新型功率器件IGBT研制

简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺。对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应了系统的研究，结合实际工艺对ＩＧＢＴ的版图及工艺进行了优化设计，合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料。成功地制作了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

新型功率器件IGBT研制

本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

IGBT的栅极驱动

ＩＧＢＴ的栅极驱动是ＩＧＢＴ应用中的关键问题。本文阐明构成ＩＧＢＴ栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍了几种驱动电路实例。     

具有电流检测功能的IGBTsense研究

本文研究了将电流检测功能集成到ＩＧＢＴ中块ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ，对ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ的基本结构和等效电路进行了分析，提出了一种适于ＰＳＰＩＣＥ分析的ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ模型，并详细给出了确定模型参数的方法。根据该模型对ＩＧＢＴｓｅｎｓｅ的主要特性进行了ＰＳＰＩＣＥ分析。     

150kHz IGBT将代替功率MOSFET

１５０ｋＨｚＩＧＢＴ将代替功率ＭＯＳＦＥＴ张先广孟进１５年前发明ＩＧＢＴ以来，在中等电压范围（４００～６００Ｖ）内，ＩＧＢＴ就有希望代替功率ＭＯＳＦＥＴ，然而直至今日，一直未能实现，主要原因是：过去ＩＧＢＴ的速度较慢，不能满足某些应用的要求，另外，近...     

IGBT功率开关模块的发展及应用

文章首先概述了ＩＧＢＴ功率开关模块的发展动态，其次总结和比较了第二、第三以及第四代ＩＧＢＴ功率开关模块的各项技术性能参数，最后着重强调了ＩＧＢＴ的使用及使用中的几个关键性问题。     

IGBT的应用

本文主要说明绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）特别是单体封装的分立式的ＩＧＢＴ的结构、工作原理、研制方向。最后还介绍了使用分立式ＩＧＢＴ的ＩＨ电饭锅、频闪观测器、通用逆变器等．     

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的驱动与保护

在介绍ＩＧＢＴ结构原理及特点的基础上，讨论了设计ＩＧＢＴ驱动电路应考虑的问题和ＩＧＢＴ的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明，所设计的驱动保护电路性能良好。     

IGBT在某静变电源中的应用

在介绍ＩＧＢＴ功能原理的基础上,深入研究了ＩＧＢＴ的驱动及过流、欠压、过热保护问题,并给出了具体电路,用ＩＧＢＴ作为开关元件制作的中频静变电源,工作稳定,运行良她,实践表明本文所讨论的电路切实可行。     

三重扩散IGBT的参数优化

采用三重扩散工艺制作ＩＧＢＴ是一种比较经济的方法。利用解析方法和二维模拟方法,优化了耐压为６００Ｖ三重扩散ＩＧＢＴ的部分参数,为实际利用三重扩散工艺制作耐压６００Ｖ的ＩＧＢＴ提供了参数依据。     

IGBT的SPICE模拟

本文提出一种用ＳＰＩＣＥ程序对ＩＧＢＴ进行模拟的方法。这种方法具有简单、实用等优点。通过对实际ＩＧＢＴ的特性曲线的模拟和对ＩＧＢＴ的关断特性的分析，证明了这种方法是可行的。     

ZCN0545与ZCP0545低功率IGBT及其应用

ＺＣＮ０５４５与ＺＣＰ０５４５低功率ＩＧＢＴ及其应用毛兴武，祝大卫绝缘栅双极晶体管（ＩｓｏｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），英文缩写为ＩＧＢＴ。该器件于８０年代初问世，８０年代末实现了商品化。ＩＧＢＴ是一种功率半导体器件，主要应...     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

IGBT式逆变弧焊电源的设计

提出了一种实用ＩＧＢＴ（绝缘门极双极晶体管）逆变焊接电源。给出了全桥式串联谐振ＩＧＢＴ逆变焊接电源的原理及分析计算。     

IGBT式逆变弧焊电源的设计

提出一种实用ＩＧＢＴ（绝缘门极双极晶体管）逆变焊接电源。给出了全桥式串联谐振ＩＧＢＴ逆变焊接电源的原理及分析计算。     

IGBT闩锁现象的解析模拟

本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数 及ＮＰＮ管基区横向电阻随电流密度变化的解析模型，并据此对条形和矩形元胞结构的ＩＧＢＴ器件编制了闩锁电流分析计算程序，取得了与国外报道相一致的结果。     

IGBT的发展现状及应用

介绍了绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的基本结构，工作原理及其在国内外的发展现状，并阐述了ＩＧＢＴ的独特性能及其在电力电子领域的应用。     

IGBT准数值模型和模拟

本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模拟与ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布、少于寿命相联系的直流和关断特性．本文介绍模拟所采用的物理模型、模拟技术和得到的结论，并给出部分模拟实例．     

IGBT工作特性的理论分析

对绝缘栅双极晶体管（ＧＢＴ）的工作特性进行了理论分析。由于ＩＧＢＴ所含的ＰＮＰ晶体管是宽基区、低增益的，因此在分析其工作特性进用了双极传输理论。在分析瞬态特性进用准静态近似（ＮＱＳ），精确地描述了ＩＧＢＴ的瞬态特性。     

性能优良的混合双IGBT,MOSFET驱动器SKHI21／22

德国西门康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）公司生产的ＳＫＨＩ２１／２２混合双路ＩＧＢＴＭＯＳＦＥＴ驱动器具有先进的监控电路，可有效防止ＩＧＢＴ损坏，本文着重了介绍了其内部结构功能和部分典型参数。