Ka波段单片压控振荡器的设计

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了Ka波段单片压控振荡器,该压控振荡器采用源极正反馈结构,变容管采用源极和漏极接地的pHEMT管。通过优化输出匹配网络和谐振网络以改善输出功率和相位噪声性能,使用蒙特卡洛成品率分析对本设计的成品率进行分析和改进。版图仿真结果显示:芯片输出频率为24.6²6.3 GHz,输出功率为(10±1)dBm,谐波抑制大于19 dB,芯片尺寸为1.5 mm×1 mm。     

X波段GaAs单片压控振荡器

本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3～11.6GHz,输出功率大于10dBm.     

基于ispPAC20的单片集成压控振荡器设计

介绍了一种基于在系统可编程模拟芯片ispPAC20的单片集成压控振荡器的设计方法,具有开发速度快、可靠性高、灵活性高等优点。给出了实验分析和单端输入接口电路的设计方法。     

Ka波段GaAs耿氏单片压控振荡器

介绍一个以GaAs Gunn器件为振荡元件的Ka波段微波单片压控振荡器(MMIC VCO)。它以工艺相容的Schottky二极管为调谐元件,采取微带耦合的电路形式。该MMIC VCO制作在5mm×3mm的GaAs芯片上,其中包含了一个Gunn管、一个变容管、匹配网络以及两个直流偏置。单片测试结果:在34.6GHz下得到了3.03mW的输出功率,最大电调带宽90MHz。这是国内Ka波段MMIC VCO的首次报道,其性能接近国外1987年的实验室研制水平;同时也是国内首片毫米波段的MMIC。采用了TOUCHSTONE软件包,进行了毫米波段电路的CAD优化尝试,取得了较为满意的结果。     

X波段宽带GaAs单片压控振荡器

<正>为了适应宽带微波系统和整机小型化的要求,南京电子器件研究所进行了宽带GaAs MMIC VCO的基础研究工作。 在原工作的基础上,将源串联的固定反馈电容C_F用变容管代替,这样变容管不仅能起到反馈的作用,同时通过改变其外加偏压,还可达到增加调谐带宽的目的。 电路采用CAD设计,所研制的电路芯片尺寸为1.8mm×1.4mm。微波测试结果如下:频率调谐范围:7.3～10.7GHz;功率输出:15±1 dBm。     

低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5 GHz;输出功率Pout=7~9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100 kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz。     

准恒定压控增益的压控振荡器设计

在DRM DAB系统设计中,压控振荡器需要满足宽的调频范围,而其压控增益的差别需要控制在一定的范围内,以使得锁相环的稳定性得到提高,同时为了降低锁相环环路对噪声的敏感性,我们需要低的压控增益。据此,本文所采用的可变电容阵列结构有效地满足了上述要求,使用SMIC 0.18μm CMOS工艺,仿真得到的结果显示在1.71G振荡频率1MHZ频偏处的相位噪声为-124.3d Bc/Hz.压控范围为1.71-2.31GHz。     

面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器

介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17～4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0～2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.     

闭环压控振荡器的设计

压控振荡器在许多电子设备中得到应用。平显火控系统中的f_d信号发生器实际上可以认为是一个压控振荡器。其输入信号是—控制电压即频偏调制电压,输出是频率与输入电压成线性关系的正弦波。开环压控振荡器对于输出频率与输入电压之间的线性关系难以保证。现在采用的ICL8038是一集成压控振荡器,其线性度在10倍程的频率范围内较好,而在更大范围内则有所下降。另外,该器件输出频率的温度稳定性不够高,特别是国产5G8038尽管价格较进口的ICL8038便宜近十倍,但温度稳定性更差。本文介绍一种闭环压控振荡器电路,以稳定输出频率与输入电压间的线性度。     

