彩管热拱性能的评价研究

本文主要阐述热拱性能描述及实用性能评价，简要介绍热拱的常见的对策与措施。     

荫罩热变形与束着屏漂移

我们开发出了能并装置模拟所用时间的称为三维屏拓三维模拟程序。通过将三维屏的数据输送到ＡＮＳＹＳ的解算吕，模拟荫罩组 屏的间温度分布，然后将其与实验数据进行了比较，同时，我们对荫罩，呆和弹簧片的热弹性进行了分析，并用热分析分析了由于受热引起的荧光屏上相关位置变化，得到各个时间状态的束着屏漂移量。研究中我们还考虑到焊点的热传导，荫罩，屏之间的热辐射以及屏周围环境一侧的自然对流。     

73cm彩管殷钢荫罩翘曲量超差分析

本文从材料的物理特性分析入手，通过热处理改变其部分物理特性，从而达到解决INVAR材成型荫罩翘曲量超差的目的。     

74cm彩管色纯调整保证体系的建立与分析

７４ｃｍ彩管具有大屏幕的特点，较之小屏幕彩管其色纯在调偏时具有以下特点：（１）受地磁场影响大；（２）荫罩热变形显著。本公司借助ＲＯＤ仪进行色纯预置偏差，采用外贴Ｖ型磁场的方法进行补偿，建立了一套行之有效的色纯保证体系，结果大大地提高了良品率和色纯余量。     

65cm彩管平板荫罩发辨率的提高

荫罩是彩色显像管的重要部件,本文详细介绍了提高64cm平面直角（FS）彩色显借管用于平板荫罩分辨率计算方法和计算结果,在不影响旧透过率和强度,又不用制作新的荫罩成形模具有以及彩管的其它部件的情况下,水平节距从原来的0.71mm降低到0.57mm,彩管的分辨纺从原来的587线提高到727线,而亮度及色纯等整管参数跟现行64cm彩管基本相同,可以更好的接受VGA信号,DVD图像以及电视节目。     

殷钢荫罩的加工工艺开发

殷钢荫罩的导入是彩管发展史上一次革命性的技术飞跃，本文简要介绍了殷钢材料的性能特点，并结合工作实际着重论述了殷钢荫罩的国工工艺开发。     

彩色CRT荫罩热变形分析与束着屏漂移预测

阴极射线管中荧光屏上电子束着屏漂移是由荫框架组件热变形引起的,从而使色纯变坏。本文使用有限元法（ＦＥＭ）分析了荫罩框架组件的热变形,预测了束着屏漂移。为了真实地分析,计算了表面热传导率和表面弹性系数,并将荫罩模拟成一个无孔的薄板。模拟了ＣＲＴ内所有的零件并考虑了每个零件的辐射效应。然后对荫罩框架组件瞬间的热弹性变形进行有限元分析,计算了束着屏偏移。４３ｃｍＣＲＴ的实验使有限元分析法有充足的根据。测量了ＣＲＴ内各个零件的温度和屏上着屏漂移,通过将测得的结果与有限元分析所得结果进行比较,对这些结果进行了讨论。通过研究我们知道这种分析方法可用来设计ＣＲＴ荫罩组件,将着屏漂移降到几微米级。     

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。     

荫罩曲面测试数据的修正及拟合中应注意的几个问题

本文分析了荫罩曲面的测试误差，提出了如何减小测试误差对拟合精度的影响，并由此导出了拟合效果评价的客观标准。     

荫罩式PDP着火电压的研究

采用数值方法，研究了荫罩式PDP(SM-PDP)放电单元的着火特性。计算了寻址期和维持期中，气体沿不同放电路径的着火电压，并讨论了放电单元中金属障壁对于着火特性的影响。最后，指出了SM-PDP着火特性的优越性。     

荫罩式等离子体复合放电驱动波形的研究

提出了一种适合三电极荫罩式PDP结构的新型高效复合放电驱动波形.采用二维流体模型研究了三电极荫罩式PDP结构复合放电驱动波形的放电过程,分析了空间电位、壁电荷及带电粒子分布的演变情况.讨论了复合放电驱动波形维持期寻址电极电压对放电特性的影响,计算了维持期真空紫外辐射功耗、放电效率的变化趋势以及电子平均浓度随时间的变化关系,并与传统表面放电驱动波形比较.结果表明复合放电驱动波形在响应频率、放电强度和放电效率等方面均优于传统表面放电驱动波形.     

荫罩式等离子体显示板中荧光粉制作工艺的研究

针对荫罩式等离子体显示板(SMPDP)结构介绍了一种三色套色喷涂的方法制作方法,利用高压气体膨胀将荧光粉浆料充分雾化,通过掩膜套色分别制作红、绿、蓝三基色荧光粉膜。由于利用喷涂法制作荧光粉膜所需浆料配制简单,无须经过500℃高温烧除有机粘接剂,因此消除了高温工艺对荧光粉的劣化作用,可以有效地提高等离子体显示板的亮度和发光效率。     

超薄荫罩式等离子体显示屏的工艺研究

超薄荫罩式等离子体显示屏(Plasma Display Panel,PDP)相对于传统荫罩式PDP(SMPDP),采用极薄的D263T玻璃作为前后基板,且该基板玻璃可充当介质层,因此超薄荫罩式PDP重量轻,体型薄.但由于基板玻璃非常薄,使得封接难度增大.为了验证超薄SMPDP制备的可行性及提高其封接成功率,有必要对超薄SMPDP制备工艺进行深入研究.基于超薄SMPDP的结构特点,重点关注它与普通SMPDP不同的工艺处理,如荫罩处理工艺、封接固定装置设计、封接框制作工艺、封接温度曲线等方面的研究.实验结果表明,经过上述工艺改进后,超薄SMPDP的封接成功率接近80%.     

驱动波形对新型荫罩式PDP 放电单元放电特性影响的研究

采用二维数值模拟的方法研究了新型荫罩式PDP结构中驱动电压波形的上升(下降)沿对其单元放电特性的影响。分别模拟了寻址期和维持期内驱动电压沿为线性及正弦波形时的放电过程，给出了单元内电位分布变化情况，电子及氙谐振态平均浓度随时间变化的情况。得到了粒子峰值出现时刻与电压波形的上升(下降)沿的关系。     

荫罩式彩显管电子束斑测量技术的研究

本文提出了实时地,真实地再现荫罩式彩显管电子束斑的原理和方法;描述了系统的硬件组成;微偏转系统的要求和设计原则;     

荫罩母版初探

荫罩是彩色显象管的重要部件,而制造荫罩的关键在于设计和制造荫罩母版。本文对荫罩母版进行了初步探讨,并对原始母版、工作母版和工作底版的设计与制作进行了具体的论述。