聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析

基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线.结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多.无论退火温度是100℃低温情况还是190℃高温情况,上述结论均适用.这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要.     

基于三组分共轭聚合物的高灵敏度有机晶体管二氧化氮传感器

研究了基于联噻吩-氮杂异靛蓝-双(2-氧代二氢-7-氮杂吲哚-3-亚基)苯并二呋喃二酮的三组分给体-受体共轭聚合物(BTNIDNBIBDF-50)薄膜对二氧化氮气体传感特性。通过控制半导体浓度调控半导体薄膜表面形貌,研究其对二氧化氮气体灵敏度的影响。聚合物半导体BTNIDNBIBDF-50的浓度为2 mg/m L时对NO₂气体表现出最优的传感性能,对体积分数为10×10^-6NO₂气体的灵敏度为121.44%。实验结果表明：三组分共轭聚合物BTNIDNBIBDF-50呈现双极型半导体特性,降低聚合物半导体浓度会使薄膜表面出现明显的孔洞结构,提高传感器对NO₂气体的灵敏度。但过多的孔洞又会使气体解吸附速率的变化大于吸附速率变化,导致传感器灵敏度降低。     

聚合物薄膜晶体管的制备及性能

以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶体管.器件的制备和测试都是在空气环境中完成.该薄膜晶体管呈现出较好的场效应晶体管饱和特性,器件的载流子迁移率为5.0×10-5 cm2/(V·s),开关电流比大于2×103.通过在氮气氛下对聚合物薄膜进行退火处理以及聚合物薄膜沉膜前对二氧化硅表面修饰可以适当地提高器件的载流子迁移率.     

π-共轭希夫碱聚合物的合成及其荧光性能

共轭高聚物荧光性能的研究已成为当今的研究热点，尤其对于有一定限制的蓝色发光材料。这一波段的发光对于全色显示是不可缺少的，因此，选择适当的单体和聚合方法，合成既具有优良发光性能又能在此波段发光的共轭聚合物并对其进行研究，具有重要的理论意义和广阔的应用前景。本文以对苯二胺与乙二醛、己二胺缩聚合成了几种不同的配比的局部共轭聚希夫碱PHGP，通过红外光谱、此外光谱、元素分析、分子量测定对其进行了表征。此外，缩聚物在甲酸中可完全溶解，故对其液态荧光性能进行了研究，结果发现，PHGP是既能辐射强荧光，又易于加工处理的蓝光区发光材料。     

π——共轭高分子光电性能及聚合物LED

π—共轭高分子光电性能及聚合物ＬＥＤ李文连（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放实验室，长春１３００２１）１引言自从Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ［１］报道了由８—羟基喹啉铝与芳香二胺作为传输材料的积层型电致发光（ＥＬ）器件以来...     

有机薄膜晶体管研究进展

有机薄膜晶体管是一种受到日益重视和正被广泛研究的新型电子器件。本文论述了有机薄膜晶体管的优点、基本结构、材料以及近几年来国外在该领域的最新研究进展。并对有机薄膜晶体管的应用前景做了展望。     

有机薄膜晶体管在电子技术中的应用及挑战

有机薄膜晶体管（0TFT）是有机电子学的一个重要的研究分支。本文介绍了有机薄膜晶体管的科学技术发展水平,其在电子技术各领域的应用及挑战,评述了该领域的研究进展,并对其前景进行了展望。     

2,7-二癸基-[1]苯并噻吩[3,2-b][1]-苯并噻吩的制备及性能研究

以邻氯苯甲醛、NaHS·xH₂O、癸酰氯为原料,经消去、酰化,还原反应合成2,7-二癸基二苯并二噻吩（C₁₀-BTBT）。通过核磁共振表征和确证。本文研究了C₁₀-BTBT光学性能、热学性能、电学性能以及环境稳定性。紫外-荧光光谱研究证明,化合物在近紫外光激发下发出明亮的蓝光,发射中心波长在352nm。液晶相的相转变温度通过差热扫描仪测定,测量结果为熔点T_cp=112℃,清亮点T_mp=125℃。通过喷墨打印技术制备了底栅顶接触结构的2,7-二癸基二苯并二噻吩的OTFT器件,场效应平均迁移率达到0.1cm²/V·s,最大迁移率达到0.25cm²/V·s,开关比超过10⁴。放置空气中不同时间,器件开态电流和开关比没有较大变化。     

