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为了增大曝光量传感器的测量范围,提出了一种基于忆阻器的新型曝光量传感器设计方案.该传感器主要由光敏电阻、限流电阻和忆阻器组成.光敏电阻的阻值随着光照度的变化而变化,引起回路电流的变化,然后以变化的回路电流激励忆阻器.依据记忆特性,传感器以忆阻器的阻值来表征物体被辐照时光照度在一段时间内的积分值,从而实现对曝光量的测量.实验结果表明,曝光量传感器实现了对曝光量的测量,且具有大的测量范围.光照度为100 lx时,测量范围为0~500 lx·s;光照度以80 lx/s的稳定速率增大时,测量范围为0~1 000 lx·s.另外,限流电阻为0.2 MΩ时的测量上限值比10 kΩ时大780 lx·s,而灵敏度降低了87 Ω/(lx·s).增大限流电阻尽管可以增大传感器的测量范围,但是却降低了灵敏度. 相似文献
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在原有忆阻器的定义上采用一种相对简单的荷控忆阻器模型,其忆阻M与电荷q的关系可以用一条二次曲线来描述。经仿真分析,其伏安特性曲线是一条类斜\"8\"字滞后回线,且会随着周期双极性输入信号的频率和振幅的变化而变化,并在一定程度上受到忆阻器本身参数的影响。用此荷控忆阻器代替蔡氏电路中的蔡氏二极管,得到含荷控忆阻器的电路,给出相轨图、Lyapunov指数与维数来验证其在一定参数配置下处于混沌状态。通过变换系统的初始值,验证了此混沌系统的运动轨迹在初始值微小的变化下会发生很大的差异。Lyapunov指数谱表明含荷控忆阻器的混沌系统在初始值变化时能够进入超混沌状态。利用劳斯判据判别了排除零特征根的影响下该混沌系统在平衡点处的稳定性。 相似文献
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忆阻器可以将信息存储和逻辑运算整合到一个电子器件上,这将打破传统的冯·诺依曼计算机架构,其应用前景不可估量.首先简述了忆阻器的发展历程及其基本概念;其次综述了忆阻器的阻变机制及其材料的选择,将目前已知的阻变机制主要概括为3类,即阴离子阻变机制、阳离子阻变机制和纯电子机制,同时详细叙述了不同类型材料在忆阻器应用中的特点;... 相似文献
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由于在神经形态计算方面具有优良的性能,忆阻器交叉阵列引起了研究者的广泛关注.利用忆阻器与传统器件提出了1个改进的忆阻器交叉阵列电路,可以准确地存储权重与偏置,结合相应的编码方案后可以运算点积操作,并将其用于卷积神经网络中的卷积核、池化与分类器部分.利用改进的忆阻器交叉阵列和基于卷积神经网络本身拥有的高容错性,还设计了1个忆阻卷积神经网络结构,可以完成1个基本卷积神经网络算法.在卷积操作后直接存储模拟形式的计算结果,使得卷积操作与池化操作之间避免了1次模数-数模转换过程.实验结果表明:设计的面积为0.852 5cm\\+2芯片上的运算性能是1台计算机速度的1 770倍,在面积基本相当的前提下,性能比前人设计的电路提高了7.7倍.设计存在可以接受的微小识别误差开销,与软件运行结果相比,此电路在每个忆阻器存储6b或8b信息的情况下平均识别误差分别只增加了0.039%与0.012%. 相似文献
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基于忆阻器的阻值可变性和非易失性,提出了一种基于忆阻器的全域值感知神经元设计方案。该全域值感知神经元由全域值忆阻权重模块、输入加权模块、信息融合模块、映射输出模块和反馈控制模块构成,控制全域值忆阻权重模块中忆阻桥式结构的输入电压,权值电压信号线性变化或保持不变。进而能够满足感知神经元训练、测试等的要求,通过一个具体的基于忆阻器的全域值感知神经元,验证了感知神经元可以实现权值的全域值调节。通过逻辑“或”运算实验,进一步验证了基于忆阻器的全域值感知神经元的功能。 相似文献
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忆阻器是一种具有阻值开关特性的信息存储器件.由于忆阻器件具有可变电导性,其组合电路可应用与逻辑运算.本文提出了一种新的忆阻器-CMOS逻辑电路,能够在同一电路中同时实现AND-OR-XOR-XNOR 4种基本的逻辑操作.相较于MAD Gates,MRL,IMPLY逻辑电路,忆阻器数量和功耗均有大幅降低,电路性能更优,电... 相似文献
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利用忆阻器独特的电路学性质,设计了一个基于忆阻器的新型矩形波信号发生器。电路中不含有分立的电容元件,输出波形频率和幅值精确可调。用PSPICE进行仿真分析,仿真结果验证了该方案的有效性。 相似文献
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忆阻器是一种动态特性的电阻,其阻值可以根据外场的变化而变化,并且在外场撤掉后能够保持原来的阻值,具有类似于生物神经突触连接强度的特性,可以用来存储突触权值。在此基础上,为了实现基于Temporal rule对IRIS数据集识别学习的功能,建立了以桥式忆阻器为突触的神经网络SPICE仿真电路。采用单个脉冲的编码方式,脉冲的时刻代表着数据信息,该神经网络电路由48个脉冲输入端口、144个突触、3个输出端口组成。基于Temporal rule学习规则对突触的权值修改,通过仿真该神经网络电路对IRIS数据集的分类正确率最高能达到93.33%,表明了此神经系统结构设计在类脑脉冲神经网络中的可用性。 相似文献
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忆阻器存储研究与展望 总被引:2,自引:0,他引:2
