外腔半导体激光器的线宽

本文用量子力学的方法求得了外腔半导体激光器(LD)的线宽,给出了抑制LD线宽的最佳反馈条件。     

半导体激光器参数的外腔法测量

通过测量运行在外腔中的半导体激光器的P-I(功率电流)曲线,可以确定二极管激光器的重要参量——吸收系数α、对电流的微分小信号增益系数dg/dI以及光子寿命等。     

可调外腔半导体激光器的绝对距离测量

提出了一种新型的可用于绝对距离测量的波长扫描光纤干涉仪。采用可连续调谐的外腔半导体激光器作为波长扫描光源。     

窄线宽的外腔半导体激光器

介绍了使用闪耀光栅作为光反馈元件,与原始线宽大于1200GHz的半导体激光器构成的Littrow型外腔半导体激光器,极大地改善了激光器的性能。实验得到了功率恒定、模式单一稳定、线宽优于1.2MHz的激光输出,压窄线宽比为106,并针对Littrow型外腔结构提出了简洁、紧凑的复合型外腔方式。     

外腔半导体激光器频谱特性研究

本文在外腔半导体激光器的研究中引入了改进的速率方程组,用解析方法导出了稳态振荡条件和谱线宽度表达式,这些表达式适用于具有任意反馈量的外腔半导体激光器。理论分析与实验相符。     

大功率外腔半导体激光器的研究

介绍了一种用光栅作为外反馈元件，采用普通大功率半导体激光器管芯作为增益介质的方案。实验中实现了输出功率大于７０ｍＷ，边模抑制比大于３０ｄＢ。并对影响大功率外腔半导体激光器特性的参数进行了分析     

长外腔半导体激光器的调谐连续性

可调谐外腔半导体激光器（ＥＣＬＤ）中的波长选择元件（如光栅，Ｆ－Ｐ标准具等）所选择的波长函数具有一定的频谱宽度，为实现连续调谐该宽度就应足够小，作为首次尝试，在研究了确保ＥＣＬＤ能在激光二极管的以共振长振荡所需的条件后，我们导出该谱宽不能超过的上限值。     

光栅调谐外腔半导体激光器特性

用一端面镀制高效减反射膜的激光二极管（实际已变成超辐射发光二极管），作为外腔中的增益介质与衍射光栅一道构造了光栅调谐外腔半导体激光器，并对其特性进行了分析和实验研究，实现了外腔半导体激光器的宽带调谐单模输出，调谐范围宽达４０ｎｍ，测定了阈值电流和调谐波长的关系。     

半导体激光器外腔长连续调频特性的研究

研究了半导体激光器的外腔长连续调频特性，在外腔长λ／２变化范围内，激光频率与外腔长度呈线性变化关系，线性连续调频宽度小于外腔纵模频率间隔。外腔长调频率与激光管本征频率成正比，与外腔长度成反比。实验测量结果与理论分析相一致。     

光栅外腔半导体激光器的波长特性研究

本文对光栅外腔半导体激光器调谐在不同波长所需的阈值条件和输出功率进行了研究。     

半导体微腔激光器

文章简要叙述了微腔激光器的基本工作原理。采用先进的ＬＰＥ及反应离子刻蚀等微细加工技术制作了盘型－ 图钉式微腔结构,测得其有源区的光荧光谱的半宽度为０ ．０３２ ｅＶ,波长为８１５ ．３３ ｎｍ 。     

减反射膜与外腔半导体激光器调谐范围

由于镀了减反射膜的半导体激光二极管端面的反射曲线的谱宽有限，而且，增益峰值波长随载流子密度的变化，因而实际上起作用的反射率通常都比能测到的最低反射率高，在腔内可建立的载流子密度的上限比预期的低。在考虑了这些因素后，计算了用这种管子作外腔半导体激光器（ＥＣＬＤ）的增益介质时，ＥＣＬＤ的调谐范围。     

集成外腔半导体激光器的量子噪声

本文首次用半经典理论给出了集成外腔(IEC)半导体激光器(LD)的量子AM和FM噪声谱。指出IEC LD的噪声特性主要取决于有源区和外腔的长度及折射率的变化。     

强反馈外腔半导体激光器线宽特性研究

本文分析了具有强反馈外腔的半导体激光器线宽特性，给出了强反馈外腔半导体激光器的线宽压窄率表示式．分析结果表明：该公式与数值解的结果符合很好，并且在一定条件下，弱反馈外腔可以得到比强反馈外腔更窄的线宽．     

半导体大光腔激光器列阵

本文报告了一种具有实用价值的半导体大光腔激光器列阵,介绍了该器件的两种典型结构和基本特征,以及设计思想,制作工艺等.该器件阈值电流为2-4A,峰值功率为75-100瓦,是目前国内列阵器件的最高水平.     

外腔半导体激光器温度精密控制设计

温度因素直接影响着外腔半导体激光器的外腔尺寸,而其变化又影响着输出激光信号的频率,甚至影响运行的可靠性.文中通过PID控制网络的理论分析,给出了一种基于该控制网络的恒温系统的设计方案.该设计方案电路简单,可靠性高,控温精度为±0.01℃.     

外腔半导体激光器的理论分析与试验

对描述外腔半导体激光器的多模速度方程组作了适当修正,利用经修正的多模速度方程组,对外腔半导体激光器的选模特性,输出功率及稳频进行了理论分析;从实验上观察了p=1.3um的外腔单纵模的工作情况;模抑制比S0/S1<280,实验结果与理论分析基本一致.     

外腔半导体激光器的宏模型

本文给出了外腔半导体激光器大信号宏模型。该模型可以作为光电集成ＥＣＬＤ的计算机辅助设计模型,亦可作为考察光反馈对单模ＬＤ影响的分析模型,模型可以用通用电路分析软件进行分析,分析结果与已报导的理论和实验基本一致。