宽带直流放大器

针对小信号的幅度小、干扰大,线性放大难和提取难度大等问题,设计一种宽带直流放大器,是以单片机AT89C55WD和FPGA为控制核心,由可变增益放大器AD603为核心的放大电路、前级信号调理电路、后级功率放大电路和滤波电路组成。该放大器具有高增益且增益连续可调、输出波形无明显失真、有效抑制零点漂移和噪声、可输出大功率等特性．且在0-10MHz的频带内信号可放大0～75dB,带宽设置为5MHz或10MHz两种,输出信号峰峰值高达20V。     

基于CMOS工艺高速光纤通信系统的限幅放大器

基于CMOS工艺,设计了高速光纤通信系统中的限幅放大器,主要包括四部分:输入缓冲级、输出缓冲级、宽带放大单元和失调电压补偿回路.其中宽带放大单元采用有源反馈技术和并联峰化技术扩展带宽,使限幅放大器的带宽达到6.8GHz,增益为46dB.当输入信号比特率为7Gb/s,输入电压峰峰值在10mV到1V之间波动时,输出摆幅稳定在1.4V.在标准的1.8V电源电压下,整体电路功耗为192.3mW.     

宽带直流放大器

针对小信号的幅度小、干扰大,线性放大难和提取难度大等问题,设计一种宽带直流放大器.是以单片机AT89C55WD和FPGA为控制核心,由可变增益放大嚣AD603为核心的放大电路、前级信号调理电路、后级功率放大电路和滤波电路组成.该放大器具有高增益且增益连续可调、输出波形无明显失真、有效抑制零点漂移和噪声、可输出大功率等特性,且在0～10 MHz的频带内信号可放大0～75 dB,带宽设置为5 MHz或10 MHz两种,输出信号峰峰值高达20 V.     

0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器

基于GaAs增强型pHEMT工艺,设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz～18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路,通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。在片测试结果表明,放大器在+5 V工作电压下,工作电流60 mA,在0.1 GHz～18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB,输出P1 dB（1 dB压缩点输出功率）典型值12 dBm,噪声系数典型值2.5 dB。放大器的芯片尺寸为2.4 mm×1.0 mm×0.07 mm。     

2003全国大学生电子设计竞赛一等奖 宽带放大器(B题)

本设计由三个模块电路构成：前级放大电路(带AGC部分)、后级放大电路和单片机显示与控制模块。在前级放大电路中，用宽带运算放大器AD603两级级联放大输入信号，输出放大一定倍数的电压，经过后级放大电路达到大于8V的有效值输出。ADUC812的单片机显示、控制和数据处理模块除可以程控调节放大器的增益外，还可以实时显示输出电压有效值。     

超声聚焦微喷压电换能器射频电源的设计

介绍了一种应用于生物微阵列中,工作频率为10~20 MHz的超声聚焦微喷压电换能器射频电源的设计。该射频电源采用基于直接数字频率合成(DDS)技术得到波谱纯净,频率连续可调,幅值可调,分辨率高且稳定的射频信号。采用具有可关断功能的视频运算放大器实现了一种简单实用、低成本的脉冲调制电路。功率输出级采用变压器推挽式功率放大电路,实现了宽带脉冲调制信号的功率有效放大。     

用于10Gb/s光接收机的BiCMOS放大电路

设计了一种用于SDH系统STM-64(10Gb/s)速率级光接收机中的BiCMOS放大电路,包括NMOS共栅-共源前置放大器和差分式BiCMOS主放大器;各个放大器中都引入了负反馈;并精选了元器件参数,采取了提速措施,以保证放大电路在低功耗下工作在10Gb/s或更高速率上.实验结果表明,所设计的放大电路在10Gb/s速率上,主放大器输入动态范围为42dB(3.2～500mV),50Ω负载电阻上的输出限幅约为250mV,小信号输入时的最高工作速率达到12Gb/s,放大电路可采用1.8～5.6V电源供电,平均功耗约为230mW,从而满足了光纤通信系统中的高性能要求.     

一种用于抑制共模信号的差分放大电路的研究

在GIS检测系统中,电荷放大器检测到的信号中往往含有较多的共模干扰,常用的电荷放大器满足不了要求。基于此问题,利用电荷放大器的基本原理,设计一种三运放差分放大电路。该电路由3个电荷运算放大器组成,电路中确定了运算放大器的型号以及主要器件和参数。经过Multisim仿真和硬件电路实验检测证明,该电路能有效地抑制GIS闪络故障中的共模噪声,而且拥有较宽的工作频率。因此,该电路可以稳定的工作在频率为10~180 k Hz的范围内,而且能有效地抑制信号中的共模信号干扰,具有失真小、动态范围大等特点。     

超频宽薄膜微波放大器

国外最近设计成一种过去组合电路没有达到过的,工作频率最高、频带最宽的放大器.频宽达1000兆赫,工作频率自500～3000兆赫,为性能最佳的晶体管放大器的两倍,其性能相当于或超过许多行波管.由于采用了平衡放大电路,使放大器能具有如此宽的频带.各放大级中使用一对特性相同的晶体管,用3分只的定向耦合器把输入信号和输出信号相连,这     

