半绝缘GaAs单晶衬底的繁荣期

据战略分析公司最新统计，2005年半绝缘GaAs（SiGaAs）单晶衬底需求增长率为16％／年。由于从2006年起，多模式、多频段手机要求不断增加复杂的前端模块，估计2006-2008年间对该种衬底需求量更大，整个SiGaAs衬底市场到2010年可望达到2．47亿美元。     

GaAs器件市场

战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。     

全球晶片市场可望在2013下半年反弹

根据市场咨询公司KPMG的全球半导体调查报告娃示,全球晶片市场将可望从2013年下半年开始反弹,并将有助于推动美国取代中国成为最大的半导体市场。     

半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

在无光照条件下测量背栅时，部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究，并观察了振荡对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。     

2010年半导体市场将超过3210亿美元

半导体工业协会（SIA）发表的“全球半导体销售”年度预测报告称：2010年全球半导体销售额将超过3210亿美元。2007-2010年间,年复合增长率为7．7％,2007年全球半导体销售额为2570亿美元,比上年（2480亿美元）提高3．8％。SIA预测2008年为2770亿美元（增加7．7％）,2009年为2960亿美元（增加7％）或3220亿美元（增加8．5％）。亚太地区市场仍增长最快,增速为2007年的48．4％到2010年的51．1％。     

非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

研究了非掺ＧａＡｓ半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法（ＶＧＦ）生长技术,解决了Ｓｉ沾污和Ｃ浓度的控制问题,得到了直径２英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明：该单晶的位错密度较ＬＥＣ单晶下降近一个数量级,电学参数与ＬＥＣ单晶类似,接近国个ＶＧＦ单晶的的参数指标。     

垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

在国产三温区VGF单晶炉上，研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响，基本解决了VGF的工艺问题。通过多炉生长，得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶。     

半绝缘砷化镓单晶生长技术取得系列进展

由中科院半导体所和北京中科镓英半导体有限公司共同承担的“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究”通过专家鉴定。     

高质量半绝缘GaN的制备

GaN作为宽禁带半导体材料之一，因其良好的热稳定性、较高的击穿电压，在高功率高频率电子器件方面有较大发展前途。通常非掺杂GaN因Ga空位和残余氧表现为n型。掺入某些金属元素（如铁）作为深能级受主，利用补偿作用可改善GaN电学性质。     

2016年全球大幅面打印机市场收入有望达125亿美元

根据最新的Marketsand Markets市场研究报告显示,全球大幅面喷墨打印机市场,包括其硬件、介质及耗材等,将以每年5．7％的增长率计算,到2016年,预计市场总收入达125亿美元。北美市场将领导整体大幅面市场增长,而亚太地区将成为大幅面纺织品市场的市场领导者。     

SIA和WSTS预测2008-2010半导体市场

尽管2007年上半年由于价格下降，销售不景气，SIA（半导体工业协会）仍认为2007年芯片销售可达2571亿美元，2008年预计为2769亿美元（增长8％），2009年为2962亿美元，2010年则为3215亿美元。从现在到2010年按单个产品统计预测，除存储器（DRAM）因价格问题增长率较低外，其它产品（模拟IC、数字IC、逻辑器件、分立器件、微处理器、     

中国电子产品市场增长将引领亚太地区

据《南华早报》近日报道:分析人士认为,尽管对中国经济放缓忧虑加剧,但中国内地巨大的电子消费品生产业将在未来数年内促进亚太地区半导体的需求增长。