慢正电子的获得及其应用

本文是关于慢正电子束的获得及其应用的文献综述。 (1)能量为1eV左右慢正电子束的获得,通常是用~(22)Na、~(58)Co、~(68)Ga、~(64)Cu作为正电子源;还有用电子直线加速器的电子轰击Ta靶得到脉冲正电子源,由正电子源发射的正电子经慢化器(Cu、W叶片、复式MgO)就可以得到1eV—几百eV的正电子慢化效率极限为10~(-3),一般可达10~(-5)左右。为了使慢正电子单色化还要经一系列电子光学透镜才行。     

用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率

用单能慢正电子束流作为探针,测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律,观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积,但正电子在硅中的迁移率随杂质浓度的增加而减小。     

正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置的物理设计

与X射线、高能电子或中子激发俄歇电子能谱相比,正电子湮没诱发俄歇电子能谱(PAES)具有极表面选择性、高信噪比、低辐照损伤等特点.本文介绍北京慢正电子强束流的PAEs装置,采用4×10-3 T磁场对正电子和俄歇电子进行输运,强弱磁场梯度对俄歇电子进行平行化,法拉第筒对俄歇电子的能量进行调制,使得整个系统的能量分辨优于2 eV.     

正电子寿命谱仪时间分辨率计算机程序介绍

在正电子寿命谱的测量中,常用~(60)Co源的瞬发符合分辨曲线以监测谱仪的时间分辨率。本文介绍一种用三个高斯曲线拟合分辨曲线计算仪器分辨率的计算机程序(根据需要可改为N高斯拟合曲线的计算机程序)。程序用BASIC语言编成,用小容量微处理机即可进行计算。     

正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序

本文介绍一个正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序。作者采用最小二乘褶积法分 解出正电子在材料中湮没的本征谱;计算电子动量分布及动量密度分布;并把本征谱分解成高斯成分和倒抛物线成分(或者二个高斯成分)。程序主要分成二部分,第一部分参照Eiyoshishizuma提出的与模型无关的褶积法分解出湮没的本征谱。第二部分是用非线性最小二乘拟合迭代法分解本征谱,并计算弗米能E_f和湮没比值f。     

金属与合金的高温正电子湮没特性测量

回顾了正电子湮没热平衡测量的主要研究工作，讨论了β＾＋－γ正电子寿命谱测量装置的原理和应用，并介绍了β＾＋－γ寿命谱仪的发展过程及今后的发展趋势。     

高温超导中多个正电子捕获位及其对正电子湮没参数的影响

从正电子陷阱物理图象出发，引入正电子在陷阱中湮没的竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用此模型分析了高温超导材料中正电子在陷阱中湮没的特征。     

用成像板探测正电子

用成像板对常用正电子源＾３２Ｎａ进行了一系列感光实验。结果显示,激发辐射的光子强度值ｆ（ｐ）与成像板记记载的正电子流强ｆ（ｅ＾＋）成正比关系。在北京慢正电子束设备上进行了单慢正电子的感光实验,结果表明,成像板是慢正电子的一种优良的二维位置灵敏探测器。     

利用轫致辐射能谱测定高频腔体电压

报道了利用轫致辐射能谱测定高频腔体电压的原理、方法及结果分析,并与直接测量法的结果进行比较,说明这种间接测定法的优点。通过实际调束流轨道、能量的测定与计算验证了用能谱法测定腔体电压数值的准确可靠性。     

GEANT4 simulation of slow positron beam implantation profiles

The paper presents the positron implantation profiles, which are important for proper interpretation of data produced in slow-positron depth defect spectroscopy (VEPAS). In the paper, we compared the profiles reported in other publications and those obtained using the GEANT4 codes, which are used for the simulation of interaction of energetic particles with matter. The comparison shows that the GEANT4 codes produce profiles which match fairly well with those generated by other codes, which take into account more accurately processes at low energies when positrons interact with core electrons, valence electrons, plasmons etc. The profiles in different materials simulated for different implant energies were parameterized using two analytical formulas: the Makhovian profile and the profile proposed by Ghosh et al. [V.J. Ghosh, D.O. Welch, K.G. Lynn, in: E. Ottewite, A.H. WeissSlow (Eds.), Positron Beam Techniques for Solids and Surfaces, Jackson Hole, Wyoming, AIP Conference Proceedings, Vol. 303, New York, 1994, p. 37]. The adjustable parameters obtained are presented in Table 1 and Table 2. The total backscattering probability obtained from the GEANT4 simulations is in agreement with experimental data reported.     

正电子湮没寿命谱多指数函数拟合程序分析

本文分析美国乔治亚大学徐孝华教授提供的正电子湮没寿命谱多指数函数拟合程序NFIXED,详细地介绍了其使用方法。在使用中略加改进,对α-Fe样品的正电子湮役寿命谱进行多次计算,将获得的寿命值与通用的寿命值相比较,相差均<10ps。显然,这个程序的计算效果是好的。     

分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究

用慢正电子束流作为探针,测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数,讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系,所得结论为：对于几百纳米厚度的分子束外延生长层,５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。温度过低,膜中将会含有大量的空位型缺陷;温度太高,杂质在材料中会有明显的扩散行为,对产品性能发生较大影响。     

He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究

用慢正电子束探针测量了经剂量为 5× 10 16cm-2 的 140keVHe+ 注入的Si(10 0 )单晶S参数与正电子入射能量的关系 ,得到了注入产生缺陷的分布规律 ,发现近表面区域损伤不大 ,缺陷主要是直径小于 1nm的空位或空位团 ,较深的射程末端区域损伤严重 ,缺陷主要是微空洞和微气泡。对退火效应的研究表明 ,低温下退火空位缺陷得到了很好的消除 ,而高温下退火微空洞和微气泡发生融合 ,而且尺度增加     

脉冲慢正电子束流的检测

本工作设计了一种通过测量脉冲慢正电子湮没辐射在闪烁探测器的积分效应进行测量和标定脉冲正电子束流强度的方法.通过对探测器的刻度,定量测量了北京慢正电子强束流项目中慢正电子束流的流强和能谱发布,为脉冲正电子束流的直流化设计提供了依据.     

多道电子束流能谱描迹仪

介绍了用一种多条金属靶传感器测量直线加速器电子束流能谱的方法 ,主要讨论其原理和电路设计时应考虑的问题