TFT-LCD中驱动信号与线残像的关系研究

通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46,耦合电压幅值由240mV降为34.8mV;当驱动信号方式由帧反转变为点反转时,耦合电压幅值由112.6mV降为63.1mV,有效地改善了线残像,并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理,为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。     

TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究

为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。     

TFT-LCD中驱动信号对线残像的改善研究

通过对TFT-LCD去隔行扫描输入信号易产生线残像的问题进行分析,考察线残像产生的原因与驱动信号之间的关联。结果表明,通过改变驱动信号的极性反转方式可以改善线残像,但改善线残像同时却带来了闪烁问题。经过进一步研究分析,通过增加预充电信号以及控制TFT特性的开关比可以有效解决改善输入信号后带来的闪烁问题,并给出了相应的原理解释。为线残像的分析和改善提供了解决方法和理论依据。     

TFT-LCD中电容对公共电压的影响

为分析TFT-LCD线残像,研究了画面驱动数据电压通过电容(CDC)对公共电压的影响.首先根据实际膜层分布,描述电容在膜层的具体构成,并建立电路等效模型,测量并分析TFT-LCD实际工作状态的电容.然后,建立方法测试棋盘格画面公共电压畸变并分析其造成线残像的机理.最后,设置"黑灰条"画面使畸变量最大化以便于分析畸变的形...     

液晶组分以及V-T曲线漂移与线残像关系研究

线残像是液晶显示不良的一种表现,对在Cell中短时间内判断液晶线残像的强弱进行了研究。本文使用了4种介电各向异性相同的液晶,对这4款混晶所制成的TFT-LCD屏进行了线残像水平测定,系统分析了混晶的组分与线残像的关系,并使用了一种通过加直流电压测试V-T曲线的漂移来判断液晶残像强弱的方法,对4款混晶做了V-T曲线漂移实验。组分分析表明,介电各向异性相同的情况下,液晶中-CF2O-类单体和-COO-类单体的使用会导致线残像的发生。V-T漂移实验结果表明,Vth变化率小于5%时,液晶显示线残像轻微,Vth变化率大于10%时,线残像严重。这种方法可以在Cell中进行,并且使测试时间明显缩短,这对提高液晶的研发效率具有指导意义。     

色阻对残像影响的研究

本文通过色阻是否有离子析出,进而产生残像的验证,得出了色阻有离子的析出,从而对残像造成影响的结论。通过引入电压保持率VHR评价色阻材料,验证不同VHR色阻残像的表现,得出了电压保持率VHR越高,产品残像表现越好的结论。为实际生产应用色阻材料的选用提供了参考。     

TFT-LCD残像原理与分析-加强篇一

残像是TFT-LCD的一种显示特性,主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面,在把画面切换到下一个画面时,原先的画面会残留在下一个画面中。本文的加强篇一从设计面的Feedthrough DC成分、非对称像素结构、TFT相关的特别是Leak系导致的残像,具体分析了其原因和改善方法。     

TFT-LCD残像原理与分析-加强篇二

残像是TFT-LCD的一种显示特性,主要表现为当液晶显示器长时间显示同一个画面,在把画面切换到下一个画面时,原先的画面会残留在下一个画面中。本文的加强篇二从材料面的彩膜、液晶、配向膜及工艺面的配向膜工程、ODF工程导致的残像具体分析了其原因和改善方法。     

气体放电对 PDP 残像形成的影响及其改善研究

针对等离子体显示器维持期气体放电过程引起的PDP残像,研究了持续气体放电过程对残像可恢复性的影响以及相同放电条件下显示单元三基色亮度变化情况,分析了气体放电过程与PDP残像形成之间的关系,提出了通过调整PDP显示过程中工作气体的放电强度,补偿气体放电过程引起亮度差异的方法来减轻显示残像,改善残像对显示画质影响的方法。实验结果表明,该方法能够减少残像产生后的恢复时间,改善显示残像,提高显示图像画质。     

TFT—LCD液晶材料对显示残像的影响

分析了5种TFT-LCD液晶的组成,通过对这5种液晶所制成的TFT-LCD产品的"面残像"和"线残像"水平测定,分析了液晶的组成与"线残像"水平的关系.液晶的极性越大,其稳定性越差,"线残像"水平越差;含有丁烯基苯类的液晶材料,稳定性较差,"线残像"水平较差.     

