TFT-LCD工艺中角落白Mura的成因机理研究与改善

在新产品导入过程中会突发各种Mura类不良。本文为解决TV机种导入中出现的一种原因未知的角落白Mura,首先进行了大量的排查和推理,初步判定异常来源于成盒工艺(Cell)段,利用气相色谱(GC)、高效液相色谱(HPLC)设备测试并对比了角落白Mura区域与正常区域的液晶纯度、液晶组份和框胶溶出的差异,最后探讨了其形成的机理。结果表明角落白Mura区域液晶组份发生较大变动,液晶组份挥发是角落白Mura产生的主因。通过优化贴合时的真空抽气时间、真空保持时间、液晶滴下点数、液晶与边框胶距离等一系列的改善措施,使产品的角落白Mura发生率从16.59%降到了0.001%以下管控范围。实验有效解决了角落白Mura异常并为今后类似Mura类不良的对策提供了思路,同时提升了公司的效益和竞争力。     

TFT-LCD发粉不良改善及机理分析

广色域、低功耗TFT-LCD在高温高湿运行测试时容易发生周边发粉不良,严重影响器件的视觉效果.本文研究了不同成分的绿色色阻、有源层与平坦层材料制成的微型液晶盒与TFT-LCD在光照、高温与高湿环境中的透过率变化情况,以及周边发粉的起始时间,明确发粉不良的根本原因为绿色色阻中的非金属配合物分子结构的Y颜料,且不良程度与产...     

TFT-LCD边缘彩点Mura解析和改善

通过对各项不良改善措施的验证,总结出包括画素设计、制程、材料等可以对边缘彩点Mura进行有效改善的措施。将边缘彩点Mura不良发生率由35%降低到0,有效的提高了产品的良率。     

Rubbing Mura产生机理及改善研究

Rubbing Mura是以接触式摩擦工艺生产TFT_LCD产品时常见的顽固缺陷,尤其在HADS产品上不良发生率更高。本文对Rubbing Mura产生的原因及机理进行分析,发现该不良由TFT基板上的源极线(Source Data,SD)附近的Rubbing弱区漏光引起。研究了Rubbing强度(Nip值)、Rubbing布型号、Rubbing布寿命、黑矩阵(Black Matrix,BM)加宽和SD减薄对HADS产品的Rubbing Mura的影响,选择最优的工艺条件,Rubbing Mura的不良发生率由2.4%降至0%,改善效果明显。     

TFT-LCD制程中Sand Mura的失效模式分析及改善研究

在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质。本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的Sand Mura问题。实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极ITO在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点;通过变更ITO薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在PVX过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0.3%,产品质量得到了很大的提高。此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础。     

高PPI ADS产品白Mura不良产生原理及改善研究

现有传统TFT-LCD 生产工艺中,Rubbing工艺在生产高PPI ADS产品的过程中,在改善Rubbing Mura不良时会使用H Cloth,但使用H Cloth Glass在经过Rubbing后ODF Rubbing Cleaner清洗时会出现白Mura不良。经过对白Mura不良Panel的微观解析,并结合H Cloth性质分析出白Mura不良是由于H Cloth自身的聚醋酸脂颗粒经过Rubbing Cleaner聚集造成的。从Rubbing Cleaner清洗时改变Glass表面性质(醇类可以有效改变界面性质)入手,通过使用IPA对Glass进行清洗以改变聚醋酸脂疏水性,使得聚醋酸脂颗粒更易被Rubbing Cleaner清洗掉来改善白Mura不良,并结合生产实际定期对IPA进行更换以保持IPA浓度处于一个稳定的区间,使得高PPI ADS产品白Mura不良发生率由改善前的3.42%降低至改善后的0.11%,白Mura不良得到非常有效的改善。     

TFT-LCD面影像残留改善研究

影像残留是一种TFT-LCD屏的固有特性。主要是由于长时间显示静态画面时液晶材料的极化敏感性造成的。这种极化影响了液晶材料的光学特性,并阻止液晶分子完全恢复到正常松弛状态。本文主要探讨了通过改变TFT设计来改善面影像残留现象的方案。通过设计实验变更TFT-LCD的主要参数(Pixel设计、Aperture Ratio、ΔVp等),提出了4种面影像残留改善方案并制作了样品。对这4种改善方案的试制样品进行了TFT-LCD面影像残留水平测量和评价,分析了各像素设计因素对面影像残留水平的影响;同时对试制样品的画面品质进行了评价,为解决相关画面品质问题对该方案进行了设计优化,最终获得了一种较佳的面影像残留改善方案。     

未确认Mura分析及改善对策

未确认Mura是一种能够影响TFT-LCD画面品质的不良。文章对未确认Mura不良进行了详细的分析,认为扇形区域出现有源层残留是导致未确认Mura不良发生的原因,介绍了一种通过变更曝光工艺条件来解决此种不良的方法,并通过试验论证了此方法的量产可行性。     

TFT-LCD模组温升分析与改善

本文实验确定了TFT-LCD显示模组的热源,提出了为分散热源而变更LED位置的两种结构设计,最后再从减少产热和增强散热这两种不同途径提出了具体的改善措施。结果表明：IC与LED为模组的主要热源,变更两者相对位置能减少热量集中降低温升;降低背光功耗能减少热功率降低温升;BLU背面增加“鳍片”状Al散热片能增强对流散热降低温升。本文为解决TFT-LCD显示产品在应用过程中出现温升过高问题提供参考。     