Ka波段低相位噪声GaAs MHEMT单片压控振荡器

报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μmGaAsMHEMT工艺,研制的Ka波段GaAsMHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34GHz,频率变化范围38.6～41.3GHz之间,调谐带宽2.7GHz,典型输出功率6.97dBm,频偏100kHz,相位噪声为-81.1dBc/Hz。     

（英）W波段InP HBT 宽带高功率压控振荡器

本文介绍了一款具有较高输出功率和宽调谐频率范围的基波压控振荡器单片集成电路。其制作工艺为f_T =170GHz,f_max =250GHz的0.8um InP DHBT工艺。电路核心部分采用了平衡式考毕兹振荡器拓扑,并在后面添加了一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率。DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐。芯片测量结果表明,VCO的频率调谐范围为81- 97.3GHz,相对带宽为18.3 %。在调谐频率范围内最大输出功率为10.5 dBm,输出功率起伏在3.5 dB以内。在该VCO的最大调谐频率97.3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz @1MHz。在目前所报道的InP HBT基VCO MMIC中,本文在如此宽的频率调谐范围内实现了最高的输出功率。     

使用ADS系统设计35GHz HEMT压控振荡器

用ADS系统软件设计了一个35GHz压控振荡器,模拟结果表明,采用0．1μmHEMT器件,输出功率可达13．52dbm,控制电压在0到6V变化时,调谐范围接近3％。     

MAX275x系列单片集成2.4 GHz压控振荡器

1 概述 MAX2750/MAX2751/MAX2752是独立工作于2.4 GHz频率的压控振荡器(VCO),将元器件集成在一个芯片上,使外围器件缩减为几个旁路电容.该器件随输入控制电压的变化而提供相应的压控缓冲输出.输入控制电压为0.4 V～2.4 V,振荡器的频率变化范围对应于出厂设置的限制标准.输出信号通过一个放大级(必须做到50 Ω匹配)可以实现较大功率输出并保持元件适应环境变化的独立性.     

4-8GHz场效应管压控振荡器

<正>南京电子器件研究所利用本所研制的WC592型功率场效应管和WB64型超突变结变容管,研制成WZB852型4-8GHz场效应管压控振荡器.振荡器采用了当前中、大功率场效应管振荡器常用的反沟道电路,此电路具有调谐范围宽,输出功率大,转换效率高,带内功率起伏小,单一的电源供给,接地电感小,稳定可靠及能抑制低频寄生振荡等优点.其外形见封底照片.     

单片低噪声HBT VCO

报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件，PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm，调谐范围100MHz，在载波频率2．84GHz处，相位噪声为－80dBc／Hz＠100kHz。以C波段单片HBTVCO的输出功率为－10dBm。这些结果表示HBT在微波与毫米波振荡器运用中具有较好的低相位噪声特性。     

小型化恒温压控振荡器设计

采用附加恒温电路对振荡器进行温度补偿,进而实现了低温漂。在结构设计上摒弃了传统的复杂恒温槽结构,改为对管壳封装的集成ＶＣＯ进行局部恒温,讨论了对温度漂移有影响的关键因素,通过合理设计,达到了要求的技术指标,实现了小型化。     

一种结构新颖的压控环形振荡器

提出了一种新颖的压控环形振荡器的电路实现结构,着重分析了该压控振荡器的线性度。该电路全部由ＭＯＳ管实现,因而易于集成在先进的片上系统中。该线性环 振荡器是片上天线无线通讯测试系统的一个部分,用特许半导体公司的０．６μｍＣＭＯＳ数字工艺实现。     

低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制

采用0.18um GaAs PHEMT工艺,设计和研制了毫米波压控振荡器.该压控振荡器采用反射式结构,并针对了我国本地多点分配业务(LMDS)频段进行了优化设计,芯片采用OMM IC ED02AH工艺实现,芯片的尺寸为1.2mm×0.8mm.实测性能指标为:在28.46GHz,该压控振荡器的输出功率为7.3dBm,偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,调谐范围为27.5~30.4GHz.