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AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
制备了AlF3-MgF2-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料,用XRD、SEM和阻抗分析仪等分析其烧结特性、显微结构、介电性能以及与Ag电极浆料共烧等性能。结果表明:该材料可以在900℃烧结致密化,烧成后的样品具有低的介电常数(6.2)和介质损耗(<0.002)、较低的热膨胀系数(7.4×10–6/K)、较高的弯曲强度(220 MPa)和热导率[2.4 W/(m.K)],能够与Ag电极浆料共烧,是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷基板和无源集成介质材料。 相似文献
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制备了SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃,并且与AlN液相烧结得到低温共烧玻璃陶瓷.分析了样品的相结构、形貌、介电常数、介质损耗、热导率和热膨胀系数等性能.结果表明AlN与SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃在950℃能够很好地烧结.该陶瓷的性能取决于烧结体的致密度和玻璃含量,当w(玻璃)为40%~60%时,陶瓷具有较低的εr(3.5~4.8)和tan δ[(0.13~0.48)×10-2]、较高的λ[5.1~9.3 W/(m·K)]以及与Si相接近的αl(2.6~2.8)×1-6·K-1],适用于低温共烧基板材料. 相似文献
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制备了SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃,并且与AlN液相烧结得到低温共烧玻璃陶瓷。分析了样品的相结构、形貌、介电常数、介质损耗、热导率和热膨胀系数等性能。结果表明:AlN与SiO2-B2O3-ZnO-Bi2O3系玻璃在950℃能够很好地烧结。该陶瓷的性能取决于烧结体的致密度和玻璃含量,当w(玻璃)为40%~60%时,陶瓷具有较低的ε(r3.5~4.8)和tanδ[(0.13~0.48)×10–2]、较高的λ[5.1~9.3 W/(m.K)]以及与Si相接近的αl[(2.6~2.8)×10–6.K–1],适用于低温共烧基板材料。 相似文献
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提出了一种改进低温共烧陶瓷基板翘曲度的工艺方法。根据对实际工艺过程的观察及相关理论分析,发现烧结时承烧板的表面状态是影响基板翘曲度的关键因素之一,据此提出相应的改进方案,采用新型承烧板替代原有的承烧板进行烧结工艺,基板翘曲度得到了较大的改善,所烧结基板的起伏由原先的150~250μm,改善到80~110μm,较好地满足了后续微组装工艺的使用要求。 相似文献
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LTCC基板的失效分析表明,通孔与导带间开路是多层基板布线互连失效的主要模式,原因是基板在共烧工艺过程中,布线金属与陶瓷材料收缩失配产生的界面应力导致布线开路。调整布线金属和陶瓷材料的致密化温度和基板收缩率后,有效控制了两种不同材料的界面收缩失配,消除了开路失效。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2015,(5)
研究了高温共烧厚膜导体钨浆料的制备工艺,分析了金属钨粉微观形貌及粒度分布,无机粘结相含量对印刷分辨率、金属化与陶瓷基板的结合强度、金属化层方阻值的影响。为满足微电子封装要求,通过选用粒度小于5μm、表面光滑的球形的两种钨粉进行混合,添加适量无机粘结相和以乙基纤维素为主的有机载体,采用球磨或者三轴研磨机进行有效分散,并将浆料粘度控制在一定范围内,制备出适合100μm线宽/间距精细印刷、金属化与陶瓷基板的结合强度54 MPa、方阻值为6mΩ/□的金属化浆料。将研制的金属化钨浆料应用在作为微波器件封装外壳的信号输入输出端口的陶瓷绝缘子上,在29~31GHz的Ka波段,绝缘子的插入损耗为0.4dB,电压驻波比(VSWR)小于1.15。 相似文献
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<正> 混合集成电路用厚膜浆料分为导体浆料、电阻浆料、绝缘浆料、介质浆料及保护用玻璃浆料几大类。以往这些浆料几乎都是在空气气氛中烧成的,其方法是:在基板上进行丝网印刷后,通过燃烧使构成浆料的有成机份作为CO_2及H_2O而挥发掉;经过烧 相似文献
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采用优化后的玻璃粉配制成导电银浆,与MgSiO3-CaSiO3生瓷片共烧后形成导电厚膜,探讨了不同玻璃粉配方对所制厚膜的微观结构、热学性能、附着力、线膨胀系数和导电性能的影响,研究了导电银浆与基片低温共烧的匹配性能。结果表明,SiO2-Al2O3-B2O3-CaO-Li2O系玻璃粉配制的导电银浆低温共烧后获得的导电厚膜平滑、均匀、致密;随着该系玻璃粉中Li2O含量的增加,导电银浆的线胀系数逐渐降低;Li2O的质量分数为6%时,该浆料线胀系数最低,为18.482×10–6℃–1;Li2O的质量分数为2%时,导电厚膜与基片的线膨胀匹配性良好,导电性能最好,方阻为3.02 m?/□。 相似文献
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利用不同粒度的CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉料,制备了低温烧结的CBS玻璃陶瓷.研究了粉料粒度对CBS系玻璃陶瓷低温烧结的影响.实验表明,粉料粒度对粉料的玻璃化温度Tg的影响不明显,玻璃致密化开始于玻璃化温度Tg≈680℃,随着烧成温度升高,收缩率迅速增大;随着粉料粒度的减小,试样的烧结温度和显气孔率降低,体积密度、收缩率、热膨胀系数和抗折强度都增大.将粉料粒径中位值D50=2.34 μm的粉料采用流延工艺制得127 μm的生料带,运用优化烧成工艺,与银电极浆料在850℃共烧,表面平整,匹配良好,能在一定程度上满足低温共烧陶瓷(LTCC)用基板材料的要求. 相似文献
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在第五代电子组装技术中,低温共烧陶瓷多层基板(LTCC)由于具有高密度布线、高信号传输速度、低损耗和高可靠性,在国内外受到极大重视。自八十年代以来,日、美很多公司做了大量研究工作,开发出这种高技术电路基板,并试制出多芯片组件(MCM),在先进的航天、航空电子设备和复杂的通信机、计算机中得到应用。目前,我国已基本形成一条低温共烧多层陶瓷基板研制线。本文根据电子部43所的研究成果和现有工艺装备,介绍低温共烧多层陶瓷基板的应用情况。 相似文献
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本文研究了在低温烧陶瓷基板表面上电阻浆料中导电相和玻璃相对电阻器的阻值,温度系数和稳定性的影响,分析了LTCC基板与电阻层之间的相互作用而导致电阻阻值变化的机理。结果表明,选择RuO2为导电相,含适量的PbO和SiO2的铅硅硼系玻璃为玻璃相,能制得性能较好的适用于LTCC表面的电阻浆料。 相似文献
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大功率混合多层基板(AIN混合多层布线基板)是采用在AIN共烧多层陶瓷基板上制作薄膜多层布线而形成的。其优良的散热性,高的信号传输速度,以及良好的高频特性,完全能够在微波功率器件和高速数字电路中使用。然而AIN混合多层布线基板的应用,离不开高性能的AIN共烧多层基板。本文仅对AIN共烧多层基板制作过程中需要解决的几个关键技术方面进行了研究,取得了一定的成果。 相似文献