Luminescence Properties of Nanometer Si with Embedded Structure

Blue luminescence at about 431 nm is obtained from epitaxial silicon after C^＋ implantation, annealing in hydrogen ambience and chemical etching sequentially. With increase of chemical etching, the blue peak is enhanced at first, then decreased and substituted by a red peak at last. C=O compounds are introduced during C^＋ implantation and embedded in the surface of nanometer Si formed during annealing, and at last is formed nanometer silicon with embedded structure, which contributes to the blue emission. Presented is the possible mechanism of photoluminescence.     

一种四位嵌入式MCU的结构和指令分析

本文介绍了一种函数计算器所用的四位嵌入式MCU的结构，重点介绍了这种MCU的硬件结构和指令系统，并给出了一个实际的运算流程。     

纳米尺度多晶硅微结构刻蚀研究

以HBr作为刻蚀气体,采用ICP金属刻蚀系统对气体流量、刻蚀压力、离子源功率、偏压功率等工艺参数与刻蚀速率、刻蚀选择比和侧壁垂直度的对应关系进行了大量工艺实验。借助理论分析和工艺条件的优化,开发出一套可满足制备侧壁垂直度的纳米尺度多晶硅密排线结构的优化刻蚀工艺技术。实验结果表明:当采用900 W的离子源功率、11 W的偏压功率、25 cm3/min流量的HBr气体和3 mTorr(1 mTorr=0.133 3 Pa)刻蚀压力的工艺条件时,多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比大于100∶1;在保持离子源功率、偏压功率、气体流量不变的条件下,单纯提高反应腔工艺压力则会大幅提高上述选择比值,同时损失多晶硅和二氧化硅的刻蚀均匀性;HBr气体流量的变化在上述功率及反应腔工艺压力的工艺范围内,对多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比和多晶硅刻蚀的形貌特征均无显著影响。采用上述优化的刻蚀工艺条件,配合纳米电子束光刻技术成功得到多晶硅纳米尺度微结构,其最小线宽为40 nm。     

注碳外延硅光致蓝光发射研究

N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431nm左右的蓝色荧光。随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光峰先变强后消失,并出现位于716nm处的红光峰。研究认为样品中C=O复合体杂质镶嵌在退火过程所形成的纳米硅颗粒的表面而形成的纳米硅镶嵌结构导致了蓝光发射。     

采用P^＋共同注入改进SI—GaAs Si^＋注入层的电特性

在SI—GaAs Si~+注入层中共同注入P~+可以改进注入层的电特性。P~+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si~+注入的剂量和能量分别为4×10~(12)cm~(-2)/30keV+5×10~(12)cm~(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75～85％,平均霍耳迁移率为4600～4700cm~2/Vs的结果。另一方面,P~+注入改进了有源层与衬底的界面特性。肖特基势垒技术测量表明,P~+共同注入的样品表现出更好的迁移率分布。深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,P~+共同注入降低了激活层中的深能级密度。     

Investigation on the Luminescent Properties of SiC

Silicon carbide (SiC) is an excellent microelectronic material used to fabricate high frequency, high temperature, high power and non--volatile memory devices. But due to its indirect band gap, SiC based LED can‘t emit light so efficiently as GaN based LED, so people are eager to seek effective means to improve its luminescence efficiency. Amorphous SiC, porous crystalline SiC, nanometer SiC produced by CVD methods and porous SiC formed by ion implantation are investigated, and great progresses have been gained during the latest few years, which make SiC a promising material for developing OEIC.     

实时嵌入式操作系统VxWorks结构分析和剪裁

本文通过对VxWorks操作系统软件结构的分析,总结出VxWorks在可剪裁性方面所进行的设计和优化。在此基础上,提出VxWorks的的剪裁方法和步骤。剪裁方法是目标程序分析法结合预编译宏的方式,对VxWorks源码的剪裁分为4个步骤,包括组件级剪裁、文件级剪裁、函数级剪裁和语句级剪裁。最后,本文提供了一个微小内核实时系统的剪裁实例说明。     

Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火

本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.     

