某型液晶显示器夜间亮度变化不均匀现象的分析与改进

某型液晶显示器夜间亮度变化不均匀,造成用户暗环境下对信息观察不准确。本文针对上述问题,结合设计方案进行问题分析并进行改进。即以每一档每一级的PWM输出实际测试值为基准,进行参数调整,保证了每一级的输出符合亮度指标要求。通过本解决方案,当亮度数据为9时,实测亮度为0.787 5cd/m~2,满足指标0.726～0.921cd/m~2的要求。亮度数据0与9间的亮度实测值变化量由1.124cd/m~2改进为0.712 55cd/m~2,9与18间的亮度实测值变化量由0.246cd/m2改进为0.772 5cd/m~2。每档之间的亮度实测值变化量相近,变化均匀,改善了显示效果,满足了用户的要求。     

采用氧化物荧光粉发光层的高亮度多色TFEL器件

最近开发的高亮度多色薄膜电致发光(TFEL)器件采用了各种氧化物荧光粉,并用较厚的BaTiO_3陶瓷作绝缘体。例如,在5kHz驱动下Zn_2SiO_4∶MnTFEL器件不同颜色的发光亮度如下:绿色一4020cd/m~2,黄色一70cd/m~2,红色一0.8cd/m~2,这是通过控制薄膜发射层的制备条件而获得的。增高驱动电压,黄色和红色发光还可以被转变成绿色发光。     

High performance blue organic light-emitting devices fabricated by using the doped Alq_3 in NPB hole transmistion layers

We have designed a new structure blue emission device with doped Alq_3 of 3% in hole transmission layers of NPB. The CIE coordination of the devices is (0.17,0.19). The maximum electroluminescence efficiency is 4.1 cd/A at 11V, the brightness is 118.8 cd/m~2 at 7 V, and the maximum brightness is 10770 cd/m~2 at 13V.     

基于Zn(Meq)_2为发光和主体材料OLEDs性能的研究

以2-甲基-8-羟基喹啉配体和ZnSO_4·7H_2O合成了有机金属配合物Zn(Meq)_2,并开展了材料的光电特性研究。当双层器件结构为ITO/NPB/Zn(Meq)_2/LiF/Al时,实现了绿光发射,EL峰位位于542 nm,最大亮度和效率分别为7 429 cd/m~2和1.80 cd/A。而当掺杂器件结构为ITO/NPB/Zn(Meq)_2:DCJTB/Alq_3/Li F/Al时,实现了红橙光发射,EL峰位位于580 nm,最大亮度和效率分别为6 075 cd/m~2和1.02 cd/A。结合器件结构和性能,讨论了相关工作机制。     

长寿命电致发光(Zn,Cd)S:Cu,Br的材料

从老化的观点研究了绿色交流电致发光(Zn,Cd)S:Cu,Br 粉末材料。在空气或 S 气中退火然后淬火对改善电致发光寿命是非常有效的。对于这种器件,在5kHz,200V 电压激发下工作2000小时,亮度仍保留100cd/m~2以上,最高为120cd/m~2。     

在Liq中掺杂Yb作为电子注入层修饰电极Yb/Al

基于绿光器件ITO/HAT-CN/TAPC/CBP∶Ir(ppy)_3/TmPyPB/Liq/Al,通过在Liq中掺杂不同浓度的Yb作为电子注入层修饰电极,研究Yb不同浓度的掺杂比对器件性能的影响。研究表明,在Liq中掺杂微量的Yb能有效提高器件的光电性能。当Yb的掺杂比为1.85%时,器件性能最好。在0.25mA/cm~2的条件下点亮,启亮电压为3.65V,最高亮度为26 720cd/m~2,最高电流效率为87.07cd/A,最高功率效率为74.89lm/W,最高外量子效率为24.07%。与参考器件对比,其最高亮度提高2 181cd/m~2,最高电流效率提高18.42cd/A,最高功率效率提高10.6lm/W,最高外量子效率提高5.27%。     

CNT-FED背光源中支撑体高度的优化研究

利用丝网印刷技术制备碳纳米管阴极并真空封装碳纳米管场发射(CNT-FED)背光源原型器件,研究了支撑体高度对碳纳米管背光源发射性能的影响,实验表明:支撑体高度增加,开启电压随之增加;达到同样的发射电流密度,支撑体越高,亮度也越高.支撑体高度为1 000 μm和2 000μm时,CNT-FED背光源发射性能较好,在电流密度为4 mA/cm~2情况下,支撑体高度为1 OOO μm时,亮度为1 800 cd/m~2;支撑体高度为2 OOO μm时,亮度为3 100 cd/m~2.选用支撑体高度为2 000 μm,制备出86.4 cm液晶平板显示器(LCD)用CNT-FED背光源,亮度最高可达8 000cd/m~2,发光均匀性为82%,稳定发射30 h,发射电流无明显衰减.     

