中国制造出8英寸硅单晶抛光片

“直径 2 0 0mm(8英寸 )硅单晶抛光片高技术产业化示范工程”近日通过国家整体验收。承担此项目的北京有色金属研究总院 (科称“有研总院”)利用自主知识产权技术 ,形成了年产 6 0 0 0万平方英寸 8英寸硅单晶抛光片的生产能力。据介绍 ,这是我国目前建设成功的第一条可满足 0 2 5 μm线宽集成电路需求的 8英寸硅单晶抛光片生产线。有研总院院长屠海令介绍说 ,示范工程生产的硅单晶抛光片已在国内大批量应用 ,并向国际一流集成电路制造公司批量供货。如今 ,示范工程生产线运行状况良好 ,销量稳定增长。中国制造出8英寸硅单晶抛光片…     

北京有色研究总院拉制出直径200mm的硅单晶

北京有色研究总院国家半导体材料工程研制中心继1992年拉制出第一根直径为150mm硅单晶后,日前又拉制出直径为200mm的硅单晶,这标志我国硅单晶制造技术取得新的进步。 半导体材料硅是电子信息技术的基础,被国家列为高新技术发展的重点。这根直径为200mm的硅单晶为N型,重达56kg。加大硅单晶直径,历来被认为是提高硅片产量、降低成本的有效措施,技术难度也相应     

8英寸大直径区熔硅单晶在津投入试生产

天津中环半导体公司最新研制开发的国内首颗8英寸大直径区熔硅单晶投入试生产。其产品质量和工艺技术达到国际先进水平,并使之形成从节能材料到硅片、芯片制造的垂直整合能力和完整产业链。     

拉制硅单晶的两项新技术

日本三菱材料及大阪钛制造两公司分别开发出两项拉制硅单晶的新技术.三菱材料公司开发的连续 MOZ 法,是将边加磁场边拉制的磁控管 CZ(MCZ)法与传统的切克劳斯基单晶拉制法(直拉法)组合,可将影响半导体特性的氧浓度降低,能在较宽范围内控制氧的浓度,而且,在拉制中添加的杂质(掺杂剂)浓度也可保持均匀.     

日本硅单晶生产现状

集成电路工艺技术已进入亚微米线宽时代,器件制造的基础材料一优质硅单晶是先决条件。今天对硅单晶的要求可归纳为①均匀的电阻率②高纯度③便于精确地控制杂质氧含量④在器件制造过程中,晶片结晶自身应对缺陷有较强的抑制功能⑤大直径化⑥廉价。     

科技简讯

我国第一台直拉大直径硅单晶炉诞生大直径硅单晶是发展大觇模集成电略的关键材科,用大直径硅单晶切制硅片可以提高生产率和材科利用率,从而降低成本。为把我国硅单晶材料的生产提高到一个新的水平,上海有色金属研究所自行设计、自行制造了一台高达6.5米的大直径硅单晶炉,为拉制大直径硅单晶准备了条件。经调试和投料11公斤试拉表明,各项性能均达到预定的指际:投料量可达16公斤以上,真空度达10~(-5)乇,温度控制情度达±0.5℃,可用于高真空、低真尘、充氩或     

直拉硅单晶中的微缺陷

1.引言硅单晶在整个天然、人工单晶中是最完美的晶体,完全不含有宏观位错,杂质浓度又低,直径3吋的晶体已大量生产。硅单晶制造法有直拉法(简称 CZ 法)及悬浮区熔法(简称 FZ 法)。现在,前者主要用来制造集成电路用晶体,后者主要制作功率     

φ76.2mm重掺砷硅单晶的研制

本文就如何在TDR-40A单晶炉上拉制出φ76.2mm重掺砷硅单晶作了介绍,提供了试验装置,给出了工艺条件及试验结果,并对重掺砷和重掺锑晶体的异同点进行了初步讨论。重掺锑硅单晶比重掺砷单晶需要更大的(dT/dz)_L,重掺砷硅单晶与重掺锑硅单晶同样有(111)小平面存在,但没有杂质析出现象。     

直拉硅单晶时旋转磁场的获得

一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的热处理过程中,产生堆垛层错、位错环和硅氧沉淀等缺陷。另一方面,氧化物沉淀引入的位错对表面沾污有本征吸杂的作用。因此硅中氧浓度是单晶质量的重要标志。一般直拉硅单晶中的氧浓度都超过1×10~(18)原子/厘米~3,而且单晶头部含量高于尾部。纵向     

