IR2110驱动电路的优化设计

介绍IR2110驱动模块的特点．针对其存在的一些不足．给出相关解决方案。设计相应的优化驱动电路,较好地改善IR2110的驱动和保护性能,增强其实用性。     

IR2110在IGBT交流调压控制电路中的应用

介绍了IR2110驱动芯片的特点和功能,给出了用IR2110在PWM斩波控制交流调压电路中驱动IGBT的驱动电路,同时对该驱动电路和保护电路的可靠性进行了设计和分析。     

高压悬浮驱动电路IR2110的特点及拓展应用技术

介绍了IR2110的内部结构和特点，给出了高压侧自举悬浮驱动的原理和自举元件的设计与选择方法。同时针对IR2110的不足提出了几种完善的应用方案，并给出了将IR2110用于大功率脉宽调制放大器中的应用实例。     

基于IR22141的IGBT驱动及保护电路设计

IGBT的驱动电路是应用IGBT开关管的关键技术,一个性能好的驱动电路不仅能够有效地驱动IGBT,而且能够可靠地保护IGBT。本文介绍了一种基于IR22141芯片的大功率IGBT驱动及保护电路的设计以及运用。     

自举式IR2110驱动集成电路在SRD系统中的应用

IR2110是具有两个输出的桥臂MOSFET栅极驱动器集成电路.由于IR2110具有快速完整的保护功能,因而可提高控制系统的可靠性,缩小控制板的尺寸.文中介绍了自举式IR2110集成驱动芯片的驱动原理和应用特点,给出了自举电容的选择和计算方法;同时给出了该集成驱动芯片在开关磁阻电机驱动系统中的应用实例,最后指出了电路调试中需要注意的几点问题.     

IGBT驱动电路

本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路,设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT驱动电路.实验证明该电路具有良好的驱动及保护能力.     

半桥驱动集成电路IR2304

IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片,该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路,可直接驱动两个功率半导体器件MOSFET或IGBT,动态响应快,驱动能力强,工作频率高,具有多种保护功能。本文介绍了其功能特点、工作原理和典型应用电路。     

IR2110高压MOS驱动器

ＩＲ２１１０是一种有高低两路输出，耐压值５００Ｖ，速度快的大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ驱动器，其控制特性好，两路输入分别控制两路输出，使用方便灵活，连线简单，外围器件少，普遍应用于驱动由两个大功率ＭＯＳ管或ＩＧＢＴ构成的半桥式，以向式或其他形式的电路。     

高压高速功率MOSFET驱动器IR2110

ＩＲ公司推出的ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ驱动ＩＲ２１１０，功耗低，浮置电源采用自举电路输入与ＣＭＯＳ兼容，具有滞后电压锁定。本文较详细地介绍了该器件的内部结构，管脚功能，该器件可用于开关电源，电机驱动，电子镇流器和充电器中，本文还给出了几种实用电路。     

IR2110功率驱动集成芯片应用

IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片,它采用高度集成的电平转换技术,大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求,同时提高了驱动电路的可靠性.对于典型的6管构成的三相桥式逆变器,采用3片IR2110驱动3个桥臂,仅需1路10 V～20 V电源.这样,在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目,降低了产品成本,提高了系统可靠性.文中介绍了该芯片的主要功能及技术参数,并就芯片典型应用电路进行了设计和分析.     

一种IGBT全桥逆变驱动电路的设计

简单阐述了2SC0435T模块的特点和IGBT的H桥互锁电路的特点。以2SC0435T为核心,给出了直接模式下的外围电路,以驱动IGBT全桥逆变电路。设计了栅极电阻的接法及其阻值的大小以及IGBT的栅极过压保护电路,给出了驱动信号波形,同时验证了此驱动器具有良好的保护功能和驱动功能。     

大功率线性斯特林制冷机驱动电路设计

随着大面元、长线列红外器件更多应用于军事、航空等领域,对大功率线性制冷机的需求越来越大,使得大功率驱动电路的研制、开发与性能指标的提高变得更加急迫.本文重点介绍了采用FPGA为主控芯片,针对于大功率线性斯特林制冷机所设计的高控温精度驱动电路的功能与特点.经验证,采用此电路的控温精度达到±0.1 K以内,且具有较强的稳定...     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

基于IR2136与MOSFET的无刷直流电机驱动电路设计

针对传统驱动电路的设计,需要采用相互独立的电源为功率开关管供电,使得硬件结构复杂,可靠性下降,为此,基于功率驱动芯片IR2136与场效应管MOSFET,从信号隔离、三相逆变驱动、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。重点阐述了三相逆变驱动电路中的自举电路设计和功率管的驱动保护优化设计。采用TMS570控制板,对该驱动电路进行功能测试,结果表明,设计的驱动电路能够驱动电机平稳运行,且工作稳定可靠。     

QKD系统中相位调制器驱动电路设计

相位调制器是量子密钥分发系统中不可缺少的调制器件,其输出调制信号的脉宽影响量子比特误码率.本文提出一种利用高速高频模拟开关实现相位调制器驱动电路的设计方法,仿真结果显示驱动电路输出电压脉冲脉宽可低于10ns,并能很好地应用到量子密钥分发实验系统中,从理论及实验上对实验方案的可行性及可靠性进行了验证.