化学气相沉积技术对碳化硼硬质颗粒表面改性及电沉积技术中的应用

利用化学气相沉积技术对碳化硼颗粒表面进行改性,X-射线衍射证实在碳化硼颗粒表面形成碳化铬和硼化铬混合物的薄膜,利用电沉积技术制备了Ni-W-Co-B4C(CVD)表面复合材料,油润滑条件下的磨损实验结果表明B4C颗粒的表面改性取得了良好效果,B4C（CVD)颗粒与表面金属结合紧密。     

化学沉积法及其制备的肖特基势垒的开关特性

本文确立了一种简单、有效的制备肖特基势垒的方法──化学沉积法，并用这种方法制备出Ｐｄ—ＧａＡｓ，Ａｎ—ＧａＡｓ和Ｐｄ—ＧａＡｓ０．４１Ｐ０．５９肖特基势垒。实验发现，所制备的样品具有良好的开关特性，开关时间为１０－１ｎｓ量级。     

Ni—P—PTFE复合化学沉积的研究

研究了PTFE添加量及热处理温度和镀层性能的影响，研究结果表明：使用阳离子与非离子混合表面活性剂对PTFE微粒进行预处理，可提高PTFE在镀液中的润湿和分散能力，使之较易与镍离子一起共沉积;坳高温热处理后的复合镀层的硬度及耐磨性有明显提高，且其耐磨性性优于一般Ni-P镀层。X射线衍射实验结果证明：镀层硬度的提高是热处理使 合镀层晶化所致。     

Cu上电火花沉积WC的实验研究

电火花沉积技术可以将电极材料沉积到金属基体表面,形成与基体冶金结合且具有优异性能的沉积层.用YG8电极棒为电极材料,进行了紫铜表面电火花沉积WC工艺试验研究,发现沉积效果在电压为60V、频率为200Hz、比沉积时间为2.8s/mm2时最好.     

化学气相沉积技术对碳化硼硬质颗粒表面改性及在电沉积技术中的应用

利用化学气相沉积技术对碳化硼颗粒表面进行改性,Ｘ－射线衍射证实在碳化硼颗粒表面形成碳化铬和硼化铬混合物的薄膜．利用电沉积技术制备了 Ｎｉ－Ｗ－Ｃｏ－Ｂ４Ｃ（ＣＶＤ）表面复合材料,油润滑条件下的磨损实验结果表明 Ｂ４Ｃ颗粒的表面改性取得了良好效果, Ｂ４Ｃ（ＣＶＤ）颗粒与表面金属结合紧密     

化学气相沉积法制备TiC涂层的相组成和表面形貌

用化学气相沉积法在碳／碳复合材料表面沉积ＴｉＣ涂层。研究了工艺参数对ＴｉＣ涂层的相组成和表面形貌的影响以及ＣＶＤ ＴｉＣ涂层的沉积机理。实验结果表明,当进入沉积室的气体流量比为Ｈ２：ＴｉＣｌ４：ＣＨ４＝３００：２５：１０时,所得涂层中含较少的游离碳,ＴｉＣ纯度较高。随ＣＨ４流量增加,游离碳含量增加。     

化学气相沉积法制备碳纳米管有序阵列

采用化学气相沉积法（CVD）在覆盖有催化剂薄膜的硅片表面直接制备出碳纳米管阵列,使用透射电镜（TEM）和场发射扫描电镜（FESEM）对其进行了检测,并探讨了实验条件对碳管形貌的影响。结果表明：所制备的碳管具有明显的取向性,能够形成致密有序的碳纳米管阵列;制备催化剂所用的硝酸铁溶液浓度为2mol／L时,最适宜碳管阵列的生长;匀胶机的转速提高,可减小催化剂颗粒直径,增强颗粒分散性,有利于碳管生长;碳纳米管的直径随反应温度的升高和时间的延长而增加,680℃为最佳反应温度;碳管生长模式为顶部生长和底部生长。     

激光化学气相沉积非晶硅

本文报道了CO_2激光化学气相沉积非晶硅的实验结果,硅薄膜的沉积速率与硅烷气压、基片温度和激光光强密切有关。 利用不同方法测量了硅薄膜样品的各种特性,证实了薄膜确为非晶硅。 作者也研究了激光化学沉积非晶硅的机理,并给出了理论讨论以解释实验结果。     

电化学沉积法制备阿司匹林铜

以市售阿司匹林药片和铜片（牺牲阳极）为原料,利用电化学沉积法制备了标题化合物,并通过傅立叶变换红外光谱、X-射线衍射及单晶X-射线衍射对其进行表征.讨论了溶液浓度、初始pH、施加电压等条件对产物的影响,确定了最佳合成条件.该法反应装置简单、能避免副产物的产生,产物纯度高,而且是一种绿色合成法.     

