沸石分子筛在电子束轰击下的损伤

本文以沸石分子筛在电子束轰击下出现的晶体崩裂现象为线索,讨论了电子束作用于样品可能出现的损伤,并以此为依据解释实验现象。结果表明,离子迁移是造成沸石分子筛晶体崩裂的主要原因。     

电子束轰击下的试样的热效应

本文针对电子探针和透射电镜的情况,研究了电子束轰击下产生的热效应,提出了物理模型,计算了试样的温升,并用不同的实验进行了验证。在电子探针分析中,电子束轰击产生的热量可认为来源于试样中半径为r_0的半球正中,即产生于电子运动范围内,在这区域不同地方产生的热量不一样。假定在电子束半径R_0内,样品的热产生率一定,为常数a,而在R_0—r_0范围内则线性下降,即单位体积中热产生率函数:     

电子束轰击半导体偏转调制放大器带状层流电子束的设计

本文给出了用于电子束轰击半导体器件的带状层流电子束的设计考虑、计算机分析和实验结果。采用特殊校正透镜获得了截面为1×3mm~2的带状层流束。校正透镜的使用对于有限宽度带状束的实现是一个重要措施,可推广应用于其他场合。     

xKPO_3.(1-x)MoO_3晶体的拉曼光谱特征研究

测量了ＫＰＯ３－ＭｏＯ３熔盐体系中获得的稳定化合物ＫＰＯ３·ＭｏＯ３和３ＫＰＯ３·ＭｏＯ３的拉曼光谱，对其主要内振动模的特征进行了研究，依据拉曼光谱分析结果，对两种晶体可能的骨架结构进行了定性描述。     

电子束轰击引起荧光体发光效率变低的原因

CRT 在使用中,荧光体在电子束轰击下发光效率变低,被称为“烧伤”。近年来,荧光屏注入功率密度很大的投影管及高亮度显示器的应用,荧光体“烧伤”问题更显严重。各国除致力于开发发光效率高的新荧光体外,还不断研究荧光体使用中的“烧伤”原因。本文对此进行了综合分析。     

强流电子束轰击下浸渍钪酸盐钡钨阴极的次级发射特性

本文对浸渍钪酸盐钡钨阴极在强流脉冲电子束(电子能量为2300eV,电流密度为12A/cm2)轰击下的次级发射特性作了一些初步研究。     

电子器件的新领域——电子束轰击半导体(EBS)器件

电子束轰击半导体器件,近年来有较大突破,出现了一批能与现有电真空器件、半导体器件相竞争的新型器件,从首批产品所显示的独特功能来看,以固体物理半导体技术和电真空技术为基础的结合型器件,有可能形成一种新的电子器件类别.本文评述EBS器件的基本原理,以及基于这种原理而发展的三类器件:功率器件、复杂功能器件和激光器件的研究动向、性能特点和应用领域.     

电子束辐照下LaCoO3薄膜中产生的新结构

利用球差校正扫描透射电子显微学方法,研究了在电子束辐照作用下LaCoO₃/La_2/3Sr_1/3MnO₃/LaCoO₃三层膜中LaCoO₃的结构演化。在实验中观察到一种新的调制结构,确定了其在所观察截面上调制结构的晶胞为:a’=■a₀,b’=■a₀,夹角约为71.57°(a₀为LaCoO₃赝立方结构的晶胞参数)。环形明场像的结果表明,LaCoO₃在电子束辐照下由具有3a₀周期的暗条纹结构演化为具有新周期的调制结构,并伴随氧空位的重新分布。本文研究的LaCoO₃薄膜中的结构演化是应变能、电子束辐照能量以及氧空位有序分布的形成能共同作用的结果,同时也为电子束辐照调控LaCoO₃薄膜的磁性提供了实验参考。     

一维光子晶体禁带反射率随结构的变化

用特征矩阵方法得出了一维光子晶体的反射率计算公式,以/4波片堆为例,计算了当两种介质采用不同折射率的物质时,在第一光子禁带TE波及TM波的反射率随入射角的变化。结果显示,TE波与TM波的情况不完全相同。总的来说,增大两种介质折射率的差别,或者同时提高两种介质的折射率,或者增加周期数都有利于制造出具有完全光子禁带的一维光子晶体。     

铁电-铁弹晶体:钼酸钆[Gd_2(MoO_4)_3]

