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一种粒子探测器的CMOS读出电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了新型的应用于粒子探测器CMOS读出电路中的电荷灵敏放大器和CR-(RC)n半高斯整形器的结构.电荷灵敏放大器采用多晶硅电阻做反馈来减小噪声,仿真发现与传统结构相比,在探测器电容高达150pF时,输入等效噪声电荷数由5036个电子减小到2381个,代价是输出摆幅减小了0.5V.在整形器中,MOS管电阻与多晶硅电阻串联,通过调节MOS管的栅压来改变阻值,以补偿工艺的偏差,在不明显降低线性度的情况下保证了时间常数能够比较精确控制. 相似文献
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介绍了CdZnTe单元平面型射线探测器工作原理和模型,并对其输出的电流脉冲信号进行了理论计算和分析,结果表明输出电流信号约为1 nA/kev、脉冲上升时间为几十纳秒.讨论了在CdZnTe探测器前放电路设计过程中,采用PSpice软件进行模拟和仿真时,信号源选择采用电流源和电压源的参数计算方法. 相似文献
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设计了一种用于Si-PIN探测器的小尺寸电荷灵敏前置放大器,该放大器采用低噪声、高带宽、双通道运放芯片AD8066,简化了电路结构,减小了空间体积,实现了电荷灵敏前放与成形电路的一体化设计。经过测试发现,在室温环境下,该放大器能有效对241Am源和137Cs源γ射线进行探测,其测量电子学等效输入噪声约为0.15 fC,成形时间约为2.5 s,在0.5~100 fC的动态输入电荷范围内,放大增益达24 V/pC,且稳定性良好。此外,该放大器的时间响应速度达10 ns,可应用于高计数率辐射环境下的γ射线探测。 相似文献
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本文提出一种工作在1V电源电压下,总功耗410uW的用于便携式音频设备的模拟前端电路。该模拟前端电路主要包括一个最大增益为30dB的可编程增益放大器和一个2阶3bit Sigma-Delta调制器。可编程增益放大器为单端输入,由片上共模偏置电路提供共模输入,具有良好的噪声性能。Sigma-Delta调制器采用数据加权平均技术降低了反馈环路中数模转换器的非线性。模拟前端电路采用SMIC 0.13μm 1P8M CMOS工艺实现,测试结果表明,在1V供电电压下,输出峰峰值幅度为200mV,信号带宽在100Hz至20KHz之间时,最大信噪比为70dB,整体功耗为410uW。 相似文献
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设计并实现了一种应用于多通道CdZnTe探测器的低噪声前端读出专用电路,并对其性能进行了测试与评估。每个读出通道由电荷灵敏放大器、漏电流补偿电路、零极相消电路、CR-(RC)4整形器、输出缓冲器以及反相放大器组成。芯片采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺实现,尺寸为2.6 mm×2.2 mm。测试结果表明,读出通道的能量分辨范围为5~375 keV,每通道功耗小于3.5 mW,最小等效噪声电荷仅为49.6e-。将EV公司的CdZnTe探测器与该前端读出电路芯片相连,组成辐射检测系统,并使用241Am源进行能谱分析,所得能谱主峰的能量分辨率仅为5.2%。 相似文献
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A 14-bit, 40-MHz analog front end (AFE) for CCD scanners is analyzed and designed. The proposed system incorporates a digitally controlled wideband variable gain amplifier (VGA) with nearly 42 dB gain range, a correlated double sampler (CDS) with programmable gain functionality, a 14-bit analog-to-digital converter and a programmable timing core. To achieve the maximum dynamic range, the VGA proposed here can linearly amplify the input signal in a gain range from -1.08 to 41.06 dB in 6.02 dB step with a constant bandwidth. A novel CDS takes image information out of noise, and further amplifies the signal accurately in a gain range from 0 to 18 dB in 0.035 dB step. A 14-bit ADC is adopted to quantify the analog signal with optimization in power and linearity. An internal timing core can provide flexible timing for CCD arrays, CDS and ADC. The proposed AFE was fabricated in SMIC 0.18 μm CMOS process. The whole circuit occupied an active area of 2.8×4.8 mm2 and consumed 360 mW. When the frequency of input signal is 6.069 MHz, and the sampling frequency is 40 MHz, the signal to noise and distortion (SNDR) is 70.3 dB, the effective number of bits is 11.39 bit. 相似文献
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为实现模拟前端电路的低功耗增益控制,提出了一种基于控制信号频宽比的可变增益放大器(variable gain amplifier,VGA),该电路以超再生为基础,能够对增益实施精细控制。与传统的大多数可变增益放大器不同的是,提出的VGA电路在数字控制和放大器之间的接口并没有使用任何的直流/交流转换器。最终实现的VGA集成电路使用了0.18 μm CMOS技术进行设计,旨在实现低功率消耗。仿真和测试结果均表明,本文提出的放大器在900 mV的线性范围内最大增益为45dB, 总谐波失真为0.5% ,功耗为6.4 ,相比传统的可变增益放大器,表现出更大的增益范围和较低的功耗。 相似文献