Temperature characteristics of near infrared SPR sensors with Kretschmann configuration

An organic light-emitting diode(OLED) device with high efficiency and brightness is fabricated by inserting CuO_x/Cu dual inorganic buffer layers between indium-tin-oxide(ITO) and hole-transport layer(HTL). The CuO_x/Cu buffer layer limits the operating current density obviously, while the brightness and efficiency are both enhanced greatly. The highest brightness of the optimized device is achieved to be 14 000 cd/m~2 at current efficiency of 3cd/A and bias voltage of 15 V, which is about 50% higher than that of the compared device without CuO_x/Cu buffer layer. The highest efficiency is achieved to be 5.9 cd/A at 11.6V with 3400 cd/m~2, which is almost twice as high as that of the compared device.     

采用新型锰源用MOCVD技术制备ZnS:Mn电致发光层

在用MOCVD技术制备ZnS:Mn多晶薄膜的过程中,用CPM[(C_5H_5)_2Mn:2-π-茂基锰]和BCPM[(CH_3C_5H_4)_2Mn:二甲基茂基锰]作新的掺杂源,并与早些时候使用的TCM[(CH_3C_5H_4)Mn(CO)_3:三碳酰甲基茂基锰]做了与较。与即使在400-500℃也仅有部分分解的TCM相比,CPM和BCPM在ZnS的最佳生长温度即280-350℃就完全分解。在热分解的时候,TCM产生含有锰和碳酰的副产品,它对发光不起作用;而CPM和BCPM则不是这样。由于它的这些优点,用CPM或BCPM制备的器件有更高的亮度。用CPM制备的厚度为500nm的ZnS:Mn层在1kHz正弦波激发下的最大光效(ηmax)为4.81m/W,而饱和亮度(Lsat)为4300cd/m~2。至于BCPM,则得到3150cd/m~2的饱和亮度。而用TCM制备的器件的亮度则低于1000cd/m~2,光效低于1lm/W。当与红色滤光片联用时,采用具有CPM或BCPM的MOCVD制备的ZnS:Mn还能提供有效的红色EL。当使用截止波长为590nm的玻璃滤光片时,在1kHz正弦波激发下,用CPM制备的EL器件产生的Lsat为1420cd/m~2,ηmax为1.6lm/W,色座标值x=0.4626,y=0.373。     

外观大方、性能表现良好Mosoo MS—1500液晶显示器

15.1英寸的MS-1500液晶显示器提供的最大分辨率为1024×768,亮度为250cd/m~2,对比度350:1。在实际测试中,整体的表现也比较不错。     

亮度达200cd/m~2的彩色TFT—LCD

日本NEC公司最近开发出NL10276AC24—01型薄膜晶体管彩色液晶显示器,显示器的尺寸为31cm,亮度可达200cd/m~2。显示器的象素间距为0.24mm,共有1024×768(H×V)个象素,可显示4096种颜色。由于改进了背照明和转换器,发光效率提高使亮度达200cd/m~2。可与CRT的亮度相比。包括转换效率在内的功耗为15.6W。显示器的整个尺寸为410×235×20mm,重量1.3千克。     

CRT百年迎来新生

早在1897年,K.F.Braun博士发明阴极射线管CRT(Cathode Ray Tube),今年是CRT的百岁生日。在长达一个世纪的岁月里,CRT一直在不断地更新技术,创造近400亿美元的市场规模,形形色色的CRT产品已进入千家万户。CRT取得的技术成就是有目共睹的:荧光屏幕亮度由20cd/m~2现已达到300cd/mM~2,这是当今各种显示器件(TFT-LCD、STN-LCD和Plasma Display)所不     

亮度对视觉光谱函数的影响

颜色光学与人类视觉功能密切相关。人眼视网膜有锥状和杆状两种细胞,前者主管明视,有色感,其光谱灵敏度函数为V′(λ),λ为光谱波长。杆状细胞主管暗视,几乎无色感,其光谱函数为V′(λ),一般在亮度B约为30cd/M~2和0.03cd/m~2之间时两种细胞共同作用形成所谓中间视觉,其光谱函数为V″(λ)。V(λ)和V′(λ)是光度学的基     

