低温省煤器技术在电厂锅炉的应用

低温省煤器技术是为了充分节约能源、保护环境,深度利用锅炉排烟余热的一项技术,针对当前电厂锅炉的排烟温度过高的问题,这项技术便成为近年来发电厂有效降低锅炉排烟温度的一项很实用的方法.     

"分布式能源"的中国实践

广州大学城里空气清新、碧水环绕,工作生活在其中的师生都津津乐道于为他们工作生活中的冷、热、电供能的一座分布式能源站.这个分布式能源站通过能源的梯级利用,使系统的综合能源利用效率可达78%.余热锅炉排烟温度也由140℃降至90℃左右,对环境的影响大为降低.     

电站锅炉尾部受热面综合优化设计

对电锅炉的尾部受热面与普通的低温煤器进行对比分析后,提出了对电锅炉尾部受热面进行优化的设计方法,首先要以分级的方式对预热器进行处理,然后把煤器和高温预热器放在分割烟道的内部,而低温省煤器放在两级空气预热器的中间位置,然后对1000MW的电站锅炉进行分析,提出对电站锅炉尾部受热面的综合优化设计方案,仅供参考.     

动力锅炉蒸发管内壁腐蚀的EPMA研究

动力锅炉蒸发管内壁腐蚀的ＥＰＭＡ研究张敦荣乔瑞洁＊杨华（山东省分析测试中心，＊山东省科学院新材料研究所，济南２５００１４）火电厂正在运行中的动力锅炉中蒸发管的腐蚀是一个不可忽视的问题。本研究中蒸发管发生腐蚀的锅炉属亚临界压力锅炉，蒸发量：～１００００...     

航空电子设备腐蚀控制的几个问题

本文通过对航空电子设备腐蚀类型和机理的分析，从电子产品元器件材料的选用、设备结构形式、微生物的防治等方面入手，对航空电子设备腐蚀的控制方式方法进行了探讨。     

MACE法制备多孔硅的形貌及光致发光性能

采用金属辅助化学腐蚀(MACE)法,通过控制不同的腐蚀时间制备出多孔硅.利用扫描电子显微镜(SEM)观察多孔硅形貌,分析结果表明,随着腐蚀时间的增加,硅表面腐蚀孔洞变大,孔洞深度增加,同时孔洞深度的增加速率随之变缓.采用325 nm He-Cd激光光源的荧光光谱仪进行光致发光测试,研究在325 nm的激发光下不同腐蚀时...     

干法腐蚀损伤研究

采用 RIE 法,利用 PIN 光电二极管,研究了干法腐蚀损伤机理及引起损伤的主要因素。由于离子轰击及电子、紫外线辐射,形成了腐蚀面的损伤和沾污。射频功率的大小对表面损伤起着主要作用。用退火方法可以降低损伤程度,甚至可以消除小功率作用下的损伤。     

声波吹灰器在锅炉积灰清洗中的应用

简要分析了锅炉飞灰的形成机理及影响因素,并介绍了IKT型声波吹灰器在我厂锅炉上的成功应用。该吹灰器取代了老式的蒸汽吹灰器,有效清除了锅炉尾部受热面的积灰。锅炉运行效率得到提高,取得了良好的生产、经济效果。     

HF/CrO3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备

利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x＝0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138,相应的腐蚀液对Al0.8-Ga0.2As/Al0.3Ga0.7As的选择性由179降到8.6;通过调节腐蚀液的选择性,在Al0.3Ga0.7As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面.当HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比为0.028时,Al组分分别为0.3、0.5和0.65时,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm.另外,还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系.     

HF/CrO3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备

利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x＝0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138,相应的腐蚀液对Al0.8-Ga0.2As/Al0.3Ga0.7As的选择性由179降到8.6;通过调节腐蚀液的选择性,在Al0.3Ga0.7As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面.当HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比为0.028时,Al组分分别为0.3、0.5和0.65时,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm.另外,还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系.     