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This paper presents an analog front end for a power line communication system,including a 12-bit3.2-MS/s energy-efficient successive approximation register analog-to-digital converter,a positive feedback programmable gain amplifier,a 9.8 ppm/°C bandgap reference and on-chip low-output voltage regulators.A two segment capacitive array structure(6 MSB 5 LSB) composed by split capacitors is designed for the SAR core to save area cost and release reference voltage accuracy requirements.Implemented in the GSMC 0.13 m 1.5 V/12 V dual-gate 4P6 M e-flash process,the analog front end occupies an area of 0.457 mm2 and consumes power of18.8 m W,in which 1.1 m W cost by the SAR ADC.Measured at 500 k Hz input,the spurious-free dynamic range and signal-to-noise plus distortion ratio of the ADC are 71.57 d B and 60.60 d B respectively,achieving a figure of merit of 350 f J/conversion-step. 相似文献
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97dB动态范围、带温度补偿的MEMS电容传感器读出电路 总被引:1,自引:1,他引:0
This paper presents a charge-sensitive-amplifier(CSA)based readout circuit for capacitive microelectro-mechanical-system(MEMS)sensors.A continuous-time(CT)readout structure using the chopper technique is adopted to cancel the low frequency noise and improve the resolution of the readout circuits.An operational trans-conductance amplifier(OTA)structure with an auxiliary common-mode-feedback-OTA is proposed in the fully differential CSA to suppress the chopper modulation induced disturbance at the OTA input terminal.An analog temperature compensation method is proposed,which adjusts the chopper signal amplitude with temperature variation to compensate the temperature drift of the CSA readout sensitivity.The chip is designed and implemented in a 0.35 m CMOS process and is 2.1 2.1 mm2in area.The measurement shows that the readout circuitachieves0.9aF/√Hz capacitive resolution,97dBd ynamic range in 100Hz signal bandwidth,and 0.8mV/fF sensitivity with a temperature drift of 35 ppm/℃ after optimized compensation. 相似文献
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采用恒流源技术设计了1种适合于DC-DC开关电源的模拟加法器。基于CSMC 0.5 μm混合标准CMOS工艺对所设计电路进行了仿真验证。在3 V电源电压条件下,瞬态仿真结果显示模拟加法器输出VA为参考电压Vref与输入信号VA1的加权。当输入信号VA1从0~1.2 V变化时,模拟加法器的输出电压VA与VA1成线性关系,且VA与VA1的差值恒为一常数。当温度在0~110 ℃范围内变化时,模拟加法器的输出VA偏差仅为1.18 mV。仿真结果显示:该模拟加法器具有非常好的性能特性,适用于DC-DC开关电源。 相似文献
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针对非制冷红外探测器片上存储器的高速数据读出,设计了一种用于非制冷红外探测器片上存储器的低延迟灵敏放大器。随着非制冷红外探测器像素阵列的不断加大,对非制冷红外探测器片上存储器的要求也更高,需要一个更高速的存储器进行红外探测器内部数据存储。通过降低灵敏放大器延迟时间是提高数据传输速度的一种可靠方法。本文对传统交叉耦合结构灵敏放大器进行改进,与传统交叉耦合结构灵敏放大器相比,增加了完全互补型的第二级交叉放大电路,并采用NMOS组成的中间阶段进行两级运放的耦合。改进后的新型灵敏放大器能快速有效地放大位线上电压差,同时改善灵敏度低的问题。本论文设计的灵敏放大器采用TSMC 65 nm工艺,在工作电压为5 V、位线电压差为100 mV条件下,仿真结果表明:数据读出延迟仅为25.19 ps,与交叉耦合式灵敏放大器相比,读出延迟降低了37.07%。同时,在全工艺角仿真条件下,环境温度为-45—125℃,新型灵敏放大器延迟仿真最大值仅为39 ps,最小值为17.1 ps。 相似文献