基于有机硅栅绝缘层的制备工艺对OTFT性能的影响

基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数,获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明,绝缘层旋涂速度过快、表面用氧等离子体处理时间过长和退火温度过低都会降低有机栅极绝缘层(OGI)的绝缘性和OTFT的器件特性。采用硅氧烷材料作为聚合物栅极绝缘层,其溶液由硅氧烷单体和溶剂加丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)混合而成。OGI的旋涂速度为1 200r/min,退火温度为140℃,在旋涂有机半导体材料之前,需在退火之后的硅氧烷表面进行短暂的氧离子灰化反应。得到的有机薄膜晶体管迁移率约为0.4cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降至约1.2V/dec,开关比大于104,并且当外加电场为1MV/cm时,漏电流密度低于1.4×10-6 A/cm2(Vds=-40V)。     

Modulating Charge Transport from Thermally Activated to “Band-Like” Through Interfacial Bottom-Up Binding Capability of Bilayer Polymer Dielectrics

The disordered chain arrangement of polymer dielectrics has complex both internal and external effects on system performance, which generally stimulates the weak acquisition and grain boundaries of vapor-deposited organic small molecule films (VDOSMFs) with thermally activated charge transport. As a result, achieving “band-like” transmission of VDOSMs on polymer dielectrics is attempting to prove to be a major challenge. Three types of bi-polymer dielectrics are developed to modulate charge transport from thermally activated mode to “band-like” transport at the interfacial level. The bottom consisting of a polyimide layer is critical to interfacial modulation, which shows the selectively binding capability with up-dielectric layers to realize the modulation of charge transport, as corroborated by interface characterization and density functional-based tight-binding calculation. The findings provide an effective strategy for modulating the charge transport through polymer dielectric engineering and also recommend a podium to further comprehend the electrical characteristics of small molecules in organic thin-film transistors.     

Tips-Pentacene OTFT电极接触电阻的研究

采用转移线性法分析了以PVP为栅绝缘层、以Tips-pentacene为有源层的有机薄膜晶体管(OTFT)电极与有源层间的接触电阻,其中介电层和有源层均采用旋涂法制备,银电极采用喷墨印刷法制备。沟道长度分别取200,250,300μm和400μm,有源层退火时间分别为2h,6h和10h,提取到的3种不同退火时间的OTFT的接触电阻分别为8MΩ,4.5MΩ和3MΩ,退火10h的OTFT的接触电阻较小主要是因为较长时间的退火使得Tips-pentacene有源层中的杂质较少,电极和有源层之间的接触势垒较小。     

喷墨打印PVP绝缘层柔性薄膜晶体管研究

柔性电子设备的快速发展对薄膜晶体管（TFT）提出了低功耗、耐弯折和可低温制备的要求。其中,栅极绝缘层是核心材料之一。溶液法制备有机栅极绝缘层具有低成本、柔韧性强的优点,适合大面积加工。本文采用喷墨打印法实现了聚乙烯吡咯烷酮（PVP）墨水的印刷成膜,采用XPS分析了不同退火温度处理的印刷PVP薄膜成分差异,并测试了PVP器件的漏电流、电容和转移特性参数。200℃退火的PVP薄膜漏电流密度≤10^-4A/cm²（5V）,相对介电常数约为3.8,玻璃衬底器件饱和迁移率达到4.6cm²/（V·s）,开关比≥10⁵;PI柔性衬底器件在20mm弯折半径下迁移率2.8cm²/（V·s）,开关比约6×10⁴,在柔性电子领域有一定的应用前景。