一种超高速宽带运算放大器的设计

介绍了一种采用高速双极工艺研制的超高速宽带运算放大器电路。运算放大器内部采用高速电流反馈结构进行信号传输和放大,通过带宽提升、电压/电流信号转换以及稳定性补偿等设计技术,获得了要求的速度和带宽。研究了高速宽带运放性能的影响因素,并结合高速双极工艺进行了电路仿真设计和流片制作。测试结果表明:在±5 V电源电压下,运算放大器的电源电流≤6 mA,-3 dB带宽≥500 MHz,转换速率≥1 500 V/μs。     

一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器

基于高速亚微米互补双极工艺,设计了一种用于视频信号处理的高速宽带运算放大器。电路内部采用高速输入差分对、电流型放大单元、Rail-to-Rail输出单元等结构进行信号传输和放大。对开环增益提升、高速电压-电流信号转换、满摆幅输出设计以及频率稳定性补偿等关键技术进行分析,利用Spectre软件进行仿真。流片后的测试结果表明,在±5 V工作电压下,该放大器的－3 dB带宽≥200 MHz,失调电压≤5 mV,电源电流≤6 mA,满足高速通信、高速ADC前端信号采集、视频信号处理等各种场合的应用需求。     

D类音频功率放大器的研究与实现

介绍了采用D类放大器来完成音频信号变换与放大的电路设计。D类放大器采用了改进的方案,即用FPGA作为逻辑控制器实现对PWM H全桥功率放大电路的控制。设计的D类放大器可对数字音源输出的音频信号进行直接放大,为数字音源和功率放大的整合提供了完整的解决方案。他具有比其他类型放大器更高的效率和更低的转换失真,正越来越多地应用在便携式器件中,因此设计课题具有很好的现实意义。     

Broadband amplification with Gunn diodes

A broadband u.h.f. amplifier is described. It uses a Gunn diode oscillating at X band frequencies. The source of negative resistance for amplification is related to a lowered current saturation as viewed in I/V characteristics for the diode.     

基于DDS信号生成原理的压电驱动装置电源设计

针对多层叠堆设计的压电驱动装置,需要一种高电压和高频率信号驱动电源。详细介绍了一种采用DDS(Direct Digital Synthesis:直接数字频率合成技术)信号生成原理的设计方案。首先利用FPGA生成不同频率、波形的信号数据,再采用PCM1702实现D/A转换,将信号通过一级运放输出幅值范围0~10 V高质量的电压信号,最后应用二级运放和功率放大电路实现±250V信号输出,波形信号为梯形波,频率最高可达1.5KHz。通过搭建驱动电源测试平台后,验证了采用DDS信号生成原理的驱动电源的有效性和实用性。     

20-850 MHz low-distortion baseband amplifier in digital CMOS process

A CMOS baseband amplifier using an open-loop architecture is presented. The eight-stage amplifier, implemented in a standard 0.13 μm CMOS technology, shows a maximum gain of 30 dB in the broadband frequency range 20?850 MHz. Each amplification stage draws 0.8 mA from a single 1.2 V power supply. The total amplifier chain shows an output referred OIP3 of 11 dBm, which can be achieved by using active loads that compensate for the nonlinear transconductance of the input transistors.     

CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计

文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。     

A broadband high-efficiency Doherty power amplifier using symmetrical devices

This paper proposes a method for broadband and high-efficiency amplification of Doherty power amplifier (DPA) using symmetric devices.In order to achieve the perfect load modulation,the carrier amplifier output circuit total power length is designed to odd multiple of 90°,and the peak amplifier output total power length is designed to even multiple of 180°.The proposed method is demonstrated by designing a broadband high-efficiency DPA using identical 10-W packaged GaN HEMT devices.Measurement results show that over 51％ drain efficiency is achieved at 6-dB back-offpower,over the frequency band of 1.9-2.4 GHz.     

高功率同轴抽运宽带拉曼放大

研究了在宽带条件下非聚焦的同轴拉曼放大 ,采用CH4 作为放大拉曼介质 ,抽运源为 2 48nm的高功率KrF准分子激光系统 ,最高抽运能量为 1 5J。给出了拉曼链一级放大器的级增益随小信号增益系数及放大器气压的变化。最后讨论了限制同轴宽带抽运拉曼放大的因素。     

A 0.6-V Low Power UWB CMOS LNA

This paper presents the design of a low-power ultra-wideband low noise amplifier in 0.18-mum CMOS technology. The inductive degeneration is applied to the conventional distributed amplifier design to reduce the broadband noise figure under low power operation condition. A common-source amplifier is cascaded to the distributed amplifier to improve the gain at high frequency and extend the bandwidth. Operated at 0.6V, the integrated UWB CMOS LNA consumes 7mW. The measured gain of the LNA is 10dB with the bandwidth from 2.7 to 9.1GHz. The input and output return loss is more than 10dB. The noise figure of the LNA varies from 3.8 to 6.9dB, with the average noise figure of 4.65dB. The low power consumption of this work leads to the excellent figure of gain-bandwidth product (GBP) per milliwatt