钼酸钆〔Gd_2(MoO_4)_3〕晶体属于种类42mFmm2,它是“铁弹体”,也是“铁电体”.据近期的文献报导试样间的开关时间变化很大,其变化范围为0.1—2毫秒.在本研究中观察到在不低于5千伏/厘米的较高的电场下,形成的单畴之畴壁旁向运动是向着垂直于壁的方向进行的.试样经抛光后,在500℃温度时于试样的     

Si-SiO_2-Al_2O_3结构的电子束辐照效应

<正> 本文介绍了Si-SiO_2-Al_2O_3系统的电子束辐照及实验结果,定性地讨论了辐照能量、剂量及剂量率的影响.根据辐射效应,我们认为Al_2O_3-SiO_2及Al_2O_3-Si结构中Al_2O_3膜内靠近界面处存在有受主型界面态,表现出负电荷性质,辐射的电离效应进一步增强了界面的负电荷效应.同时实验结果还表明电子轰击引起了硅中杂质在界面附近的再分布.     

一维光子晶体禁带在不同入射角度下变化的研究

研究了一维光子晶体在不同角度入射下的禁带宽度和位置的变化,发现随着入射角度从正入射的0°沿光子晶体的法线逆时针或顺时针增加时,禁带的宽度变得越来越宽,禁带的中心频率也向高频率处移动,角度增加幅度相同时,禁带宽度的增加的程度也是明显地成倍增加;考虑到折射率对禁带的影响,得到折射率在0和1之间以及大于1以后禁带宽度分别表现出衰减和加剧两种不同的结构,对于以上影响光子晶体禁带的两种因素分别给出了二维和三维的关系图像.在文章的最后,又研究了缺陷对于光子晶体在不同入射角度下对禁带宽度的影响,可以得出缺陷对禁带的影响可以是增加其宽度也可以使其变窄,在不同入射角度下的效果是一样的.     

采用石英和多晶ZnSe电子束控制的晶体开关

本文介绍了利用石英晶体和多晶体ＺｎＳｅ硒化锌作开关试样的电子束控制开关的实验结果，上述两种材料的开关阻抗会因电子束激励急剧下降，石英晶体在电流控制下具有很快的瞬变响应和潜在的适应性；而ＺｎＳｅ则在电子束激励后，开关阻抗随着时间呈指数增长，相应的电流变化过程约１０ｎｓ数量级。     

折射率呈余弦变化的一维光子晶体带结构

用声学方法构造了折射系数呈余弦变化的一维光子晶体,并在介质无损耗、无电流、无磁性及各向同性假设下,把麦克斯韦方程化为一维薛定谔方程,当折射系数呈余弦变化时,薛定谔方程进一步化为了Mathieu方程.分析表明,在参数(δ,ε)平面上出现了一系列稳定和不稳定区(禁带).当参数|ε|→0时,这些不稳定区退化为一点,给出了禁带的中心频率,并用摄动法近似地求出了禁带宽度.结果表明,一阶和二阶不稳定区宽度与介质参数和入射光子频率有关.只需适当选择这些参数,就可以有效地调节光子晶体的带结构,并按需要得到不同性能的光子晶体.     

含正负介质光子晶体在角度入射情况下的带隙结构变化

采用传输矩阵法研究了在角度入射情况下由PIM/NIM组成的一维光子晶体的透射谱,得到其带隙结构的变化规律:光子晶体的带隙结构会随着入射角的改变而改变,尤其对于色散的NIM与PIM组成的一维光子晶体,在nN≈0附近会产生一个新的带隙,新带隙的中心位置保持不变,但宽度会随着入射角的增大而变宽;第一级Bragg隙的中心位置和隙宽也随着入射角的变化而变化,这为二次谐波效应实现完全相位匹配创造了条件.     

LiNbO3晶体的温度变化对调Q的影响

本文分析了电光晶体LiNbO3调Q涉及到的几个特性的温度性能。研究了晶体温度发生变化时,对经过该晶体的偏振光的偏振度的影响。研究了晶体的双折射与温度的关系,发现e光束的方向随晶体温度发生变化,对1.06μ,每10℃改变-1′21″。着重研究了非均匀热膨胀对单块45°LiNbO3晶体调Q的影响。当晶体温度每变化10℃时,由于45°反射面的角度变化会使谐振腔内的光路变化约1′。理论分析与实验结果一致。为正确设计LiNbO3晶体的调Q方式提供了依据。     

电子束曝光机工作台的结构分析

微细加工技术是微电子工业的基础。电子束曝光技术的发展使微细加工技术跨入新时代,现将国外有代表性的几家主要公司电子束曝光机工作台的结构分析如下。