L0周边Mura分析及其改善研究

L0周边Mura是TFT-LCD的一种常见缺陷。本文对L0周边Mura发生原因进行分析,发现真空对盒工艺进行过程中玻璃基板表面受力不均使力学合成力较少的局部位置发生形变并引起液晶屏周边区域盒厚波动,产生不良。采用辅助封框胶开环方式,主封框胶内外两侧压差趋于平衡,L0周边Mura发生率大幅降低;而通过优化辅助封框胶工艺有效地解决了周边区域力学失衡难题,不良发生率降至0.3%,改善效果明显。此外,周边优化设计方案有助于新产品开发阶段避免该不良发生。     

TFT-LCD制程对低频横纹色差的影响及研究

LC配向的均一性在LCD中是必不可少的,光配向制程是通过施加紫外偏振光照射在IPS(In-Plane Switch)LCD中形成液晶配向沟槽的一种技术,然而紫外光照射的同时会损伤TFT器件,使非晶硅层产生光生载流子,电子发生迁移,导致TFT漏电流从而影响图像品质,产生横纹色差。在低频时,栅极开关时间延长,相邻扫描线之间容易发生混充电现象,部分充电截止的像素重新充电,从而使横纹色差变严重。本文从制程和电性调整方面对低频横纹色差进行了研究,结果表明:(1)紫外光照射后进行烘烤,可以有效降低漏电流,高温度(240℃)+长时间(4 200s)改善低频横纹色差效果佳(比例:0.00%);(2)延长Out Enable(4.8μs)+降低V_(gh)(18V)+提高GOA(Gate On Array)电路中电压V_(SS_Q)(-7.5V),改善低频横纹色差效果佳(比例:0.00%)。     

ADS TFT-LCD漏光敏感性影响因素研究与改善

ADS TFT-LCD暗态受外力时存在漏光亮度高、范围大、颜色偏黄的敏感性差问题,模组极易产生漏光。本文研究了玻璃、液晶和隔垫物(PS)3方面对暗态漏光敏感性的影响。研究得出,玻璃厚度减小,可以改善按压亮度变化,例如外力30N时,0.5T玻璃的L_o亮度相比0.7T L_o亮度下降了33%;降低液晶Δnd可以改善按压发黄;相同Δnd,减小Δn,增加K,可减少LC散射,继而可减小按压亮度高和范围大问题,例如外力30N时,散射值0.027的L_o亮度相比散射值0.038的L_o亮度下降了28%;增加PS的支撑密度,可以减小按压亮度和范围的变化,例如PS密度3 168 μm~2/mm~2的L_o亮度相比PS密度2 364 μm~2/mm~2的L_o亮度下降了22%。通过以上措施,可以改善ADS产品L_o漏光敏感性。本文对敏感性改善的机理也做了相应解释。     

灰度与亮度拟合对LCD面板Mura改善的影响

选择有限的采样灰度级准确拟合出整个灰度区间的亮度和灰度关系,是影响LCD面板Mura改善效果、实时性和成本的关键因素。通过迭代方法优化采样灰度级,并采用分段伽马拟合方法研究了采样灰度级对Mura改善的影响。针对1 920×1 080的55 inTFT-LCD模组,6个采样灰度级的优化使拟合亮度曲线与实际亮度曲线的相对误差之和在0~255灰度级从5.64降到3.68,4个采样灰度级的优化使相对误差之和从29.27降到8.98。通过对6个和4个优化采样灰度级的实验结果比较和分析,结果表明,4个优化采样灰度级可以在Mura改善效果、实时性及成本三者之间达到较好的平衡。     

基于ASAP软件的液晶显示背光模组的模拟设计

本文介绍了利用ASAP光学设计软件模拟设计一款适用于10in液晶显示屏的CCFL侧光式背光源的具体方案,模拟出了背光模组的光学结构,并根据ASAP软件给出的测试结果进行了局部优化,最后总结了本款设计的不足,探讨了解决问题的预期方案。     

一种高可靠消除FFS模式TFT-LCD静电引起残像的方法

主要研究了FFS模式TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)于不同条件和环境下影像残留现象, 简述了残像产生的原因, 探讨了其产生的机理和对策方向, 为改善相应的显示残像问题提供一种高可靠性的处理方案。     

Advanced BCD technology with vertical DMOS based on a semi-insulation structure

A new semi-insulation structure in which one isolated island is connected to the substrate was proposed. Based on this semi-insulation structure, an advanced BCD technology which can integrate a vertical device without extra internal interconnection structure was presented. The manufacturing of the new semi-insulation structure employed multi-epitaxy and selectively multi-doping. Isolated islands are insulated with the substrate by reverse-biased PN junctions. Adjacent isolated islands are insulated by isolation wall or deep dielectric trenches. The proposed semi-insulation structure and devices fixed in it were simulated through two-dimensional numerical computer simulators. Based on the new BCD technology, a smart power integrated circuit was designed and fabricated. The simulated and tested results of Vertical DMOS, MOSFETs, BJTs, resistors and diodes indicated that the proposed semi-insulation structure is reasonable and the advanced BCD technology is validated.     

TFT-LCD摩擦工艺ESD研究与改善

摩擦工艺ESD(Electrostatic Discharge)是TFT-LCD制程中较为常见的一种不良,以317.5 mm(12.5 in)产品为例,摩擦工艺过程中ESD发生率20%,对产品良率影响较大。文章结合实际生产对摩擦工艺ESD的原因进行理论分析与实验验证,得出摩擦工艺发生ESD的原因为TFT基板上面有悬空的大块金属,在摩擦过程中电荷积累过多容易发生ESD,ESD进一步烧毁旁边金属电路导致面板点亮时画面异常。生产过程中通过工艺管控和产品设计两方面优化改善,工艺方面通过增加湿度,涂布防静电液以及管控摩擦布寿命进行改善,设计方面通过变更悬空的大块金属为小块金属,通过工艺设计优化最终生产过程中摩擦工艺ESD发生率由20%下降到0%,大大提高了产品品质,降低了生产成本。