力,必须求助于TEM的更高的分辨率。而XTEM技术是研究这种具有多层复杂结构的强有力的工具。本文作     

软X射线复印

高集成化、高速化是目前技术革新的一个方向。在集成电路制造工艺中,正在研制以提高成品率、速度、集成度为目标的表面弹性波器件、磁泡、光集成电路及超大规模集成电路等一直到亚微领域的各种器件。作为光刻法亚微米加工有(相似)掩模法和缩小投影曝光法。     

世界电子信息技术和产品开发的未来展望

从世界微电子及电脑的最新进展及发展势头来看,予计本世纪最后几年,集成电路芯片的集成度将每隔1～2年提高一倍;半导体技术日趋成熟,将以目前的0.3微米线宽,到2000年将推进到0.1微米线宽。届时一块集成电路内至少容纳5000万至1亿个晶体管,甚至可能达到10亿个晶体管的极限,是目前集成度的50倍以上;未来几年,由于特殊用途的半导体(ASIC)具有高速、低耗、发光等诸多优点,其需求量将急增,化合物半导体将十分走俏;神经网络式超大规模集成电路和模糊芯片将得到更大发展;可实现最佳控制的神经网络及模糊控制的家屯新产品将日臻成熟,并大量投放市场。     

分析集成电路老化预测与容忍

随着集成电路制造技术的提高,集成电路中的电源的电压持续下降,电路的集成度得到了进一步提高,这在一定程度上促进了集成电路的发展。但是,在工艺高速发展的同时,集成电路的在应用过程中的老化问题也变得日益严重,因此需要研究人员对该问题进行深度的研究。     

高速计算机逻辑器件的发展

纵观计算机的发展历史,它经过从电子管、晶体管、集成电路直到超大规模集成电路(VLSI)的几代发展历程,充分证明了高速逻辑器件工艺技术的进展始终是高性能计算机系统发展的强大动力,主要表现在器件开关速度、集成度和可靠性的不断提高,而且它们     

国外数字大规模集成电路发展水平及动态

为供大家了解国外LSI的情况及提供制订规划的参考,本文将扼要地介绍一下国外大规模集成电路(LSI)的发展水平及动态。 集成电路自一九六○年问世以来发展十分迅速,六○年至七五年的十五年间,集成度提高了6万4千倍,其中扩大芯片尺寸占20倍,微细加工提高密度占32倍,器件结构及电路改进占100倍。     

超大规模集成电路的可靠性

超大规模集成电路(VLSI)的可靠性与集成度的增加是相互联系着的。集成度的提高,芯片增大、器件尺寸按比例缩小,采用革新电路和多层结构,致使VLSI的失效机理更加复杂,除了讨论过的分立器件的失效机理之外,还包括以下几个方面的问题: (1)VLSI广泛采用多层结构,布线宽度变窄,电流密度增大和功耗增加,电迁移导致产品寿命缩短的问题愈加严重;     

纳米电子技术

<正> 微电子技术引发了本世纪的信息革命,纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。 纳米电子技术应运而生 微电子技术经历了50年代小规模集成电路(集成度为100个元件)、60年代中规模集成电路(集成度为1000个元件)、70年代大规模集成电路(集成度为1000个元件以上)和超大规模集成电路(集成度为10~5个元件)以及80年代特大规模集成电路(集成度为10~6个元件以上)几个发展阶段。     

前言

随着计算机应用领域的日益扩大,对存贮器的容量及速度不断提出了新的要求,从而有力地推动着半导MOS存贮器技术的发展。七十年代是大规模集成电路(LSI)的年代,八十年代则是超大规模集成电路(VLSI)的年代。据估计,其集成度平均每年约增加一倍,而价格却降低一半。