用金属有机物化学汽相沉积制造ZnS:Mn发光器件

交流薄膜 ZnS:Mn 电致发光器件,已用金属有机物汽相沉积法制造出来。该法用二甲锌(DMZ)、硫化氢作原料,用三羰基甲基茂基锰(TCM)作杂质。三羰基甲基茂基锰先加热到580℃分解后,进入反应器中,能使锰以最佳浓度均匀地掺到 ZnS 膜中。具有这样 ZnS:Mn 膜的金属/绝缘体/半导体结构的电致发光器件,其亮度一般都超过5000cd/m~2(5kHz,130V),而具有金属/绝缘体/半导体/绝缘体结构的电致发光器件,其亮度超过6000cd/m~2(5kHz、160V),但亮度—电压特性,有滞后特性。     

50W2000×2000线40×40cm~2TFEL显示的可行性

本文提出了2000×2000线40×40cm~2AC TFEL 矩阵显示的理论可行性。令介质层电容为60nF/cm~2、发光层厚为1.3μm、发光效率为2.5lm/W,理论上可实现60cd/m~2、功耗50W 的大型 TFEL 显示板。     

高分辨率高亮度室外彩色电视显示用象素管

为获得高清晰度图象的大屏幕户外显示,研制了具有象元间隔为20mm的象素管。此象素管是以原来用于室内显示的“平板矩阵CRT”(FMCRT)为基础,并加上两项改进,以使该平板矩阵CRT可应用于户外。其一,为增大发光面积比(原文为aperture孔径),以使它能可靠地提供4000cd/m~2亮度,还根据主观评价试验结果,改进了象元排列。所选用象元排列既可满足高象质要求,又可使荧光屏有较长的寿命。其二,为改善对比度,研制了装在象素管上的彩色透镜滤色片,可在保持4000cd/m~2的高亮度的同时,改善对比度75%。这种新型FMCRT具有42%发光面积比和20mm象元间隔。用上述备有滤色片的FMCRT的显示屏(屏尺寸:18×9.6m~2),即使在直射阳光下,也能给出高清晰度和高对比度图象。     

稳定的白色SrS:Ce,K,Eu(TFEL)薄膜电致发光

本文报道了发射白光的SrS:Ce,K,Eu薄膜电致发光(TFEL)器件,在1kHz驱动下其亮度达500cd/m~2。在5kHz的加速老化条件下稳定性超过4000小时。用埋置滤光片得到全色器件。     

用ZnS:TbOF有源层的绿色发光直流薄膜/粉末混合EL屏

研究了用溅射 ZnS:TbOF 薄膜的绿色发射 DC 混合 EL,得到的亮度为30cd/m~2,效率0.27um/W(50Hz,50μsec 驱动),制备和评价了有16个灰度级,对角线2.5英寸。128×128点的距阵显示器。     

高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m2到20000 cd/m2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 mA/cm2时,色坐标CIEX＝0.286、CIEY＝0.665。该器件在1000 cd/m2和500 cd/m2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。     

基于ADN的非掺杂高效蓝色OLED器件

采用真空蒸镀的方法,制备了以ADN为发光层的高效率非掺杂蓝色有机电致发光器件.器件的结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPBx(15 nm)/ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/ Alq_3(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al.通过调整ADN层的厚度,研究了器件的发光性能.测试结果表明,器件在6 V电压时电流效率达到最大,为2.77 cd/A;在16 V时亮度达到最大,为7 227 cd/m~2.当ADN的厚度为30 nm、器件的电压从5 V变化到16 V时,色坐标在(0.21,0.32)至(0.19,0.29)之间,均在蓝光区域.

Abstract：

Using ADN as the emitting layer, high efficient undoped blue organic light-emitting diodes(OLEDs) with a typical structure of (ITO)/ 2T-NATA(15 nm)/ NPBx(15 nm)/ ADN(25+d nm)/BCP(8 nm)/Alq_3 (30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al were fabricated via thermal vacuum deposition method. This device has a maximum luminous efficiency of 2.77 cd/A at 6 V and maximum luminance of 7 227 cd/m~2 at 16 V. The CIE coordinates of the device are within the blue region when the thickness of ADN is 30 nm and the voltage changes among the range of 6～16 V.