LC—13型强流氧离子注入机

强流氧离子注入机是用于研制开发ＳＩＭＯＸ材料所需的关键设备。该项目的研制具有一定的难度，在国内尚属首例。本文描述了ＬＣ－１３型强流氧离子注入机主要性能指标及技术难点。     

强流氧离子注入机装卸片控制系统

介绍了一种用于强流氧离子注入机的装卸片控制系统,控制系统采用多轴运动控制器实现了多个电机的协同运动,解决了晶圆在传送过程中的中心偏差校正和角度校正的问题,并最终实现了晶圆的全自动传送。     

700KeV高能离子注入机的靶室电源

一、前言700keV高能离子注入机,其靶室设计采用了旋转靶结构。如图1所示,在旋转靶盘上均布着8个靶位,分别称为1号靶位、2号靶位、……依此类推至8号靶位。其中1～7号靶用来对靶片注入,8号靶上装有铜网,以便在调束过程中,通过观察窗和微光电视系统,对离子束的束径大小、束对中情况、过扫程度进行定性分析。在换片过程中,步进电机的驱动轴,一端驱动靶盘,另一端驱动编码盘,位于编码盘两侧的光电定位装置,将靶位信息送入靶室电源进行处理,从而准确地控制靶位的变换。     

一台离子注入机的改进及其在BaTiO3陶瓷改性中的应用

本文介绍了武汉大学２００ｋｅＶ离子注入机的改进情况，用贝纳斯离子源替换了原有的高频离子源，使输出流强由几十微安提高到毫安级，离子种类由原来单电荷的气体离子扩展到多电荷离子和金属离子。用该机对半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷注入Ｃｕ离子，使材料的ＰＴＣＲ突跳幅度增加，室温电阻率提高，证实Ｃｕ（２＋）离子在ＰＴＣＲ材料晶界起着电子陷阱作用。     

超强流氧离子注入机国内外现状及发展趋势

本文概括介绍了超强流氧离子注入机的国内外现状及发展趋势，指出了国内在这一设备研制上的主要差距，对今后发展该设备提出自己的建议。     

离子注入中污染的产生及防护

本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施，特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ＵＬＳＩ加工对离子注入的要求。     

离子注入机金属铝离子源的气源的优选

注铝离子注入机,是宽禁带半导体SiC产业的关键设备,金属铝离子源直接影响了整机的性能指标,特别是PM周期和离子源寿命.为保证离子源的长寿命和铝离子大束流,针对金属铝离子源放电的辅助气源进行了一系列的研究和实验,包括铝离子产额、束流质谱、阴极使用寿命及污染导致的放电打火情况等,通过实验结果筛选出最佳的气源.     

SOI技术及其设备

介绍了SOI技术的特点和制造方法、超薄SOI技术,应变硅SOI技术及其设备,如大束流专用氧离子注入机。     

用于强流离子注入机的磁分析器电源设计

本文简要介绍了该电源的指标及电路．并详细论述了提高电源稳定度和可靠性的方法和措施，最后给出了测试结果和运行情况。     

高温溅射离子源及其在LC—3型高能离子注入机上的使用

高温溅射离子源已用于LC—3型离子注入机,可以成功地进行全元素注入。 本文描述了该离子源的结构和使用状况,根据我们的实践,改进了源的热炉。束流到达靶上的强度从零点几微安到几个微安。     

国产碳化硅离子注入机的设计开发

为进一步增加Si C离子注入技术的自主可控能力和降低SiC器件的成本,SiC离子注入机的国产替代迫在眉睫。主要介绍国产SiC离子注入机的研制过程和其中的三大关键技术,目前国产SiC离子注入机核心技术攻关已取得突破并得到产线应用,器件良品率、性能等指标与国外进口机台的水平相当,能够满足SiC器件的生产要求。     

用于离子注入机的高压放大器的研制

针对我国用于离子注入机的高压放大器输出峰值电压一般处于±10 kV的现状,研制了一种双极高速高压功率放大器,输出最大峰值电压为±20 kV,输出最大功率为400 W。为了提高耐压能力,功率管以双极型晶体管为主体,由MOSFET和IGBT串联,采用AB类工作模式通过推挽放大器的上、下两个功率管实现放大功能。经过仿真实验,实现了输出电压放大,同时实现了信号低噪声、响应频带宽、压摆率高、输出响应快等特性,对提高我国半导体设备水平以及国产化程度具有重要意义。     

大角度离子注入机控制系统的研制

介绍了大角度离子注入机控制系统的功能,重点介绍了系统的总体设计和控制模块的设计、主控计算机与子控制器之间的通讯以及控制系统的软件结构设计等。经实验证明,该控制系统稳定、可靠。     

关于S0I（SIMOX）材料在注入过程中粒子污染的研究

本文描述注氧机在制作SOI（SIMOX）材料时，注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响。结合SIMS测试结果，从光路结构，电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理，并提出相应的解决措施。     

离子注入机大行程垂直扫描系统的研制

采用垂直扫描系统是离子注入机最常用的扫描方式之一,着重阐述了一种大行程垂直扫描系统的系统构成、设计思路和实现方法.经过实际使用证明,该系统提高了离子注入机机械扫描的可靠性和稳定性.     

BF_2~+离子注入时磷杂质离子污染控制的研究

同一台离子注入机B,P离子交叉注入,残留的磷和BF3分解产生的F生成50PF ,成为难控隐患.研究指出,实际注入晶圆的平均质量数,呈以目标离子质量数为中心的正态分布;49BF2 与50PF 因质量数接近而存在可能的重叠分布区,这是出现磷污染的原因;指出改善质量分析器的控制精度,可在线调控以避免磷污染.通过比较发现,当质量分析器设定为49±0.5且注入高束流达800μA时,离子注入机不能侦测到临近目标质量数的杂质离子.离子注入机经80 h注入31P 后再交叉注入的老化实验准备,当引孤电流达3 100 μA时,电性测试发现,质量分析器设定为49±0.3(质量分辨率m/△m=169.3)的样品无磷污染.进一步研究了多重老化因素叠加效应,经同样的老化实验准备、引弧电流为3 100 μA且注入束流为800 μA时,注入剂量为2.2×1015的49BF2 ,当质量分析器严控为49±0.3,经SIMs(secondarv ion mass spectrosoopy)分析二个样品均未发现磷的高能峰.改进质量分析器控制设定数值的解决方案经生产验证有效,无需Frederic Sahores(2002 IEEE)的如增加清洗频率或分离子源专用注入机等高成本方案,提高了效益与产品良率.