HVDC线路对通信系统地下金属管线电化腐蚀的初探

着重对高压直流送电线路引起的地下金属装置腐蚀机理进行了探索，从理论上分析了高压直流送电线路系统的电化腐蚀与高压直流送电线路接地电极材料的电化腐蚀以及金属材料的自然电化腐蚀之间的关系和区别。     

R245fa的热工性质系统研究

目前我国[1]余热利用现状是高温烟气余热的利用情况较好,而中低温烟气余热的回收利用率较低,利用中低温烟气余热发电是目前研究的热点之一.本项目对R245fa的汽液两相流强化换热与流动特性进行研究,主要包括流体质量流量,管径结构以及干度对平均换热系数的影响,可以为工程换热设备工业设计、制造、应用提供可靠的数据依据.     

干法腐蚀

本文介绍等离子体腐蚀工艺、诊断和终点检测方法,包括有关的腐蚀机理以及气体组分的比较。同时,指出等离子体腐蚀工艺的发展趋势。     

铝电解电容器铝箔腐蚀工艺的进展及有关的电化学问题

介绍了日本1970年以来低压和中高压腐蚀箔静电容量增长历程以及1991年达到的水平。根据近十余年来国内外发表的有关文献,从电化学角度出发对直流电和交流电腐蚀机理进行分析、探讨。认为提高腐蚀开始时的发孔密度是提高腐蚀箔比容值的关键。讨论了提高发孔密度的一些影响因素。     

Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.     

TMAH+Triton中Si湿法腐蚀机理研究现状

在微机电系统(MEMS)领域硅各向异性湿法腐蚀是制作许多元器件的一项重要技术,加入非离子型表面活性剂的腐蚀液可以在硅基片上制作出各种形状,但是对于真正的腐蚀机理还有待进一步研究。介绍了硅湿法腐蚀机理的研究现状,通过不同腐蚀条件下得出的不同腐蚀结果分析其腐蚀机理。介绍了当非离子型表面活性剂加入碱性溶液时固体表面的活性剂吸附层结构,重点介绍了表面活性剂Triton X-100加入各向异性碱性腐蚀剂四甲基氢氧化铵(TMAH)后对活性剂吸附状态和硅腐蚀速率产生影响的根本原因。不同晶向硅表面的H基和OH基数量会影响其表面活性剂的吸附能力,硅在纯TMAH腐蚀液和加入活性剂Triton后的TMAH腐蚀液中的腐蚀速率存在一定差异,高质量分数的TMAH下加入不同体积分数的Triton时,不同晶面在活性剂吸附和腐蚀速率上也存在不同,给出了出现这些现象的机理分析。研究硅腐蚀机理可以为器件设计提供有效的理论支持,有助于制作更多新的MEMS结构。     

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌的影响

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌如粗糙度、显微镜下的表面状况的影响做了研究,通过实验结果给出了特定要求条件下硅片腐蚀的最佳方案.运用硅的化学腐蚀机理分析了表面腐蚀状况的原因.     

测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法

介绍了一种测定硅各向异性腐蚀速率分布的新方法.硅各向异性腐蚀速率三维分布可由一系列晶面上的二维腐蚀速率分布表示.利用深反应离子刻蚀技术(DRIE)在{0mn}硅片上制作出侧壁垂直于硅片表面的矩形槽,测量槽宽度在腐蚀前后的变化,就可测定各{0mn}面上的二维腐蚀速率分布.将二维腐蚀速率分布组合在一起就得到了三维腐蚀速率分布.由于DRIE制作的垂直侧壁深度大,可耐受较长时间的各向异性腐蚀,所以只需使用一般的显微镜就能得到准确的结果.实验得到了40%KOH和25%TMAH中{n10}和{n11}晶面的腐蚀速率分布数据     

4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究

针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。     

ITO电极腐蚀现象及防护的研究

ITO电极腐蚀是LCD行业中普遍存在的难题。本文对腐蚀的机理进行阐述,并对涂TOP层的防护措施做分析,为生产过程中腐蚀的控制和防护做理论参考。