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<正> We diffused gold into Si wafers of good quality (Ln≥324μm) and obtained 6 samples with NAa = 7.94×1012 -6.96×1015cm-3. The minority carrier lifetime of each sample was measured with the photovoltage method and compareed with the calculated value, showing that maximum deviation is 4 times between them. 相似文献
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采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈11-20〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3e3Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4e16cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的. 相似文献
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采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的. 相似文献
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硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质隔离的方法。最后给出了有关汽相淀积同质外延硅的参考文献。 相似文献
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MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长 总被引:2,自引:3,他引:2
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射谱图显示仅在2θ =34.72°处有一个很陡峭的ZnO (0 0 2 )晶面衍射峰 ,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致。此衍射峰的半高宽为 0 .2 82° ,显示出较好的晶体质量。在室温光致发光谱中 ,薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过 10∶1,表明薄膜的光学质量较高 相似文献
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利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. 相似文献
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利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. 相似文献
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D. Shahrjerdi B. Hekmatshoar S. W. Bedell M. Hopstaken D. K. Sadana 《Journal of Electronic Materials》2012,41(3):494-497
We report epitaxial growth of compressively strained silicon directly on (100) silicon substrates by plasma-enhanced chemical
vapor deposition. The silicon epitaxy was performed in a silane and hydrogen gas mixture at temperatures as low as 150°C.
We investigate the effect of hydrogen dilution during the silicon epitaxy on the strain level by high-resolution x-ray diffraction.
Additionally, triple-axis x-ray reciprocal-space mapping of the samples indicates that (i) the epitaxial layers are fully
strained and (ii) the strain is graded. Secondary-ion mass spectrometry depth profiling reveals the correlation between the
strain gradient and the hydrogen concentration profile within the epitaxial layers. Furthermore, heavily phosphorus-doped
layers with an electrically active doping concentration of ~2 × 1020 cm−3 were obtained at such low growth temperatures. 相似文献
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利用吸收光谱和光致发光(PL)光谱研究了氢化物气相外延(HVPE)法生长的GaN厚膜材料发光特性。研究发现当激发脉冲光源的重复频率较低时,PL光谱中仅能观察到带边发光峰,当重复频率增加时,PL光谱中不仅出现带边发光峰,还可观察到蓝带发光峰和黄带发光峰;随着光源重复频率的增加,带边发光峰与黄带发光峰、蓝带发光峰的光强之比也随着增大。分析认为蓝带发光起源于材料中碳杂质缺陷而黄带发光可能与位错等结构缺陷有关。 相似文献
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