元器件与组件

面向无线宽带应用的LDMOS射频功率晶体管这两款LDMOS射频功率晶体管主要面向无线宽带应用,例如在2.5～2.7GHz频段上运行的WiMAX应用。在WiMAX信号条件下,提供16W平均输     

元器件与组件

晶圆级封装BAW滤波器；全新紧凑型IGBT模块使杂散电感降低60％；小型化、高集成度的CDMA450用双工器；可降低开关电源功耗的超快速整流器；超薄高电流电感器。     

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MLP封装的ULTRAFET器件；无卤素树脂二极管；针对CPU稳压器的集成驱动器MOSFET;用于照明系统的MOSFET；采用WL-CSP封装的功率MOSFET。     

元器件与组件

LAN模块电感器,Z箔表面贴装电流感应芯片电阻,固体钽芯片电容器,能提高摩托车点火器性能的微触发单向可控硅,车载用稳压二极管     

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SOD-523封装的二极管 肖特基二极管SDM03U40、SDM10U45、SDM20U30、SDM20U40,开关二极管1N4148WT和1N4448HWT采用超微型SOD-523封装,其最大耗电     

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新型PolySwitch可复位电路保护器；光隔离MOSFET栅极驱动器；GSM／GPRS／EDGE收发模块；新型SOT-723封装功率MOSFET；N沟道增强模式MOSFET     

元器件与组件

为太阳能及工业电源带来高能效和可靠性的IGBT M系列1200V IGBT以先进的沟栅式场截止技术为特色,有效提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和可靠性。高度优化的导通性和关断性以及低导通损耗,让该系列改进型I G B T特别适用于执行工作频率高达20k Hz的硬开关电路;最高工作温度提高至175℃,     

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MOSFET提高DC／DC转换器效率；小尺寸互补对称MOSFET；微调电容符合RoHS要求；表面贴装的光反射传感器；小尺寸的高电流电感器产品……     

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保持电流为550mA的保护器新的LVR系列PolySwitch可复位器件的最大保持电流额定值从400mA提高到了550mA,保护电子器件免受过电流和过热故障状态所引起的损坏。电压额定值为240VAC,最高允许电压可达265VAC,能够在电源和变压器的初级端同时提供对过流和过热故障的保护。分为直脚引线和弯脚引线结构,采用卷带式包装,通过了UL、TUV和CSA认证。Tycohttp://www.tycoelectronics.com具备高阻断电压特性的扩散二极管额定电压为600V的60APU06和60EPU06铂扩散超快恢复外延二极管的铂扩散工艺精确地控制了载流子寿命;设定或调整二极管恢复速…     

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静电放电保护二极管静电放电保护二极管PESD3V3L2UM和PESD5V0L2UM采用无引线超小SOT883表面封装,尺寸为1.0mm×0.6mm×0.5mm,具有16pF的低电容、超低的漏电电流,以及3.3V和5.0V的反向承受电压。可承受20kV的静电放电脉冲,符合IEC61000-4-2(第四级)标准,如将多个二极管保护器件集成在一个设备上,可保护7条传输或数据线免受由ESD脉冲造成的损害。Philipshttp://www.semiconductor.philips.com双路数控电位计双路非挥发线性数控电位计(XDCP)X93425在单一封装内提供两路低功耗的XDCP,两路数控电位计有单独的32个滑片,并有独立的…     

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小尺寸智能型功率模块接口光电耦合器;采用SOT-953封装的ESD保护二极管阵列；     

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正高高可可靠靠性性、低低电电压压齐齐纳纳二二极极管管新型高可靠性ultra-sharp knee二极管器件瞄准国防、航天、工业和医疗市场中的低电压调节和瞬变保护应用,具有低额定电容和低额定泄漏电流特性,其反向泄漏电流低于50nA,工作电压为1～2.4V,测试电流为250μA时最高浪涌电流为25A,符合IEC 61000-42和IEC 61000-4-4标准的ESD和EFT保护。与标准齐纳二极管相比,这些产     

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ESD保护二极管和肖特基二极管，优化汽车应用的低压MOSFET，4通道LVDS缓冲器／中继器，小型高电流负载开关系列，新系列家电AC开关     

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正低电容型瞬态抑制二极管阵列低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)可为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下     

表贴元器件常见的失效模式及机理分析

由于表贴元器件具有体积小,重量轻,集成度高,性能优良的优点,随着武器装备系统向着小型化、智能化方向发展,表贴元器件越来越多地应用在高新武器装备系统中.但是,由于器件本身的结构以及材料等方面的原因,表贴元器件在应用中容易产生一些特有的失效模式.本文通过一些表贴元器件典型的失效案例,分析了元器件的失效机理,重点剖析了元器件失效与其本身结构及材料方面的关系.     

元器件与组件

0402尺寸高Q特性的积层陶瓷电感该积层陶瓷线圈在1GHz下的Q特性为15.8(电感值10nH的情况下),与以往产品相比,该产品的Q特性提高了40%,在高频电路应用中,可以     

元器件与组件

适用于电视广播发射机的超高频晶体管；用于手机相机电子闪光控制的200A IGBT；面向低功耗应用的MLP封装MicroFET；4线总线端口保护二极管阵列；     

元器件与组件

导通电阻低至29m Ω的功率MOSFET；SMA封装600W高温钳位二极管；面向超薄便携式产品应用的PNP晶体管；新型DSMZ超高精度z箔表面贴装分压器；[编者按]