单片Si-FED的结构和设计

根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。     

纳米Ge颗粒镶嵌硅基薄膜的结构与光吸收特性的研究

采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒镶嵌于SiQ中的复合薄膜(Ge—SiO2)，结合样品结构对光吸收特性进行深入的研究。研究发现该类样品存在较强的光吸收，并且光吸收边随Ge颗粒尺寸变小有显著的蓝移现象。采用量子限域模型和介电限域模型分别作了相应的理论计算，结果表明两种模型的理论计算结果与实验值均有一定的偏差；在小尺寸的Ge颗粒情况下，前者与实验值有明显的差异。对此结果我们给出了相应的分析讨论。     

Al/AlN/Si MIS结构的电学性质

用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2;揭示了A lN/S i界面存在连续分布的载流子陷阱态,给出了陷阱态密度在S i禁带中随能量的分布;还观察到A lN界面层存在Et-Ev(A lN)=2.55 eV的分立陷阱中心。     

氮离子注入形成SOI结构的外延研究

用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.     

Ar+激光诱导湿刻Si的特性研究

利用聚焦的Ar+激光束诱导的方法,实现了对浸入HF:H2O(1:20)腐蚀液中的N型单晶Si样品的腐蚀,证明这种湿刻过程是一种由光生电子-空穴对引起的电化学腐蚀,腐蚀坑具有侧壁平滑的高斯状结构。腐蚀特性与入射激光功率以及Si掺杂浓度有关。应用激光诱导无电极电化学腐蚀电路模型对实验结果进行了合理的解释。     

一种高效率8位嵌入式微控制器的VLSI实现

在分析标准8位MCU流水线结构的基础上，从提高效率及降低功耗的角度出发，提出了一个高性能MCU的实现结构。通过流水线结构的优化，使指令执行效率提高到原来的2．5倍，在保持运算能力不变的前提下，功耗可降为标准结构的1／16左右。     

注C~+外延硅的光致发光特性

在N型外延硅中注入C+并经高温退火形成了Si C沉积.不同条件下进行阳极氧化腐蚀后,在2 6 0 nm光激发下获得了340 nm和4 30 nm的紫外和紫光峰,它们的单色性很好,半高宽(FWHM)约为10 nm.在以上条件下Si C沉积并未多孔化,认为340 nm和4 30 nm峰可能源于样品中的C、O杂质镶嵌于纳米硅表面所形成的发光中心.讨论了各种发光中心形成的可能条件,并对实验结果做出了初步解释.     

基于ARM9的嵌入式系统研究及设计

为适应嵌入式技术在现代工业及电子等更多领域的广泛应用,通过对ARM9嵌入式微处理器芯片S3C2410的研究,设计出基于S3C2410核心板的嵌入式系统开发底板,更多的需求及功能可在其底板上进行扩展与实现.首先对ARM9嵌入式微处理器S3C2410进行介绍,然后给出了基于S3C2410核心板的嵌入式系统开发底板的设计与功能扩展,包括开发板总体设计,电源模块设计,各种通信模块设计如串口、JTAG接口、网络接口、CAN总线通信接口等.该模板的设计实现了嵌入式系统在更多更广泛领域应用的灵活性.     

硅中硼离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究

本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退火条件。对于采用920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)的~(11)B离子注入样品,经不同时间卤钨灯辐照退火后,测量了注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规炉退火作了比较。结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小以及快速、实用等优点。     

基于Qt/Embedded的嵌入式数字监控系统控制界面的实现

随着嵌入式处理器运算能力不断增强,纯软件实现屏幕显示功能成为可能.在处理器S3C6410上的Linux系统中利用Qt/Embedded成功实现了监控系统的控制界面,实现简单,实时性良好,并能够中英文显示.     

硅凹槽中硅反蛋白石光子晶体直角半波导的制备

探索了利用PECVD方法和ICP技术制备硅凹槽中硅反蛋白石(opal)结构光子晶体直角半波导的工艺条件,研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间等PECVD工艺条件及基底状态对填充效果的影响.结果表明,降低沉积速率有利于在蛋白石结构内外均匀填充,同时在自由基扩散通道不被堵塞的前提下,增加沉积时间及蛋白石结构的规整程度,有助于反opal结构的形成.     

基于TINI平台的嵌入式互联网接入技术研究

随着网络技术的发展,将各种设备接人互联网,利用互联网实现数据传输与远程监控成为当今电子设备发展的必然趋势.文中介绍了DS80OC400芯片以及基于此芯片的TINI系统.提出了采用TINI系统来实现非网络设备接入互联网的方法,包括硬件结构、软件设计以及开发流程等,并以RS-232接口为例,给出了此方法的具体实现.与传统的通过PC机转接的方法相比,此方法具有开发成本低、效率高、运行稳定、低功耗、体积小等特点.