对国产探测器级P型硅单晶的评价

本文介绍了用739厂的P型硅单晶制作Si(Li)X射线探测器所得的一些结果。探测器对~(55)Fe5.89keVX射线的能量分辨率小于165eV(FWHM)。并介绍了用国内不同厂家的几种P型硅单晶在美国劳伦斯实验室(LBL)制作Si(Li)X射线探测器的结果。实验表明,国产P型硅单晶可以制出高质量Si(Lj)X射线探测器。对西德瓦克(Wacker)公司的一些P型硅单晶和国产一些较高电阻率材料进行了对比试验,利用LBL的条件分析了某些材料的深能级杂质,并对实验中的一些问题进行了简单的讨论。     

悬浮区熔法制备中、低阻硅单晶

区熔硅单晶纯度高,补偿度小,其高电阻率单晶在整流器件领域显示出优越性,但重掺杂工艺制备中,低电阻率FZ单晶较为困难,本文介绍一种简便掺杂方法,能较稳定生产10～10~(-2)Ω·cm区熔硅单晶。     

直拉重掺硼硅单晶的研究进展

系统介绍了直拉重掺硼(B)硅单晶研究的最新进展。主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质，利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术，重掺B硅单晶的机械性能，重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀，以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型(Void)原生缺陷的控制关系。在此基础上，探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题。     

高阻探测器级硅单晶

高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶硅的纯度,高阻硅单晶的制备技术及高纯工艺、高阻硅单晶电学参数的测量等几方面进行了研究。几年来,陆续向国内有关单位提供了小批量p型、电阻率高于2×10~4Ω·cm的硅单晶。现已研制出一批p型电阻率高于4×10~4Ω·cm的硅单晶。     

纵向磁场拉制硅单晶的工艺研究

用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。作者采用VMCZ法详细地研究了磁场对硅熔体波动、温度起伏的影响,进而研究了磁场对热场分布、磁场对硅单晶中杂质的分布、磁场对硅单晶中氧、碳含量、磁场对硅单晶中微缺陷等的影响。发现:VMCZ的结果与资料报导的HMCZ数据相比有较大差别。通过调整拉晶参数也只能有限度地改善硅单晶的性能。     

氧沉淀对直拉硅单晶硬度的影响

研究了氧沉淀对直拉(CZ)硅单晶维氏硬度的影响.研究表明,在发生一定程度氧沉淀的情况下,硅单晶的硬度会由于氧沉淀导致的间隙氧浓度的降低而减小,此时间隙氧原子的固溶强化作用对硅单晶硬度具有显著的影响;而当氧沉淀足够显著时,由于氧沉淀的密度和尺寸较大,氧沉淀在硅单晶中的第二相强化作用得以显现,此时硅单晶的硬度不随间隙氧浓度的降低而减小,反而有较为显著的提高.     

日本研究提高硅单晶少子寿命的最新进展

众所周知,硅单晶中的少子寿命是评价硅单晶质量的重要参数之一,因而找出影响少子寿命的主要因素,从而提高少子寿命是一个具有重要意义、又很热门的课题。最近日本电报和电话大众公司发表了一篇科研报告,介绍少子寿命是与硅单晶中的氧沉淀密切有关,并深入地定量讨论了它们之间的关系。在直拉硅单晶中,由于氧浓度较高,所以硅单晶在生长后的冷却过程中或以后的热     

直拉硅单晶中的热致微缺陷

大规模集成电路工艺要求使用直拉法高质量的无位错硅单晶。然而,硅片在半导体器件制造过程中重复热过程将诱发很多微缺陷(MD),这种MD是有害的。降低晶体中的氧浓度是降低MD的一种方法,但硅中的氧并不     

探测器级NTD硅单晶的研制

介绍了探测器级NTD硅单晶的制作工艺 ,并对如何保证探测器级NTD硅单晶的质量进行了讨论。     

直拉法生长硅单晶时采用减压工艺与气体导流

直拉硅单晶历来都是在真空或氩气氛条件下生长的。在真空中生长,有利于杂质挥发,但电阻率不易控制;在氩气氛条件下生长,则恰好相反,但需消耗大量氩气。特别在硅单晶生产进入大容量化之后,氩气的消耗是相当惊人的。如果高纯氩气的售价不能大幅度下降,硅单晶的成本也就无法降低。另外,直拉硅单晶工艺中用到石英坩埚。石英即二氧化硅,在熔硅与石英的反应中势必有大量氧被溶解,从而增加了硅单晶中的氧     

上海市举行上海市企业标准《硅单晶》审定会

在国家标准总局的指导下,在上海市经委、科委的领导下,上海市企业标准《硅单晶》审定会于1981年2月底在上海第二冶炼厂举行。与会代表115人,他们来自领导机关、主管部门、硅单晶与器件生产单位、科研单位、高等院校及报刊杂志等。代表们认为上海地区硅单晶的生产形势很好,20多年来,我市硅单晶的产量在国内占有较大比