随着信息呈现爆炸式增长,而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸,新型纳米级存储器件的需求日趋迫切.忆阻器被认为具有替代动态随机存储器,适应海量存储的巨大潜力.在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上,讨论忆阻器作为存储单元的特性,综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法.在总结分析目前研究存在问题的基础上,探讨了今后的研究方向. 相似文献
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闫鑫 《单片机与嵌入式系统应用》2012,12(2):61-63
以固体火箭发动机推进剂装药物位检测系统研究为背景,采用基于光纤传感器与激光测距原理的非接触式物位检测方案,使用光纤传导激光,使带电设备远离检测现场,可以在检测现场完全不带电的情况下实现高精度物位检测。系统通过主控单元可以控制多个传感器实现多点同时检测,从而能够在装药表面不是绝对平面的情况下得到更为可靠的检测结果。 相似文献
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利用一维的次波长左/右手谐振器结构,提出了一种新型的压力传感器.谐振器由两层结构组成,一层是具有负折射率的媒质,另一层是具有正折射率的媒质,正折射率媒质部分与压力薄片相连.研究结果表明,当压力变化时,谐振器的波长随压力的对数值呈线性变化,具有较高的灵敏度,由于这类谐振器可以做得很薄,在实际应用中具有很大的优势. 相似文献
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基于测距的定位方法是无线传感器网络节点定位中一种常见的方法.测距定位方法往往将定位过程转化为数学优化问题.介绍了实现测距定位下的LS-SDR与SAL-SDR两种半定规划定位算法,并同时介绍了LS-LM、SLS-LM、SLS-US与SLS-S等4种定位算法.仿真实验分析和比较了6种不同定位算法的平均RMS定位误差,结果表明相对于其他4种定位算法,LS-SDR和LS-LM算法的定位误差较小.在信标节点数量较少的情况下,LS-LM算法的定位结果有可能发生奇异,造成定位结果的严重失真.而LS-SDR算法对于奇异的发生具有较好的抵抗能力,此时LS-SDR算法的平均RMS定位误差将优于LS-LM算法. 相似文献
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Wireless sensor networks have posed a number of challenging problems such as localization, deployment and tracking, etc. One of the interesting problems is the calculation of the coverage and exposure paths for the sensor networks. This paper presents a fully localized algorithm to solve the worst coverage problem first introduced by Meguerdichian et al. The nodes of the sensor network cooperate to construct the worst coverage path only by the one-hop neighbor's information, thus avoiding the massive communication and conserving the energy. The correctness of the proposed algorithm is proved formally under the sensing diminishing model. Moreover, this algorithm can be easily extended to solve the minimal exposure problem with local information as well. 相似文献
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介绍了一种本安物位传感器,该传感器利用光纤改变激光测距传感器的光路,使传感器的带电部分可以远离检测现场。进行了理论分析并制作模型样机进行了实验,实验证明该传感器可以正常完成物位检测并且具有与激光测距传感器相近的精度。该传感器具有检测精度高,非接触式测量等优点,在石化、军工等特殊领域的物位检测中具有一定的实用价值。 相似文献
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为了满足恶劣环境下精密位移测量的需求,解决现有测量方法在大量程和高精度之间无法兼顾的难题,克服小栅距造成加工难度大的缺点,提出一种基于磁导调制的驻波合成行波的新方法,研究一种新型直线式时栅位移传感器。通过对传感器测量原理的理论推导,设计了传感器的基本结构,应用三维磁场仿真软件Ansoft Maxwell对传感器进行建模与仿真,采用快速傅里叶变换( FFT)对仿真结果进行误差分析与溯源,根据分析结果对模型结构优化并进行仿真实验验证;根据优化模型制作传感器实物并搭建实验平台进行实验验证。实验结果显示:在200 mm测量范围内,测量精度达±600 nm,且传感器制造简易,成本低廉,在实际工程中具有重要的实用价值。 相似文献