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长波红外碲镉汞探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
1 引言 红外辐射最早是1800年英国的天文学家赫谢耳(W.Herschel)在研究太阳光谱的热效应时,用水银温度计测量各种颜色光的加热效果而发现的。1830年,L.Nobili利用塞贝克发现的温差电效应制成了“温差电型辐射探测器”; 相似文献
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GHz量级宽带碲镉汞探测器李永珍(华北光电技术研究所北京100015)本文主要讨论用于CO_2激光红外外差系统的宽带探测器的带宽问题,分析影响用MCT体材料制备的N-P结频率的因素:1)RC时间常数;2)电子、空穴在空间电荷区的渡越时间(场强下漂移)... 相似文献
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用碲镉汞外延层制备了在77~130°K温度范围内工作的快速灵敏光伏探测器。采用结区形成技术就要牵涉到材料化学计量上的偏差。在77°K时,每个量子的光谱响应在很宽的波长范围内(3~14微米)都是平的,此时所测得的探测度值是3×10~9~3×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。外部量子效率是13%左右。时间常数不到1毫微秒。 相似文献
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碲镉汞光导探测器设计参数 总被引:1,自引:0,他引:1
利用微机计算了碲镉汞光导探测器的各种参数,如辐射寿命、俄歇寿命、热噪声、产生复合噪声、响应率和探测度。文中强调了背景激发的非平衡载流子△p和扫出效应的作用。在附录中给出了产生复合噪声的扫出作用的新推导。定义了扫出因子Q。详尽分析了各参数之间的关系,以求得最佳器件设计的思想方法。 相似文献
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基于当前红外探测器技术的发展方向,从高工作温度红外探测器应用需求的角度分析了碲镉汞高工作温度红外探测器在组件重量、外形尺寸、功耗、环境适应性及可靠性方面的优势。总结了欧美等发达国家在碲镉汞高工作温度红外探测器研究方面的技术路线及研究现状。从器件暗电流和噪声机制的角度分析了碲镉汞光电器件在不同工作温度下的暗电流和噪声变化情况及其对器件性能的影响;总结了包括基于工艺优化的Hg空位p型n-on-p结构碲镉汞器件、基于In掺杂p-on-n结构和Au掺杂n-on-p结构的非本征掺杂碲镉汞高工作温度器件、基于nBn势垒阻挡结构的碲镉汞高工作温度器件及基于吸收层热激发载流子俄歇抑制的非平衡模式碲镉汞高工作温度器件在内的不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的基本原理,对比分析了不同技术路线碲镉汞高工作温度器件的性能及探测器制备的技术难点。在综合分析不同技术路线高温器件性能与技术实现难度的基础上展望了碲镉汞高工作温度器件技术未来的发展方向,认为基于低浓度掺杂吸收层的全耗尽结构器件具备更好的发展潜力。 相似文献
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0 引言
在法国,啼镉汞的研究与发展已经有25年多的历史了,这项工作是该国Sofradir工业集团公司和CEA-Leti公共实验室之间通过大力协作进行的.为了缩短该技术推向市场的时间,Sofradir工业集团公司和CEA-Leti在Grenoble地区成立了一个联合实验室(DEFIR).目前在该地区大约有600人在从事红外探测器的研制工作. 相似文献
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本文研究77°K工作的8~14微米碲镉汞探测器的响应率与探测器噪声的频率关系。结果表明,这些参数具有同样的频率关系与拐角频率。对D_λ~*~5×10~(10)厘米~(1/2)瓦~(-1)的探测器,实验得出f~*值≥10兆赫。同时看出,结果与假定空穴和电子寿命相等的简单光电导理论一致。 相似文献
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本文分析了探测器长度对Hg_(1-x)Cd_xTe光导探测器性能的影响。分析是针对工作在77~300K温度范围3~5μm和8~14μm波段的器件进行的。将由几个厂商制造的探测器的实验数据与基于Rittner模型及我们为有阻挡接触点的光导器件开创的理论研究所做的理论预测进行了比较。力图阐明理论与实验结果之间的差异。 相似文献
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说明 (Hg,Cd)Te光伏探测器用作8~14微米的红外接收器件特别令人感兴趣。利用光伏效应能提高截止频率,降低低频噪声电平。实际的探测器是Cd_xHg_(1-x)Te单晶,可通过x值任意调整灵敏度最大时的波长。此探测器工作于77°K,可装于玻璃或金属低温恒温器中提供使用,两种情况的窗可轴向或径向配置。主要数据接收面积:0.01(±25%)~0.25(±10%)毫米~2。 B2、C1及C2类探测器,敏感的表面只能制成0.10毫米~2。工作温度:标称77°K(液氮),高到120°K时技术数据没发生明显的恶化。窗:IRTRANⅡ或涂增透膜的锗。光谱灵敏度:8~14微米(图3)。一般最高灵敏度在8~11.5微米处。最高灵敏度的位置可确定准到±1微米。光伏数据:见表1。 相似文献
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碲镉汞光伏探测器机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
碲镉汞可以制成光伏型器件和光导型器件.光导器件结构较简单,易于制造,但功耗大,响应速度较慢,为第一代红外探测器件.目前,我所实用的长波光子探测器就是光导型的.光伏器件较之光导器件功耗小,响应快.光伏型碲镉汞器件分为n-on-p型和p-on-n型两种.对长波波段,两者相比,后者比前者有较大的RoA,但由于注入损伤为n型,而且浅结时光电流的输出主要靠衬底,p型时少子扩散长度大,工艺也较简单,因而光伏器件以n-on-p型为多,已经制成(1~)3μm、(3~5)μm的p-n结光电二极管.除非特别指明,以下我们提到的光伏器件就是指n-on-p型.工艺上,在晶体生长中掺锑制造弱p型衬底,锑为五族元素,在晶格中占据碲空位,并提供一个空穴.在p型衬底上进行硼离子注入生成n-on-p结.通过严格控制工艺过程,已经得到性能较好的光伏器件.掺Sb生长的p型衬底与空穴类型的p型衬底相比,其优点在于:Sb分凝系数小,利用杂质分凝效应可获得浓度均匀的材料;避免高温处理;减少与汞空位和其它缺陷相关的深能级,提高少子寿命. 相似文献
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