基于使用负性液晶的边沿场切换模式的局部残影分析

随着液晶显示技术的发展,PPI越来越高,像素尺寸越来越小,穿透率的提升是一重要问题。负性液晶相对正性液晶具有高穿透率,较好的画面画质及较低的颜色偏差等优点,使得主流显示模式IPS、FFS使用负性液晶研究逐渐增多。但由于负性液晶自身特性,其影像残留较正性液晶更为严重,特别是模组粘合附近区域的局部面残。为了改善负性液晶局部影像残留,本文研究了实际样品影像残留严重区域与轻微区域不同测量数据,如温度、共电压(Vcom)等,发现影像残留严重区域与轻微区域的公共电压出现漂移现象,分析了影响残影的因素,并提出改善方案,实测结果证明本文改善局部残影的方法是有效的。     

LCD面板TFT特性相关残像研究

残像是影响TFT-LCD画面品质的重要因素,也是发生原因最为复杂的一种不良。本论文提出了一种定量测量残像水平的方法,同时对TFT特性引起的残像不良进行了实验研究,得到了由TFT特性引起的交流(AC)残像发生规律及发生机理。本文通过对比研究残像画面黑白格亮度与TFT漏电流变化曲线,同时结合像素充放电计算公式进行电压差模拟,发现黑白格像素放电差异导致的像素保持电位差异(ΔV12.5mV)是发生残像的根本原因。根据以上机理,本论文提出了两种方法改善此类残像。第一种是通过改善TFT a-Si成膜工艺减小漏电流(50pA),同时提升TFT特性的稳定性,可以减小棋盘格画面残像评价导致的TFT转移特性曲线偏移;第二种是通过改变栅压低电平,避开关态时不同显示区域的TFT漏电流差异峰值;以上两种方法均可以有效改善残像(ΔL0.5cd/m~2)。     

配向膜材料与面残影的关联性研究

利用mini-cell作为评价平台,从配向膜材料自身特性角度,对配向膜材料与面残影之间的关联性进行了综合研究。一方面,配向膜材料自身优异的稳定性有助于维持电压保持率(VHR);另一方面,配向膜材料自身的低电阻率特性有助于存储电荷的释放,利于实现较低的残余电流(RDC)。而当配向膜材料的RDC和高低温间VHR变化值同时处于较低水平时,可以获得面残影水平较低的TFT-LCD模块。因此,利用mini-cell对配向膜材料进行评估,通过比较RDC以及ΔVHR数值,可以间接实现对TFT-LCD的残影结果评估,为实际生产中产品残影的改善提供了基础理论指导,具有重要的指导性作用。     

基于线列红外探测器的图像增强算法研究

针对线列红外探测器扫描成像特点,提出了一种基于平台直方图统计的红外图像增强算法。仿真结果表明,该算法能够校正扫描型热像仪由盲、闪元引起的黑白道,提高图像的对比度,修正全局灰度等级,锐化图像中的边缘细节,对扫描成像系统的红外图像具有较好的增强效果。     

CCD图像传感器的微透镜阵列设计与实验研究

为了最大程度地改善CCD图像传感器的填充因子,进行了用于与CCD集成的微透镜阵列的光学优化设计,并与实验结果进行了对比。测试结果表明,所设计的透镜阵列使CCD的填充因子提高2.9倍,相对光谱响应增加了0.2。所设计的透镜对于改善CCD入射信号光的光强分布、提高光利用效率,从而提高CCD的光电性能有显著效果。     

阵形畸变对拖线阵三维探测性能的影响及补偿技术

针对拖曳阵阵形畸变导致的目标检测不准确问题,首先,分析了阵形畸变对拖线阵三维探测性能的影响,并论证了利用实际阵形在垂直方向形成的孔径实现对目标深度信息提取可行性;然后,依据拖线阵中姿态与深度传感器监测数据,提出一种基于阵形自动拟合的三维补偿技术;最后,通过三维补偿技术修正导向矢量,降低导向矢量与协方差矩阵之间不匹配度,解决阵形畸变所导致的目标检测不准确问题。数值仿真结果表明,对畸变阵形进行三维阵形估计和补偿,实现了对未知目标的三维探测,且避免了标校声源对拖线阵实时探测目标的影响,便于工程应用。