等离子体辅助热丝化学气相沉积金刚石复合膜

运用等离子体辅助热丝化学气相沉积设备分别进行了金刚石膜和金刚石 /碳化钛复合膜的沉积。实验条件 :甲烷流量与氢气流量比为 1∶5 0 ,基体温度 860℃ ,等离子体偏压 30 0V ,沉积气压 4kPa。运用扫描电子显微镜 (SEM )分别观察了沉积膜的表面和断面形貌 ;运用能量扩散电子谱 (EDX)对沉积的复合膜进行分析 ,观察到Ti元素峰和C元素峰 ;运用X射线衍射 (XRD)得到相应的金刚石衍射峰和碳化钛衍射峰。实验表明 ,用等离子体辅助热丝化学气相沉积法可以制备出晶型良好的金刚石复合膜     

阴极脉冲电流作用下的Ni－P合金化学镀过程

研究了Ｍｉ－Ｐ合金脉冲化学镀过程，找出了镀层Ｐ含量，镀速和脉冲电流参数，温度的关系。由于脉冲电流的作用，可以减缓镀液中亚磷酸盐的积累，并且Ｐ的化学沉积过程也得到加速。     

LNMO薄膜的化学溶液法制备研究

在LaAIO3(100)单晶上,通过化学溶液法(CSD)制备了全a轴取向的La0.85 Na0.15 MnO3(LNMO)薄膜.对薄膜的XRD衍射图谱、摇摆曲线和Phi扫描结果分析表明,薄膜具有较好的面内和面外取向.由输运曲线看出,采用化学溶液法制备的薄膜电阻率和PLD法制备的结果十分接近,说明化学溶液法可以代替真空方法制备LNMO薄膜.     

等离子体化学气相沉积制备氮化碳薄膜

以H2、N2和CH4气体为前驱气体,通过等离子体化学气相沉积技术制备氮化碳薄膜。采用场发射扫描电子显微镜(FS-EM)及其附带的能量分散电子谱(EDS)、X射线衍射分析(XRD)、红外光谱(FTIR)和拉曼光谱(Raman)对其结构、表面形貌、元素含量和成键状况进行了分析,并讨论了气体流量比和放电功率对薄膜制备的影响。实验结果表明:沉积的薄膜中含有晶态的C3N4,碳氮原子比接近于理论值0.75,样品中碳氮原子多以C N、C N的形式存在;样品中氮元素的含量随着反应气体中N2含量的增加而增加;放电功率的增大使薄膜的沉积速率增大。     

硅烷CVD法在钢基体表面生成硅扩散涂层

采用硅烷(SiH4)直接分解的化学气相沉积技术(CVD),在钢基体表面生成硅扩散涂层.X射线衍射(XRD)分析表明硅扩散涂层的主要成分是铁的硅化物FeSi.用扫描电子显微镜(SEM)对其形貌进行表征,发现涂层颗粒之间相互紧密粘结.金相照片显示,涂层与基体之间没有明显的界面,形成良好的扩散结合.     

等离子体辅助热丝化学气相沉积金刚石膜

采用等离子辅助热丝化学气相沉积 (PAHFCVD)装置进行了金刚石薄膜的制备。并运用X射线衍射 (XRD)和扫描电子显微镜 (SEM)测试手段对沉积的金刚石薄膜进行了观察分析。在甲烷与氢气体积比为 2∶98、基体温度为 80 0℃、等离子体偏压 40 0V、沉积气压 4kPa的沉积条件下可获得晶形完整的金刚石膜 ,其沉积速率可达 1 1 μm·h- 1 。     

CVD法快速制备SiC过程分析

采用TMS（CH3SiCl3)为原料,H2为载气,Ar为稀释气,在1000－1200℃范围以内以石墨为基体,通过化学气相沉积法（CVD）制备地SiC块体材料,在特定的工艺条件下,SiC的生长速率可达0．6mm/h,结合实验结果,研究了常压SiC-CVD过程中,对SiC生长速率产生影响的若干因素的作用,初步探索了基体尺寸与沉积室尺寸的比例、沉积温度、稀释气流量以及沉积时间对沉积速率的影响,综合分析提高了SiC生长速率的原因。